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Exar Corporation
MOSFET N-CH 600V 1.5A SOT223
详细描述：表面贴装 N 沟道 1.5A（Tc） 20W（Tc） SOT-223
型号：
XR46000ESETR
仓库库存编号：
1016-2071-1-ND
别名：1016-2071-1
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.5nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 400V 0.45A 8SOP
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 400V 450mA 2W Surface Mount 8-SOP
型号：
FQS4901TF
仓库库存编号：
FQS4901TFCT-ND
别名：FQS4901TFCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.5nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 30V 32A 8SOP
详细描述：表面贴装 N 沟道 32A（Ta） 1.6W（Ta），21W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
型号：
TPH11003NL,LQ
仓库库存编号：
TPH11003NLLQCT-ND
别名：TPH11003NLLQCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.5nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 80V 4.6A TSOP-6
详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 4.6A（Tc） 2W（Ta），3.6W（Tc） 6-TSOP
型号：
SI3476DV-T1-GE3
仓库库存编号：
SI3476DV-T1-GE3CT-ND
别名：SI3476DV-T1-GE3CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.5nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 6.5A 6-MLP 2X2
详细描述：表面贴装 N 沟道 6.5A（Ta），8A（Tc） 1.9W（Ta） 6-MicroFET（2x2）
型号：
FDMA8884
仓库库存编号：
FDMA8884CT-ND
别名：FDMA8884CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.5nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.8A（Tc） 2.1W（Tc） SOT-223-4
型号：
FQT13N06TF
仓库库存编号：
FQT13N06TFFSCT-ND
别名：FQT13N06TFFSCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.5nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 4.5A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 4.5A（Tc） 85W（Tc） D2PAK
型号：
STB6N80K5
仓库库存编号：
497-14974-1-ND
别名：497-14974-1
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.5nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 4.5A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 4.5A（Tc） 85W（Tc） TO-220
型号：
STP6N80K5
仓库库存编号：
497-15018-5-ND
别名：497-15018-5
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.5nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 1.7A（Tc） 2W（Tc） SOT-223-4
型号：
FQT7N10TF
仓库库存编号：
FQT7N10TFCT-ND
别名：FQT7N10TFCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.5nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 30V 11A 8TSON-ADV
详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Tc） 700mW（Ta），19W（Tc） 8-TSON Advance（3.3x3.3）
型号：
TPN11003NL,LQ
仓库库存编号：
TPN11003NLLQCT-ND
别名：TPN11003NLLQCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.5nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 10A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Tc） 2.5W（Ta），28W（Tc） D-Pak
型号：
FQD13N06TM
仓库库存编号：
FQD13N06TMCT-ND
别名：FQD13N06TMCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.5nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 4.5A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 4.5A（Tc） 85W（Tc） DPAK
型号：
STD6N80K5
仓库库存编号：
497-14983-1-ND
别名：497-14983-1
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.5nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 20A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 60W（Tc） TO-220AB
型号：
STP20NF06L
仓库库存编号：
497-4375-5-ND
别名：497-4375-5
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.5nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 4.5A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 4.5A（Tc） 85W（Tc） I2PAK
型号：
STI6N80K5
仓库库存编号：
497-15017-5-ND
别名：497-15017-5
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.5nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.5A（Tc） 22W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD80R2K4P7ATMA1
仓库库存编号：
IPD80R2K4P7ATMA1CT-ND
别名：IPD80R2K4P7ATMA1CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.5nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO251-3
详细描述：通孔 N 沟道 800V 2.5A（Tc） 22W（Tc） PG-TO251-3
型号：
IPU80R2K4P7AKMA1
仓库库存编号：
IPU80R2K4P7AKMA1-ND
别名：SP001644612
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.5nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO251-3
详细描述：通孔 N 沟道 800V 2.5A（Tc） 22W（Tc） PG-TO251-3
型号：
IPS80R2K4P7AKMA1
仓库库存编号：
IPS80R2K4P7AKMA1-ND
别名：SP001644624
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.5nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 20A TO-220FP
详细描述：通孔 N 沟道 60V 20A（Tc） 28W（Tc） TO-220FP
型号：
STF20NF06L
仓库库存编号：
STF20NF06L-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.5nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 3.5A TO-220F
详细描述：通孔 N 沟道 200V 3.5A（Tc） 32W（Tc） TO-220F
型号：
FQPF5N20
仓库库存编号：
FQPF5N20-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.5nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 7.3A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 100V 7.3A（Tc） 40W（Tc） TO-220-3
型号：
FQP7N10
仓库库存编号：
FQP7N10-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.5nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 4.5A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 200V 4.5A（Tc） 52W（Tc） TO-220-3
型号：
FQP5N20
仓库库存编号：
FQP5N20-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.5nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 3.8A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 3.8A（Tc） 2.5W（Ta），37W（Tc） D-Pak
型号：
FQD5N20TF
仓库库存编号：
FQD5N20TF-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.5nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 10A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 60V 10A（Tc） 2.5W（Ta），28W（Tc） I-Pak
型号：
FQU13N06TU
仓库库存编号：
FQU13N06TU-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.5nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 5.5A TO-220F
详细描述：通孔 N 沟道 100V 5.5A（Tc） 23W（Tc） TO-220F
型号：
FQPF7N10
仓库库存编号：
FQPF7N10-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.5nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 400V 2A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 400V 2A（Tc） 2.5W（Ta），30W（Tc） I-Pak
型号：
FQU3N40TU
仓库库存编号：
FQU3N40TU-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.5nC @ 10V,
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