以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 400V 2.5A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 400V 2.5A（Tc） 55W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP3N40
  仓库库存编号：FQP3N40-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.5nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 7.3A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 7.3A（Tc） 3.75W（Ta），40W（Tc） I2PAK（TO-262）
  
  型号：FQI7N10TU
  仓库库存编号：FQI7N10TU-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.5nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 400V 2A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 400V 2A（Tc） 2.5W（Ta），30W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD3N40TM
  仓库库存编号：FQD3N40TM-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.5nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 4.5A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 4.5A（Tc） 3.13W（Ta），52W（Tc） I2PAK
  
  型号：FQI5N20TU
  仓库库存编号：FQI5N20TU-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.5nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 400V 2A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 400V 2A（Tc） 2.5W（Ta），30W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD3N40TF
  仓库库存编号：FQD3N40TF-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.5nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 9.4A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 9.4A（Tc） 24W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF13N06
  仓库库存编号：FQPF13N06-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.5nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 13A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 13A（Tc） 45W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP13N06
  仓库库存编号：FQP13N06-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.5nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 10A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 10A（Tc） 2.5W（Ta），28W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD13N06TF
  仓库库存编号：FQD13N06TF-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.5nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 13A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 13A（Tc） 3.75W（Ta），45W（Tc） I2PAK
  
  型号：FQI13N06TU
  仓库库存编号：FQI13N06TU-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.5nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 400V 1.6A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 400V 1.6A（Tc） 20W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF3N40
  仓库库存编号：FQPF3N40-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.5nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 400V 2.5A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 400V 2.5A（Tc） 3.13W（Ta），55W（Tc） I2PAK
  
  型号：FQI3N40TU
  仓库库存编号：FQI3N40TU-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.5nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 400V 2.5A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 400V 2.5A（Tc） 3.13W（Ta），55W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB3N40TM
  仓库库存编号：FQB3N40TM-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.5nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 7.3A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 7.3A（Tc） 3.75W（Ta），40W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB7N10TM
  仓库库存编号：FQB7N10TM-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.5nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 13A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 13A（Tc） 3.75W（Ta），45W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB13N06TM
  仓库库存编号：FQB13N06TM-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.5nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 4.5A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 4.5A（Tc） 3.13W（Ta），52W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB5N20TM
  仓库库存编号：FQB5N20TM-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.5nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 900V 0.25A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 250mA（Tc） 40W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXCP01N90E
  仓库库存编号：IXCP01N90E-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.5nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 900V 0.25A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 900V 250mA（Tc） 40W（Tc） TO-252
  
  型号：IXCY01N90E
  仓库库存编号：IXCY01N90E-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.5nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N/P-CH 30V 2.9A 1206-8
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 2.9A, 2.1A 1.1W Surface Mount 1206-8 ChipFET?
  
  型号：SI5504DC-T1-E3
  仓库库存编号：SI5504DC-T1-E3CT-ND
  别名：SI5504DC-T1-E3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.5nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 1206-8
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 2.9A 1.1W Surface Mount 1206-8 ChipFET?
  
  型号：SI5902DC-T1-E3
  仓库库存编号：SI5902DC-T1-E3CT-ND
  别名：SI5902DC-T1-E3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.5nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 5.8A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 5.8A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD7N10TM
  仓库库存编号：FQD7N10TMCT-ND
  别名：FQD7N10TMCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.5nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 100V 2.2A PS-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 2.2A（Ta） 840mW（Ta） PS-8 (2.9x2.4)
  
  型号：TPCP8003-H(TE85L,F
  仓库库存编号：TPCP8003-H(TE85L,F-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.5nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N/P-CH 30V 2.9A 1206-8
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 2.9A, 2.1A 1.1W Surface Mount 1206-8 ChipFET?
  
  型号：SI5504DC-T1-GE3
  仓库库存编号：SI5504DC-T1-GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7.5nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索