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ON Semiconductor
MOSFET 2P-CH 20V 3.3A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 3.3A 2W Surface Mount 8-SOIC
型号:
MMDF2P02HDR2
仓库库存编号:
MMDF2P02HDR2OSCT-ND
别名:MMDF2P02HDR2OSCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 5A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 5A(Tc) 2.1W(Ta),40W(Tc) DPAK-3
型号:
MTD5P06VT4
仓库库存编号:
MTD5P06VT4OSCT-ND
别名:MTD5P06VT4OSCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 15A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 15A(Ta) 1.5W(Ta),48W(Tj) DPAK-3
型号:
NTD15N06T4
仓库库存编号:
NTD15N06T4OS-ND
别名:NTD15N06T4OS
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 4.9A CHIPFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 4.9A(Ta) 1.3W(Ta) ChipFET?
型号:
NTHS5402T1
仓库库存编号:
NTHS5402T1OS-ND
别名:NTHS5402T1OS
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 13A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 100V 13A(Ta) 64.7W(Tc) TO-220AB
型号:
NTP13N10
仓库库存编号:
NTP13N10OS-ND
别名:NTP13N10OS
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 15A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 60V 15A(Ta) 1.5W(Ta),48W(Tj) I-Pak
型号:
NTD15N06-001
仓库库存编号:
NTD15N06-001OS-ND
别名:NTD15N06-001OS
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET 2P-CH 20V 3.3A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 3.3A 2W Surface Mount 8-SOIC
型号:
MMDF2P02HDR2G
仓库库存编号:
MMDF2P02HDR2GOS-ND
别名:MMDF2P02HDR2GOS
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 13A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 13A(Ta) 64.7W(Ta) D2PAK
型号:
NTB13N10T4G
仓库库存编号:
NTB13N10T4GOS-ND
别名:NTB13N10T4GOS
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 13A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 100V 13A(Ta) 64.7W(Tc) TO-220AB
型号:
NTP13N10G
仓库库存编号:
NTP13N10GOS-ND
别名:NTP13N10GOS
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 3.4A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 3.4A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
FDS3612
仓库库存编号:
FDS3612-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 3A 900mW Surface Mount 8-SO
型号:
FDS3912
仓库库存编号:
FDS3912-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 400V 4.5A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 400V 4.5A(Tc) 2.5W(Ta),48W(Tc) I-Pak
型号:
FQU6N40CTU
仓库库存编号:
FQU6N40CTU-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 7.4A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 7.4A(Tc) 2.5W(Ta),55W(Tc) D-Pak
型号:
FQD9N25TF
仓库库存编号:
FQD9N25TF-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 400V 4.5A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 400V 4.5A(Tc) 2.5W(Ta),48W(Tc) D-Pak
型号:
FQD6N40CTF
仓库库存编号:
FQD6N40CTF-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 400V 6A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 400V 6A(Tc) 38W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF6N40CT
仓库库存编号:
FQPF6N40CT-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 400V 6A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 400V 6A(Tc) 38W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF6N40C
仓库库存编号:
FQPF6N40C-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 20A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 20A(Tc) 60W(Tc) TO-252AA
型号:
HUFA76413D3S
仓库库存编号:
HUFA76413D3S-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 20A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 60V 20A(Tc) 60W(Tc) TO-251AA
型号:
HUFA76413D3
仓库库存编号:
HUFA76413D3-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 20A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 20A(Tc) 60W(Tc) TO-252AA
型号:
HUFA76413D3ST
仓库库存编号:
HUFA76413D3ST-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 400V 6A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 400V 6A(Tc) 73W(Tc) I2PAK
型号:
FQI6N40CTU
仓库库存编号:
FQI6N40CTU-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 2.6A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 600V 2.6A(Tc) 36W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF4N60
仓库库存编号:
FQPF4N60-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 23A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 23A(Tc) 60W(Tc) TO-220AB
型号:
HUFA76413P3
仓库库存编号:
HUFA76413P3-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 5.5A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 600V 5.5A(Tc) 40W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF6N60C
仓库库存编号:
FQPF6N60C-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 5.5A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 600V 5.5A(Tc) 125W(Tc) I2PAK
型号:
FQI6N60CTU
仓库库存编号:
FQI6N60CTU-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 1.7A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 900V 1.7A(Tc) 39W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF2NA90
仓库库存编号:
FQPF2NA90-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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