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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 2.8A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 900V 2.8A(Tc) 107W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP2NA90
仓库库存编号:
FQP2NA90-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 6.7A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 250V 6.7A(Tc) 45W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF9N25
仓库库存编号:
FQPF9N25-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 5.5A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 5.5A(Tc) 125W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB6N60CTM
仓库库存编号:
FQB6N60CTM-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 9.4A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 9.4A(Tc) 3.13W(Ta),90W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB9N25TM
仓库库存编号:
FQB9N25TM-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 2.8A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 900V 2.8A(Tc) 3.13W(Ta),107W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB2NA90TM
仓库库存编号:
FQB2NA90TM-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 4.4A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 4.4A(Tc) 106W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP4N60
仓库库存编号:
FQP4N60-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 2.8A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 600V 2.8A(Tc) 40W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF5N60
仓库库存编号:
FQPF5N60-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 5A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 5A(Tc) 3.13W(Ta),120W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB5N60TM
仓库库存编号:
FQB5N60TM-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 2.8A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 900V 2.8A(Tc) 3.13W(Ta),107W(Tc) I2PAK
型号:
FQI2NA90TU
仓库库存编号:
FQI2NA90TU-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 5A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 5A(Tc) 2.1W(Ta),40W(Tc) DPAK-3
型号:
MTD5P06VT4G
仓库库存编号:
MTD5P06VT4GOSCT-ND
别名:MTD5P06VT4GOSCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 13A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 13A(Ta) 64.7W(Ta) D2PAK
型号:
NTB13N10
仓库库存编号:
NTB13N10-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 13A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 13A(Ta) 64.7W(Ta) D2PAK
型号:
NTB13N10G
仓库库存编号:
NTB13N10G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 12A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 100V 12A(Ta) 1.28W(Ta),56.6W(Tc) I-Pak
型号:
NTD12N10-1G
仓库库存编号:
NTD12N10-1G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 12A(Ta) 1.5W(Ta),48W(Tj) DPAK
型号:
NTD3055-094
仓库库存编号:
NTD3055-094-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 12A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 60V 12A(Ta) 1.5W(Ta),48W(Tj) I-Pak
型号:
NTD3055-094-1
仓库库存编号:
NTD3055-094-1-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 12A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 60V 12A(Ta) 1.5W(Ta),48W(Tj) I-Pak
型号:
NTD3055-094-1G
仓库库存编号:
NTD3055-094-1GOS-ND
别名:NTD3055-094-1G-ND
NTD3055-094-1GOS
NTD30550941G
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 6A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 6A(Tc) 2W(Ta),3.2W(Tc) 6-TSOP
型号:
SI3446ADV-T1-E3
仓库库存编号:
SI3446ADV-T1-E3CT-ND
别名:SI3446ADV-T1-E3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 4.9A(Ta) 1.3W(Ta) 1206-8 ChipFET?
型号:
SI5402BDC-T1-E3
仓库库存编号:
SI5402BDC-T1-E3CT-ND
别名:SI5402BDC-T1-E3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N/P-CH 60V 3A PPAK SO-8
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 60V 3A, 3.2A 1.4W, 1.5W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
型号:
SI7530DP-T1-E3
仓库库存编号:
SI7530DP-T1-E3CT-ND
别名:SI7530DP-T1-E3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 6.3A PPAK SO-8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6.3A 1.4W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
型号:
SI7842DP-T1-E3
仓库库存编号:
SI7842DP-T1-E3CT-ND
别名:SI7842DP-T1-E3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO-8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6.4A 1.4W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
型号:
SI7844DP-T1-E3
仓库库存编号:
SI7844DP-T1-E3CT-ND
别名:SI7844DP-T1-E3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 150V 2.1A PPAK SO-8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 150V 2.1A 1.4W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
型号:
SI7946DP-T1-E3
仓库库存编号:
SI7946DP-T1-E3CT-ND
别名:SI7946DP-T1-E3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 38A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 7.6A(Ta),38A(Tc) 75W(Tc) DPAK
型号:
NTD5407NG
仓库库存编号:
NTD5407NG-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 38A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 7.6A(Ta),38A(Tc) 2.9W(Ta),75W(Tc) DPAK
型号:
NTD5407NT4G
仓库库存编号:
NTD5407NT4G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 6A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 500V 6A(Tc) 38.5W(Tc) TO-220F
型号:
FDPF7N50F
仓库库存编号:
FDPF7N50F-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
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