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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 4.9A(Ta) 1.3W(Ta) 1206-8 ChipFET?
型号:
SI5402DC-T1-GE3
仓库库存编号:
SI5402DC-T1-GE3-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 60V 3.7A 8SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 3.7A 2.4W Surface Mount 8-SO
型号:
SQ9945AEY-T1-E3
仓库库存编号:
SQ9945AEY-T1-E3-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 25A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 25A(Tc) 3W(Ta),33W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
SUD25N04-25-E3
仓库库存编号:
SUD25N04-25-E3-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 25A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 25A(Tc) 3W(Ta),33W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
SUD25N04-25-T4-E3
仓库库存编号:
SUD25N04-25-T4-E3-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 5.4A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 5.4A(Ta),8A(Tc) 2W(Ta),10.8W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
SUD50N04-37P-T4-E3
仓库库存编号:
SUD50N04-37P-T4-E3-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 13A 8TSON-ADV
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 13A(Ta) 700mW(Ta),18W(Tc) 8-TSON Advance(3.3x3.3)
型号:
TPCC8065-H,LQ(S
仓库库存编号:
TPCC8065-HLQ(S-ND
别名:TPCC8065-HLQ(S
TPCC8065HLQS
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 8.5A(Ta) 1.7W(Ta) 8-SOIC
型号:
AO4722
仓库库存编号:
785-1297-1-ND
别名:785-1297-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 13A 8DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 13A(Ta),24A(Tc) 1.95W(Ta),35W(Tc) 8-DFN(5x6)
型号:
AON6200L
仓库库存编号:
785-1397-1-ND
别名:785-1397-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 15.8A 8DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 15.8A(Ta),40A(Tc) 3.1W(Ta),62W(Tc) 8-DFN(3x3)
型号:
AON7200
仓库库存编号:
785-1374-1-ND
别名:785-1374-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 11A 8ULTRASO
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 11A(Ta),50A(Tc) 2.5W(Ta),50W(Tc) UltraSO-8?
型号:
AOL1208
仓库库存编号:
AOL1208-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252 DPK
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 5.3A(Tc) 104W(Tc) TO-252AA
型号:
SIHD5N50D-GE3
仓库库存编号:
SIHD5N50D-GE3TR-ND
别名:SIHD5N50D-GE3TR
SIHD5N50DGE3
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 60V 23A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 7A(Ta),23A(Tc) 2.1W(Ta),41.5W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
AOB2618L
仓库库存编号:
785-1471-1-ND
别名:785-1471-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 5.8A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 5.8A(Ta) 1.3W(Ta) 8-SO
型号:
SI4412ADY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4412ADY-T1-E3CT-ND
别名:SI4412ADY-T1-E3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 250V 17A TO3P
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 17A(Ta) 30W(Tc) 8-WPAK
型号:
RJK2557DPA-00#J0
仓库库存编号:
RJK2557DPA-00#J0-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 400V 8A MP3A
详细描述:表面贴装 N 沟道 400V 8A(Ta) 65W(Tc) MP-3A
型号:
RJK4006DPD-00#J2
仓库库存编号:
RJK4006DPD-00#J2-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 400V 8A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 400V 8A(Ta) 29W(Tc) TO-220FL
型号:
RJK4006DPP-M0#T2
仓库库存编号:
RJK4006DPP-M0#T2-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 600V 6A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 6A(Ta) 29.5W(Tc) TO-220FP
型号:
RJK6035DPP-E0#T2
仓库库存编号:
RJK6035DPP-E0#T2-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET 2N-CH 8-DFN
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 900mW Surface Mount 8-AlphaDFN (3.2x2)
型号:
AOC4810
仓库库存编号:
785-1619-1-ND
别名:785-1619-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N/P-CH 40V 9A/6.5A DPAK
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 40V 9A, 6.5A 1.3W Surface Mount TO-252-5
型号:
FDD8424H_F085A
仓库库存编号:
FDD8424H_F085A-5-ND
别名:FDD8424H_F085A-5
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 6A CPH6
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 6A(Ta) 1.6W(Ta) 6-CPH
型号:
CPH6442-TL-E
仓库库存编号:
CPH6442-TL-EOSCT-ND
别名:CPH6442-TL-EOSCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 8SO
详细描述:表面贴装 N 沟道 350V 900mA(Ta) 2.5W(Ta) 8-SOP
型号:
HAT2131R-EL-E
仓库库存编号:
HAT2131R-EL-E-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 15.8A 8DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 15.8A(Ta),40A(Tc) 3.1W(Ta),62W(Tc) 8-DFN(3x3)
型号:
AON7200L
仓库库存编号:
AON7200L-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 15.8A(Ta),40A(Tc) 3.1W(Ta),62W(Tc) 8-DFN-EP(3x3)
型号:
AON7200_101
仓库库存编号:
AON7200_101-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 15.8A(Ta),40A(Tc) 3.1W(Ta),62W(Tc) 8-DFN-EP(3x3)
型号:
AON7200_102
仓库库存编号:
AON7200_102-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 14A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 60V 14A(Tc) 29W(Tc) TO-220AB 整包
型号:
IRFIZ24E
仓库库存编号:
IRFIZ24E-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
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