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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 17A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 55V 17A(Tc) 3.8W(Ta),45W(Tc) TO-262
型号:
IRFZ24NL
仓库库存编号:
IRFZ24NL-ND
别名:*IRFZ24NL
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 17A(Tc) 45W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR024NTRR
仓库库存编号:
IRFR024NTRR-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 17A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 17A(Tc) 3.8W(Ta),45W(Tc) D2PAK
型号:
IRFZ24NSTRL
仓库库存编号:
IRFZ24NSTRL-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 17A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 17A(Tc) 3.8W(Ta),45W(Tc) D2PAK
型号:
IRFZ24NSTRR
仓库库存编号:
IRFZ24NSTRR-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 2.6A 2W Surface Mount PG-DSO-8
型号:
BSO615N
仓库库存编号:
BSO615NINCT-ND
别名:BSO615NINCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
含铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 1.9A(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP171PE6327
仓库库存编号:
BSP171PE6327INCT-ND
别名:BSP171PE6327INCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 17A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 55V 17A(Tc) 3.8W(Ta),45W(Tc) TO-262
型号:
IRFZ24NLPBF
仓库库存编号:
IRFZ24NLPBF-ND
别名:*IRFZ24NLPBF
SP001571902
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 14A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 60V 14A(Tc) 29W(Tc) TO-220AB 整包
型号:
IRFIZ24EPBF
仓库库存编号:
IRFIZ24EPBF-ND
别名:*IRFIZ24EPBF
SP001575814
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 1.9A(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP171PE6327T
仓库库存编号:
BSP171PE6327XTINCT-ND
别名:BSP171PE6327XTINCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 5.7A DIRECTFET
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 5.7A(Ta),25A(Tc) 2.2W(Ta),42W(Tc) DIRECTFET? SJ
型号:
IRF6645TR1PBF
仓库库存编号:
IRF6645TR1PBFCT-ND
别名:IRF6645TR1PBFCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 2.6A(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP318S E6327
仓库库存编号:
BSP318S E6327-ND
别名:BSP318SE6327T
SP000011112
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT-223
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 1.9A(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP171PL6327HTSA1
仓库库存编号:
BSP171PL6327HTSA1CT-ND
别名:BSP171PL6327
BSP171PL6327INCT
BSP171PL6327INCT-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT-223
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 2.6A(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP318SL6327HTSA1
仓库库存编号:
BSP318SL6327HTSA1CT-ND
别名:BSP318SL6327
BSP318SL6327INCT
BSP318SL6327INCT-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 55V 15A TDSON-8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 55V 15A 21W Surface Mount PG-TDSON-8-4
型号:
IPG15N06S3L-45
仓库库存编号:
IPG15N06S3L-45-ND
别名:SP000396302
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 150V 8.7A TO-220FP
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 150V 8.7A 18W Through Hole TO-220-5 Full-Pak
型号:
IRFI4019HG-117P
仓库库存编号:
IRFI4019HG-117P-ND
别名:IRFI4019HG117P
SP001578094
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V DIRECTFET-SJ
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 5.7A(Ta),25A(Tc) 3W(Ta),42W(Tc) DIRECTFET? SJ
型号:
IRF6645
仓库库存编号:
IRF6645-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 17A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 17A(Tc) 3.8W(Ta),45W(Tc) D2PAK
型号:
IRFZ24NSTRLPBF
仓库库存编号:
IRFZ24NSTRLPBFCT-ND
别名:IRFZ24NSTRLPBFCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 14A 5X6 PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 17A(Ta),56A(Tc) 3.3W(Ta),35W(Tc) PQFN(5x6)
型号:
IRFH8330TR2PBF
仓库库存编号:
IRFH8330TR2PBFCT-ND
别名:IRFH8330TR2PBFCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 44A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 12A(Ta) 44A(Tc) 2.5W(Ta),28W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC889N03MSGATMA1
仓库库存编号:
BSC889N03MSGATMA1CT-ND
别名:BSC889N03MS GCT
BSC889N03MS GCT-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 17A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 17A(Tc) 3.8W(Ta),45W(Tc) D-PAK(TO-252AA)
型号:
AUIRFZ24NSTRR
仓库库存编号:
AUIRFZ24NSTRR-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 17A(Tc) 45W(Tc) TO-252AA
型号:
AUIRFR024N
仓库库存编号:
AUIRFR024N-ND
别名:SP001515958
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N CH 250V 9.3A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 250V 9.3A(Tc) 100W(Tc) DPAK
型号:
AUIRFR4292
仓库库存编号:
AUIRFR4292-ND
别名:SP001520304
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 40A PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 40A(Tc) 2.7W(Ta),29W(Tc) 8-PQFN(3x3)
型号:
IRFHM4231TRPBF
仓库库存编号:
IRFHM4231TRPBFCT-ND
别名:IRFHM4231TRPBFCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
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