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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.6A(Tc) 2.5W(Ta),42W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR9220TRPBF
仓库库存编号:
IRFR9220PBFCT-ND
别名:*IRFR9220TRPBF
IRFR9220PBFCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 7.4A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.4A(Tc) 2W(Ta),3.5W(Tc) 6-TSOP
型号:
SI3438DV-T1-GE3
仓库库存编号:
SI3438DV-T1-GE3CT-ND
别名:SI3438DV-T1-GE3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N/P-CH 60V 5.3A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 60V 5.3A, 3.9A 3.1W, 3.4W Surface Mount 8-SO
型号:
SI4559ADY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4559ADY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4559ADY-T1-GE3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N/P-CH 60V 5.3A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 60V 5.3A, 3.9A 3.1W, 3.4W Surface Mount 8-SO
型号:
SI4559ADY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4559ADY-T1-E3CT-ND
别名:SI4559ADY-T1-E3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 6A 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 6A(Tc) 3.2W(Ta),19.8W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7308DN-T1-E3
仓库库存编号:
SI7308DN-T1-E3CT-ND
别名:SI7308DN-T1-E3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 68A SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 17A(Ta),71A(Tc) 3.6W(Ta), 61W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NTMFS5C670NLT1G
仓库库存编号:
NTMFS5C670NLT1GOSCT-ND
别名:NTMFS5C670NLT1GOSCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 3.3A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 3.3A(Tc) 50W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF720PBF
仓库库存编号:
IRF720PBF-ND
别名:*IRF720PBF
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 60V 7A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 7A(Ta),23A(Tc) 2.1W(Ta),41.5W(Tc) TO-220
型号:
AOT2618L
仓库库存编号:
785-1438-5-ND
别名:785-1438-5
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 12A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Tc) 25W(Tc) TO-220FP
型号:
STF18N65M2
仓库库存编号:
497-15533-5-ND
别名:497-15533-5
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 8A D2-PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 8A(Tc) 150W(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA8N50P
仓库库存编号:
IXTA8N50P-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223
详细描述:表面贴装 P 沟道 1.9A(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP171PH6327XTSA1
仓库库存编号:
BSP171PH6327XTSA1CT-ND
别名:BSP171PH6327XTSA1CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 100V 4.2A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.2A(Ta) 3.1W(Ta) 8-SOIC
型号:
AO4486
仓库库存编号:
785-1552-1-ND
别名:785-1552-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 7.4A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.4A(Tc) 2.5W(Ta),55W(Tc) D-Pak
型号:
FQD9N25TM
仓库库存编号:
FQD9N25TMCT-ND
别名:FQD9N25TMCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 9A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 9A(Ta),28A(Tc) 30W(Tc) D-PAK(TO-252AA)
型号:
FDD8451
仓库库存编号:
FDD8451CT-ND
别名:FDD8451CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 2.6A 2W Surface Mount PG-DSO-8
型号:
BSO615N G
仓库库存编号:
BSO615NGINCT-ND
别名:BSO615NXTINCT
BSO615NXTINCT-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 17A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 17A(Tc) 45W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFZ24NPBF
仓库库存编号:
IRFZ24NPBF-ND
别名:*IRFZ24NPBF
SP001565128
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 17A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 17A(Tc) 45W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU024NPBF
仓库库存编号:
IRFU024NPBF-ND
别名:*IRFU024NPBF
SP001552404
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252 DPK
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.3A(Tc) 104W(Tc) TO-252AA
型号:
SIHD5N50D-GE3
仓库库存编号:
SIHD5N50D-GE3-ND
别名:SIHD5N50D-GE3CT
SIHD5N50D-GE3CT-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 600V 9.7A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 9.7A(Ta) 80W(Tc) DPAK
型号:
TK10P60W,RVQ
仓库库存编号:
TK10P60WRVQCT-ND
别名:TK10P60WRVQCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 17A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 17A(Tc) 80W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB4019PBF
仓库库存编号:
IRFB4019PBF-ND
别名:SP001572370
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 3.6A I-PAK
详细描述:通孔 P 沟道 3.6A(Tc) 2.5W(Ta),42W(Tc) TO-251AA
型号:
IRFU9220PBF
仓库库存编号:
IRFU9220PBF-ND
别名:*IRFU9220PBF
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 490MA 4-DIP
详细描述:通孔 N 沟道 490mA(Ta) 1W(Ta) 4-DIP,Hexdip,HVMDIP
型号:
IRFD320PBF
仓库库存编号:
IRFD320PBF-ND
别名:*IRFD320PBF
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 650V 5A TO-220SIS
详细描述:通孔 N 沟道 6A(Ta) 45W(Tc) TO-220SIS
型号:
TK6A65D(STA4,Q,M)
仓库库存编号:
TK6A65D(STA4QM)-ND
别名:TK6A65D(STA4QM)
TK6A65DSTA4QM
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 12A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Tc) 110W(Tc) TO-220
型号:
STP18N65M2
仓库库存编号:
497-15557-5-ND
别名:497-15557-5
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 3.3A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.3A(Tc) 3.1W(Ta),50W(Tc) D2PAK
型号:
IRF720SPBF
仓库库存编号:
IRF720SPBF-ND
别名:*IRF720SPBF
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
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