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Vishay Siliconix
MOSFET DL N-CH 30V POWERPAIR3X3
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 15.7A (Ta), 100A (Tc) 3.6W, 4.3W Surface Mount 8-Power33 (3x3)
型号:
SIZ342DT-T1-GE3
仓库库存编号:
SIZ342DT-T1-GE3CT-ND
别名:SIZ342DT-T1-GE3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 16A WDFN8
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 16A(Ta),70A(Tc) 3.2W(Ta),63W(Tc) 8-WDFN(3.3x3.3)
型号:
NTTFS5C670NLTAG
仓库库存编号:
NTTFS5C670NLTAGOSCT-ND
别名:NTTFS5C670NLTAGOSCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 8A
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 8A(Tc) 39W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SQS460EN-T1_GE3
仓库库存编号:
SQS460EN-T1_GE3CT-ND
别名:SQS460EN-T1_GE3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) PD
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 9.7A(Tc) 30W(Tc) DPAK
型号:
TK380P60Y,RQ
仓库库存编号:
TK380P60YRQCT-ND
别名:TK380P60YRQCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) PD
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 9.7A(Tc) 80W(Tc) DPAK
型号:
TK380P65Y,RQ
仓库库存编号:
TK380P65YRQCT-ND
别名:TK380P65YRQCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
TRENCH 6 60V FET
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 17A(Ta),71A(Tc) 61W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NVMFS5C670NLWFAFT1G
仓库库存编号:
NVMFS5C670NLWFAFT1GOSCT-ND
别名:NVMFS5C670NLWFAFT1GOSCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 650V 9.3A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 9.3A(Ta) 80W(Tc) DPAK
型号:
TK9P65W,RQ
仓库库存编号:
TK9P65WRQCT-ND
别名:TK9P65WRQCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 3.1A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 400V 3.1A(Tc) 2.5W(Ta),42W(Tc) TO-251AA
型号:
IRFU320PBF
仓库库存编号:
IRFU320PBF-ND
别名:*IRFU320PBF
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET 2N-CH 100V 3.3A 8SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 3.3A 2W Surface Mount 8-SOIC
型号:
AO4886
仓库库存编号:
785-1556-1-ND
别名:785-1556-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel Complementary 30V 5A, 7A 2W Surface Mount 8-SO
型号:
AO4630
仓库库存编号:
800-3745-1-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 8-MLP
详细描述:表面贴装 N 沟道 10.5A(Ta),16A(Tc) 2.3W(Ta),18W(Tc) 8-MLP(3.3x3.3)
型号:
FDMC8882
仓库库存编号:
FDMC8882FSCT-ND
别名:FDMC8882FSCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 4A TSST8
详细描述:表面贴装 P 沟道 4A(Ta) 550mW(Ta) 8-TSST
型号:
RT1E040RPTR
仓库库存编号:
RT1E040RPCT-ND
别名:RT1E040RPTRCT
RT1E040RPTRCT-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 23A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 23A(Tc) 33W(Tc) DPAK
型号:
NVD5807NT4G-VF01
仓库库存编号:
NVD5807NT4G-VF01CT-ND
别名:NVD5807NT4G-VF01CT
NVD5807NT4GOSCT
NVD5807NT4GOSCT-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 60V 12A TO252
详细描述:表面贴装 P 沟道 12A(Tc) 2.5W(Ta),50W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
AOD407
仓库库存编号:
785-1102-1-ND
别名:785-1102-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 15A SO8
详细描述:表面贴装 N 沟道 15A(Tc) 45W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SQJ148EP-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJ148EP-T1_GE3CT-ND
别名:SQJ148EP-T1_GE3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 2.6A SSOT-6
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.6A(Ta) 1.6W(Ta) SuperSOT?-6
型号:
FDC3612
仓库库存编号:
FDC3612CT-ND
别名:FDC3612CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 9A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
FDS8882
仓库库存编号:
FDS8882CT-ND
别名:FDS8882CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET ARRAY 2N-CH 40V SO8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 15A (Tc) 27W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
型号:
SQJ946EP-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJ946EP-T1_GE3CT-ND
别名:SQJ946EP-T1_GE3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 23A SO8
详细描述:表面贴装 N 沟道 23A(Tc) 45W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SQJ476EP-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJ476EP-T1_GE3CT-ND
别名:SQJ476EP-T1_GE3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 400V 6A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 6A(Tc) 73W(Tc) TO-220AB
型号:
FQP6N40C
仓库库存编号:
FQP6N40C-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 27A SO8
详细描述:表面贴装 N 沟道 27A(Tc) 45W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SQJ416EP-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJ416EP-T1_GE3CT-ND
别名:SQJ416EP-T1_GE3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
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Rohm Semiconductor
MOSFET 2N-CH 30V 6A TSMT8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6A 550mW Surface Mount TSMT8
型号:
QS8K13TCR
仓库库存编号:
QS8K13TCRCT-ND
别名:QS8K13TCRCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 150V 6.5A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 6.5A(Ta),23A(Tc) 6.2W(Ta),75W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
AOD2544
仓库库存编号:
785-1660-1-ND
别名:785-1660-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 12A SC70-6
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Tc) 3.5W(Ta),19.2W(Tc) PowerPAK? SC-70-6 单
型号:
SIA432DJ-T1-GE3
仓库库存编号:
SIA432DJ-T1-GE3CT-ND
别名:SIA432DJ-T1-GE3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 7.4A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.4A(Tc) 2.5W(Ta),55W(Tc) D-Pak
型号:
FQD9N25TM_F085
仓库库存编号:
FQD9N25TM_F085CT-ND
别名:FQD9N25TM_F085CT
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