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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N/P-CH 40V 9A/6.5A DPAK
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 40V 9A, 6.5A 1.3W Surface Mount TO-252-5
型号:
FDD8424H_F085A
仓库库存编号:
FDD8424H_F085ACT-ND
别名:FDD8424H_F085ACT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 6A 1212-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 6A(Tc) 3.2W(Ta),19.8W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7308DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7308DN-T1-GE3CT-ND
别名:SI7308DN-T1-GE3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 15A HSMT8
详细描述:表面贴装 N 沟道 15A(Ta) 2W(Ta) 8-HSMT(3.2x3)
型号:
RQ3E150MNTB1
仓库库存编号:
RQ3E150MNTB1CT-ND
别名:RQ3E150MNTB1CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 7.4A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 7.4A(Tc) 2.5W(Ta),55W(Tc) I-Pak
型号:
FQU9N25TU
仓库库存编号:
FQU9N25TU-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 25V 15A POWER56
详细描述:表面贴装 N 沟道 15A(Ta),29A(Tc) 2.5W(Ta),27W(Tc) Power56
型号:
FDMS7580
仓库库存编号:
FDMS7580CT-ND
别名:FDMS7580CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 60V 100A 8SON
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Ta) 3.2W(Ta),116W(Tc) 8-VSON(5x6)
型号:
CSD18563Q5AT
仓库库存编号:
296-37748-1-ND
别名:296-37748-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 60V 8A
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 8A 34W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
型号:
SQJ960EP-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJ960EP-T1_GE3CT-ND
别名:SQJ960EP-T1_GE3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 4.4A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 4.4A 1.1W Surface Mount 8-SO
型号:
SI4936ADY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4936ADY-T1-E3CT-ND
别名:SI4936ADY-T1-E3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 12A
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Tc) 90W(Tc) D2PAK
型号:
STB18N60DM2
仓库库存编号:
497-16339-1-ND
别名:497-16339-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 8A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 8A(Tc) 70W(Tc) DPAK
型号:
STD10NM60ND
仓库库存编号:
497-12239-1-ND
别名:497-12239-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 8A LPTS
详细描述:表面贴装 N 沟道 8A(Tc) 50W(Tc) LPTS
型号:
R6008FNJTL
仓库库存编号:
R6008FNJTLCT-ND
别名:R6008FNJTLCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 2.6A
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.6A(Tj) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4
型号:
BSP318SH6327XTSA1
仓库库存编号:
BSP318SH6327XTSA1CT-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 6A 6TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 6A(Ta) 2W(Ta) P-TSOP6-6
型号:
BSL207SPH6327XTSA1
仓库库存编号:
BSL207SPH6327XTSA1CT-ND
别名:BSL207SPH6327XTSA1CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 11A TO-263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Tc) 63W(Tc) PG-TO263
型号:
IPB65R225C7ATMA1
仓库库存编号:
IPB65R225C7ATMA1CT-ND
别名:IPB65R225C7ATMA1CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 10A 4VSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 10A(Tc) 67W(Tc) PG-VSON-4
型号:
IPL65R230C7AUMA1
仓库库存编号:
IPL65R230C7AUMA1CT-ND
别名:IPL65R230C7AUMA1CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 60V 16A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 7A(Ta),22A(Tc) 2.1W(Ta),23.5W(Tc) TO-220-3F
型号:
AOTF2618L
仓库库存编号:
785-1442-5-ND
别名:785-1442-5
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 14A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 14A(Tc) 29W(Tc) TO-220AB 整包
型号:
IRFIZ24NPBF
仓库库存编号:
IRFIZ24NPBF-ND
别名:*IRFIZ24NPBF
SP001556656
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 12A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Tc) 110W(Tc) I2PAK
型号:
STI18N65M2
仓库库存编号:
497-15550-5-ND
别名:497-15550-5
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 150V 8.7A TO-220FP
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 150V 8.7A 18W Through Hole TO-220-5 Full-Pak
型号:
IRFI4019H-117P
仓库库存编号:
IRFI4019H-117P-ND
别名:IRFI4019H117P
SP001560458
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 600V 9.7A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 9.7A(Ta) 100W(Tc) TO-220
型号:
TK10E60W,S1VX
仓库库存编号:
TK10E60WS1VX-ND
别名:TK10E60W,S1VX(S
TK10E60WS1VX
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 5.3A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 5.3A(Tc) 104W(Tc) TO-220AB
型号:
SIHP5N50D-E3
仓库库存编号:
SIHP5N50D-E3-ND
别名:SIHP5N50D-E3CT
SIHP5N50D-E3CT-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 400V 6A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 6A(Tc) 73W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP6N40CF
仓库库存编号:
FQP6N40CF-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 7A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 7A(Tc) 40W(Tc) TO-220FM
型号:
R6007ENX
仓库库存编号:
R6007ENX-ND
别名:R6007ENXCT
R6007ENXCT-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 12A
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Tc) 25W(Tc) TO-220FP
型号:
STFU18N65M2
仓库库存编号:
497-16306-5-ND
别名:497-16306-5
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 12A
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Tc) 90W(Tc) TO-220
型号:
STP18N60DM2
仓库库存编号:
497-16338-5-ND
别名:497-16338-5
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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