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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 13A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 13A(Tc) 25W(Tc) TO-220FP
型号:
STF18N60DM2
仓库库存编号:
STF18N60DM2-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述:通孔 N 沟道 4A(Tc) 38.7W(Tc) TO-220
型号:
TSM4N80CZ C0G
仓库库存编号:
TSM4N80CZ C0G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述:通孔 N 沟道 4A(Tc) 38.7W(Tc) ITO-220
型号:
TSM4N80CI C0G
仓库库存编号:
TSM4N80CI C0G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 2.6A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 2.6A(Tc) 30W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFI720GPBF
仓库库存编号:
IRFI720GPBF-ND
别名:*IRFI720GPBF
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 30V 5.1A TSOT-26
详细描述:表面贴装 P 沟道 5.1A(Ta) 1.2W(Ta) TSOT-26
型号:
DMP3065LVT-13
仓库库存编号:
DMP3065LVT-13-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 6A CPH6
详细描述:表面贴装 N 沟道 6A(Ta) 1.6W(Ta) 6-CPH
型号:
CPH6442-TL-W
仓库库存编号:
CPH6442-TL-W-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 40V 10A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 10A(Ta),35A(Tc) 2.5W(Ta),50W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
AOD4186
仓库库存编号:
AOD4186-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 40V 5A 8SOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 5A(Ta) 1W(Ta) 8-SOP
型号:
TPC8134,LQ(S
仓库库存编号:
TPC8134LQ(S-ND
别名:TPC8134LQ(S
TPC8134LQS
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 7.6A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.6A(Ta),38A(Tc) 2.9W(Ta),75W(Tc) DPAK-3
型号:
NVD5407NT4G
仓库库存编号:
NVD5407NT4G-ND
别名:STD5407NT4G
STD5407NT4G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N CH 100V 5.5A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.5A(Ta),25A(Tc) 2.5W(Ta),50W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
AOD2916
仓库库存编号:
AOD2916-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 9A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 12A(Ta) 1.5W(Ta),48W(Tj) DPAK
型号:
NVD3055-094T4G-VF01
仓库库存编号:
NVD3055-094T4G-VF01-ND
别名:NVD3055-094T4G
NVD3055-094T4G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 100V 21A 8DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.6A(Ta),21A(Tc) 3.1W(Ta),43W(Tc) 8-DFN(3x3)
型号:
AON7450
仓库库存编号:
785-1236-1-ND
别名:785-1236-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 60V 6A SO8FL
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 6A 3.2W Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
型号:
NVMFD5877NLWFT3G
仓库库存编号:
NVMFD5877NLWFT3G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 17A(Tc) 71W(Tc) DPAK
型号:
NVD6416ANT4G-VF01
仓库库存编号:
NVD6416ANT4G-VF01-ND
别名:NVD6416ANT4G
NVD6416ANT4G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 150V 3A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 3A(Ta),20A(Tc) 2.5W(Ta),100W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
AOD4454
仓库库存编号:
AOD4454-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N CH 100V 5A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 5A(Ta),23A(Tc) 2.1W(Ta),41.5W(Tc) TO-220
型号:
AOT2916L
仓库库存编号:
AOT2916L-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 60V 7A SO8FL
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 7A 3.2W Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
型号:
NVMFD5875NLT3G
仓库库存编号:
NVMFD5875NLT3G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 30V 13A 8SOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 13A(Ta) 1W(Ta) 8-SOP
型号:
TPC8065-H,LQ(S
仓库库存编号:
TPC8065-HLQ(S-ND
别名:TPC8065-HLQ(S
TPC8065HLQS
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 60V 7A SO8FL
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 7A 3.2W Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
型号:
NVMFD5875NLWFT3G
仓库库存编号:
NVMFD5875NLWFT3G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 60V 6A SO8FL
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 6A 3.2W Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
型号:
NVMFD5877NLWFT1G
仓库库存编号:
NVMFD5877NLWFT1G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 5.3A TO251 IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 5.3A(Tc) 104W(Tc) TO-251
型号:
SIHU5N50D-GE3
仓库库存编号:
SIHU5N50D-GE3-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 100V 5A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 5A(Ta),17A(Tc) 2.1W(Ta),23.5W(Tc) TO-220-3F
型号:
AOTF2916L
仓库库存编号:
AOTF2916L-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 60V 7A SO8FL
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 7A 3.2W Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
型号:
NVMFD5875NLT1G
仓库库存编号:
NVMFD5875NLT1G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 630mA(Tc) 2W(Tc) 8-SOP
型号:
ZDS020N60TB
仓库库存编号:
ZDS020N60TB-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 7.4A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.4A(Tc) 2W(Ta),3.5W(Tc) 6-TSOP
型号:
SI3438DV-T1-E3
仓库库存编号:
SI3438DV-T1-E3-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 20nC @ 10V,
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