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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 600V 106A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 106A（Tc） 833W（Tc） T-MAX? [B2]
  
  型号：APT106N60B2C6
  仓库库存编号：APT106N60B2C6-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 308nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 52A（Tc） 1250W（Tc） PLUS264?
  
  型号：IXFB52N90P
  仓库库存编号：IXFB52N90P-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 308nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 2N-CH 1000V 36A SP4
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1000V (1kV) 36A 694W Chassis Mount SP4
  
  型号：APTM100A23STG
  仓库库存编号：APTM100A23STG-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 308nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET 2N-CH 1000V 36A SP4
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1000V (1kV) 36A 694W Chassis Mount SP4
  
  型号：APTM100A23SCTG
  仓库库存编号：APTM100A23SCTG-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 308nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 900V 43A SOT227
  详细描述：底座安装 N 沟道 900V 43A（Tc） 890W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN52N90P
  仓库库存编号：IXFN52N90P-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 308nC @ 10V,
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