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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 40V 50A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 13A（Ta），50A（Tc） 2.3W（Ta），50W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：AOD4184A
  仓库库存编号：785-1221-1-ND
  别名：785-1221-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 8A 6-TSOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Tc） 2W（Ta），4.1W（Tc） 6-TSOP
  
  型号：SI3410DV-T1-GE3
  仓库库存编号：SI3410DV-T1-GE3CT-ND
  别名：SI3410DV-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 20V 8A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 8A 3.1W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI9926CDY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI9926CDY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI9926CDY-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 8A 6-TSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 8A（Tc） 2W（Ta），4.2W（Tc） 6-TSOP
  
  型号：SI3483CDV-T1-GE3
  仓库库存编号：SI3483CDV-T1-GE3CT-ND
  别名：SI3483CDV-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 20A 1212-8 PPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Tc） 3.4W（Ta），31W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SIS414DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SIS414DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SIS414DN-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6.5A 2W Surface Mount 8-SO
  
  型号：IRF7313TRPBF
  仓库库存编号：IRF7313PBFCT-ND
  别名：*IRF7313TRPBF
  IRF7313PBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC110N06NS3GATMA1
  仓库库存编号：BSC110N06NS3GATMA1CT-ND
  别名：BSC110N06NS3 GCT
  BSC110N06NS3 GCT-ND
  BSC110N06NS3GATMA1CT-NDTR-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 2W Surface Mount 8-SO
  
  型号：IRF7319TRPBF
  仓库库存编号：IRF7319PBFCT-ND
  别名：*IRF7319TRPBF
  IRF7319PBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 100V 32A 8-SOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 32A（Tc） 1.6W（Ta），61W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
  
  型号：TPH8R80ANH,L1Q
  仓库库存编号：TPH8R80ANHL1QCT-ND
  别名：TPH8R80ANHL1QCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 16A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Tc） 190W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB23N80K5
  仓库库存编号：497-16298-1-ND
  别名：497-16298-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 20A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 30W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF27N60M2-EP
  仓库库存编号：497-16487-5-ND
  别名：497-16487-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 16A
  详细描述：通孔 N 沟道 16A（Tc） 35W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF23N80K5
  仓库库存编号：497-16305-5-ND
  别名：497-16305-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 16A
  详细描述：通孔 N 沟道 16A（Tc） 190W（Tc） TO-220-3
  
  型号：STP23N80K5
  仓库库存编号：497-16319-5-ND
  别名：497-16319-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 16A
  详细描述：通孔 N 沟道 16A（Tc） 190W（Tc） TO-247
  
  型号：STW23N80K5
  仓库库存编号：497-16331-5-ND
  别名：497-16331-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 20A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 170W（Tc） TO-220
  
  型号：STP27N60M2-EP
  仓库库存编号：497-16489-5-ND
  别名：497-16489-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 20A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 170W（Tc） TO-247-3
  
  型号：STW27N60M2-EP
  仓库库存编号：497-16490-5-ND
  别名：497-16490-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 100A（Tc） 92W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：PSMN2R9-25YLC,115
  仓库库存编号：1727-5301-1-ND
  别名：1727-5301-1
  568-6731-1
  568-6731-1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 5.4A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 5.4A（Tc） 110W（Tc） I-Pak
  
  型号：STU6N65K3
  仓库库存编号：497-13593-5-ND
  别名：497-13593-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 5.4A I2PAKFP
  详细描述：通孔 N 沟道 5.4A（Tc） 30W（Tc） I2PAKFP（TO-281）
  
  型号：STFI6N65K3
  仓库库存编号：497-13599-5-ND
  别名：497-13599-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 13.5A 8-PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 13.5A（Ta），21A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） 8-PQFN（5x6），Power56
  
  型号：FDMS8888
  仓库库存编号：FDMS8888CT-ND
  别名：FDMS8888CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 13.5A POWER56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 13.5A（Ta），21A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） Power56
  
  型号：FDMS8880
  仓库库存编号：FDMS8880CT-ND
  别名：FDMS8880CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 55A D-PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12.6A（Ta），55A（Tc） 55W（Tc） TO-252AA
  
  型号：FDD8882
  仓库库存编号：FDD8882CT-ND
  别名：FDD8882CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET ARRAY N-CH 40V 8.6A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 8.6A (Ta) 1.4W, 2W Surface Mount 8-SO
  
  型号：DMNH4015SSDQ-13
  仓库库存编号：DMNH4015SSDQ-13DICT-ND
  别名：DMNH4015SSDQ-13DICT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 8A 6-TSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 8A（Tc） 2W（Ta），4.2W（Tc）
  
  型号：SI3483CDV-T1-E3
  仓库库存编号：SI3483CDV-T1-E3CT-ND
  别名：SI3483CDV-T1-E3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 150V 18A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Tc） 7.1W（Tc） 8-SO
  
  型号：SQ4080EY-T1_GE3
  仓库库存编号：SQ4080EY-T1_GE3CT-ND
  别名：SQ4080EY-T1_GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 33nC @ 10V,
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