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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 13.5A 8-PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 13.5A(Ta),21A(Tc) 2.5W(Ta),42W(Tc) 8-PQFN(5x6),Power56
型号:
FDMS8888
仓库库存编号:
FDMS8888CT-ND
别名:FDMS8888CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 33nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 13.5A POWER56
详细描述:表面贴装 N 沟道 13.5A(Ta),21A(Tc) 2.5W(Ta),42W(Tc) Power56
型号:
FDMS8880
仓库库存编号:
FDMS8880CT-ND
别名:FDMS8880CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 33nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 55A D-PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 12.6A(Ta),55A(Tc) 55W(Tc) TO-252AA
型号:
FDD8882
仓库库存编号:
FDD8882CT-ND
别名:FDD8882CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 33nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 8A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 8A(Ta),50A(Tc) 3.1W(Ta),132W(Tc) D-PAK(TO-252AA)
型号:
FDD86250
仓库库存编号:
FDD86250CT-ND
别名:FDD86250CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 33nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 4N-CH 60V 8A MLP4.5X5
详细描述:Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 60V 8A 1.9W Surface Mount 12-MLP (5x4.5)
型号:
FDMQ86530L
仓库库存编号:
FDMQ86530LCT-ND
别名:FDMQ86530LCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 33nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 3.5A
详细描述:通孔 N 沟道 3.5A(Tc) 2W(Ta),35W(Tc) TO-220F-3FS
型号:
BFL4026-1E
仓库库存编号:
BFL4026-1E-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 33nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 55A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 12.6A(Ta),55A(Tc) 55W(Tc) TO-251
型号:
FDU8882
仓库库存编号:
FDU8882-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 33nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 32A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 60V 32A(Tc) 58W(Tc) TO-220
型号:
FDP5690
仓库库存编号:
FDP5690-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 33nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 4.8A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 800V 4.8A(Tc) 140W(Tc) TO-220-3
型号:
FQP5N80
仓库库存编号:
FQP5N80-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 33nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 2.8A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 800V 2.8A(Tc) 47W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF5N80
仓库库存编号:
FQPF5N80-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 33nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 4.8A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 800V 4.8A(Tc) 3.13W(Ta),140W(Tc) I2PAK
型号:
FQI5N80TU
仓库库存编号:
FQI5N80TU-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 33nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 4.8A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 4.8A(Tc) 3.13W(Ta),140W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB5N80TM
仓库库存编号:
FQB5N80TM-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 33nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 32A TO-263AB
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 32A(Tc) 58W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FDB5690
仓库库存编号:
FDB5690CT-ND
别名:FDB5690CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 33nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 67A SGL DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 12A(Ta),67A(Tc) 1.4W(Ta),44W(Tc) DPAK
型号:
NTD4905NT4G
仓库库存编号:
NTD4905NT4G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 33nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 67A SGL IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 12A(Ta),67A(Tc) 1.4W(Ta),44W(Tc) I-Pak
型号:
NTD4905N-1G
仓库库存编号:
NTD4905N-1G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 33nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 67A SGL IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 12A(Ta),67A(Tc) 1.4W(Ta),44W(Tc) I-Pak
型号:
NTD4905N-35G
仓库库存编号:
NTD4905N-35G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 33nC @ 10V,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 900V 3.5A TO-220FI
详细描述:通孔 N 沟道 900V 3.5A(Ta) 2W(Ta),35W(Tc) TO-220FI(LS)
型号:
BFL4026
仓库库存编号:
BFL4026-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 33nC @ 10V,
无铅
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