品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 33nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 8A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 8A(Tc) 2W(Ta),4.1W(Tc) 6-TSOP
型号:
SI3410DV-T1-GE3
仓库库存编号:
SI3410DV-T1-GE3CT-ND
别名:SI3410DV-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 33nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 20V 8A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 8A 3.1W Surface Mount 8-SO
型号:
SI9926CDY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI9926CDY-T1-GE3CT-ND
别名:SI9926CDY-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 33nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 8A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 8A(Tc) 2W(Ta),4.2W(Tc) 6-TSOP
型号:
SI3483CDV-T1-GE3
仓库库存编号:
SI3483CDV-T1-GE3CT-ND
别名:SI3483CDV-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 33nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 20A 1212-8 PPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Tc) 3.4W(Ta),31W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SIS414DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SIS414DN-T1-GE3CT-ND
别名:SIS414DN-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 33nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 8A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 8A(Tc) 2W(Ta),4.2W(Tc)
型号:
SI3483CDV-T1-E3
仓库库存编号:
SI3483CDV-T1-E3CT-ND
别名:SI3483CDV-T1-E3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 33nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 150V 18A SOT23-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 18A(Tc) 7.1W(Tc) 8-SO
型号:
SQ4080EY-T1_GE3
仓库库存编号:
SQ4080EY-T1_GE3CT-ND
别名:SQ4080EY-T1_GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 33nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 20V 8A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 8A 3.1W Surface Mount 8-SO
型号:
SI9926CDY-T1-E3
仓库库存编号:
SI9926CDY-T1-E3CT-ND
别名:SI9926CDY-T1-E3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 33nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 6A 1206-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 6A(Tc) 2.5W(Ta),6.3W(Tc) 1206-8 ChipFET?
型号:
SI5432DC-T1-GE3
仓库库存编号:
SI5432DC-T1-GE3CT-ND
别名:SI5432DC-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 33nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 9.7A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 9.7A(Tc) 42W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFI530GPBF
仓库库存编号:
IRFI530GPBF-ND
别名:*IRFI530GPBF
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 33nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 16A(Tc) 2.5W(Ta),5.7W(Tc) 8-SO
型号:
SI4890BDY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4890BDY-T1-GE3TR-ND
别名:SI4890BDY-T1-GE3TR
SI4890BDYT1GE3
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 33nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 16A(Tc) 2.5W(Ta),5.7W(Tc) 8-SO
型号:
SI4890BDY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4890BDY-T1-E3-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 33nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 9.7A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 100V 9.7A(Tc) 42W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFI530G
仓库库存编号:
IRFI530G-ND
别名:*IRFI530G
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 33nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 300V 9.3A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 300V 9.3A(Tc) 96W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB9N30A
仓库库存编号:
IRFB9N30A-ND
别名:*IRFB9N30A
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 33nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 300V 9.3A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 300V 9.3A(Tc) 96W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB9N30APBF
仓库库存编号:
IRFB9N30APBF-ND
别名:*IRFB9N30APBF
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 33nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 12A(Tc) 2.5W(Ta),5W(Tc) 8-SO
型号:
SI4004DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4004DY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4004DY-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 33nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 50A(Tc) 4.8W(Ta),44.6W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR408DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR408DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR408DP-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 33nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 8A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 8A(Tc) 2W(Ta),4.1W(Tc) 6-TSOP
型号:
SI3410DV-T1-E3
仓库库存编号:
SI3410DV-T1-E3-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 33nC @ 10V,
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