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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4.1A（Ta） 750mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：SI2333DS-T1-E3
  仓库库存编号：SI2333DS-T1-E3CT-ND
  别名：SI2333DS-T1-E3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8-TSSOP
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 20V 5.2A 1W Surface Mount 8-TSSOP
  
  型号：SI6968BEDQ-T1-GE3
  仓库库存编号：SI6968BEDQ-T1-GE3CT-ND
  别名：SI6968BEDQ-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 4.5V,
• 无铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Ta） 1.47W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4386DY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4386DY-T1-E3CT-ND
  别名：SI4386DY-T1-E3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 4.5V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 20V 7.4A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.4A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：NDS8425
  仓库库存编号：NDS8425FSCT-ND
  别名：NDS8425FSCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 4.5V,
• 无铅
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 25V 100A 8-SON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 28A（Ta），100A（Tc） 3.1W（Ta） 8-VSON（5x6）
  
  型号：CSD16403Q5A
  仓库库存编号：296-24249-1-ND
  别名：296-24249-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 4.5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 20V 5.2A CHIPFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.2A（Ta） 1.3W（Ta） ChipFET?
  
  型号：NTHS5404T1G
  仓库库存编号：NTHS5404T1GOSCT-ND
  别名：NTHS5404T1GOSCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 4.5V,
• 无铅
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 12V 3A TUMT3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3A（Ta） 800mW（Ta） TUMT3
  
  型号：RZF030P01TL
  仓库库存编号：RZF030P01TLCT-ND
  别名：RZF030P01TLCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 4.5V,
• 无铅
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Ta） 1.47W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4384DY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4384DY-T1-E3CT-ND
  别名：SI4384DY-T1-E3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 4.5V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET P-CH 20V 8A 6DFN
  详细描述：表面贴装 P 沟道 8A（Ta） 2.8W（Ta） 6-DFN-EP（2x2）
  
  型号：AON2405
  仓库库存编号：785-1392-1-ND
  别名：785-1392-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 4.5V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET P-CH 12V 8A DFN2X2B
  详细描述：表面贴装 P 沟道 8A（Ta） 2.8W（Ta） 6-DFN-EP（2x2）
  
  型号：AON2403
  仓库库存编号：785-1490-1-ND
  别名：785-1490-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 4.5V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 20V 7.5A TSMT8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.5A（Ta） 700mW（Ta） TSMT8
  
  型号：RQ1C075UNTR
  仓库库存编号：RQ1C075UNCT-ND
  别名：RQ1C075UNTRCT
  RQ1C075UNTRCT-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 4.5V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET P-CH 8V 8A 6DFN
  详细描述：表面贴装 P 沟道 8A（Ta） 2.8W（Ta） 6-DFN-EP（2x2）
  
  型号：AON2401
  仓库库存编号：785-1423-1-ND
  别名：785-1423-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta） 1.8W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7386DP-T1-E3
  仓库库存编号：SI7386DP-T1-E3CT-ND
  别名：SI7386DP-T1-E3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta） 1.8W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7386DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7386DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7386DP-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 4.5V,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 25V 100A 8-SON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 31A（Ta），100A（Tc） 3.1W（Ta） 8-VSON（5x6）
  
  型号：CSD16407Q5
  仓库库存编号：296-24252-1-ND
  别名：296-24252-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 4.5V,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 25V 100A 8SON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 31A（Ta），100A（Tc） 3.1W（Ta） 8-VSON-CLIP（5x6）
  
  型号：CSD16407Q5C
  仓库库存编号：296-25664-1-ND
  别名：296-25664-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8TSSOP
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 20V 5.2A 1W Surface Mount 8-TSSOP
  
  型号：SI6968BEDQ-T1-E3
  仓库库存编号：SI6968BEDQ-T1-E3CT-ND
  别名：SI6968BEDQ-T1-E3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 4.5V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET P-CH 12V 9A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 9A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SOIC
  
  型号：AO4453
  仓库库存编号：AO4453-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 4.5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 12V 9.5A ECH8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 9.5A（Ta） 1.5W（Ta） 8-ECH
  
  型号：ECH8309-TL-H
  仓库库存编号：ECH8309-TL-H-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4.1A（Ta） 750mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：SI2333DS-T1-GE3
  仓库库存编号：SI2333DS-T1-GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Ta） 1.47W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4386DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4386DY-T1-GE3TR-ND
  别名：SI4386DY-T1-GE3TR
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 4.3A 1212-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4.3A（Ta） 1.3W（Ta） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7703EDN-T1-E3
  仓库库存编号：SI7703EDN-T1-E3TR-ND
  别名：SI7703EDN-T1-E3TR
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 10A（Ta） 1.47W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4384DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4384DY-T1-GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 11A（Ta） 1.8W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7384DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7384DP-T1-GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Ta） 1.8W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7384DP-T1-E3
  仓库库存编号：SI7384DP-T1-E3TR-ND
  别名：SI7384DP-T1-E3TR
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 4.5V,
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