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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 11A（Ta） 1.6W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4860DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4860DY-T1-GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 11A（Ta） 1.8W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7860ADP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7860ADP-T1-GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 11A（Ta） 1.8W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7860DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7860DP-T1-GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2P-CH 20V 4.3A 1212-8
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 4.3A 1.3W Surface Mount PowerPAK? 1212-8 Dual
  
  型号：SI7901EDN-T1-E3
  仓库库存编号：SI7901EDN-T1-E3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2P-CH 20V 4.3A 1212-8
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 4.3A 1.3W Surface Mount PowerPAK? 1212-8 Dual
  
  型号：SI7901EDN-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7901EDN-T1-GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 4.5A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 4.5A（Ta） 1.3W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI9434BDY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI9434BDY-T1-GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 4.5V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 20V 8A 6LDFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 8A（Ta） 2.8W（Ta） 6-DFN-EP（2x2）
  
  型号：AON2406
  仓库库存编号：785-1491-1-ND
  别名：785-1491-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 11A（Ta） 1.8W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7860DP-T1-E3
  仓库库存编号：SI7860DP-T1-E3CT-ND
  别名：SI7860DP-T1-E3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 11A（Ta） 1.6W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4860DY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4860DY-T1-E3CT-ND
  别名：SI4860DY-T1-E3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 4.5V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET P-CH 6TSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 7A（Ta） 2.7W（Ta） 6-TSOP
  
  型号：AO6411
  仓库库存编号：AO6411-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8-TSSOP
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 4.3A 1W Surface Mount 8-TSSOP
  
  型号：IRF7756
  仓库库存编号：IRF7756-ND
  别名：*IRF7756
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8-TSSOP
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 4.3A 1W Surface Mount 8-TSSOP
  
  型号：IRF7756TR
  仓库库存编号：IRF7756TR-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 20V 11A DIRECTFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 11A（Ta），48A（Tc） 2.3W（Ta），42W（Tc） DIRECTFET? MQ
  
  型号：IRF6602
  仓库库存编号：IRF6602CT-ND
  别名：IRF6602CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 13A（Ta），57A（Tc） 2.2W（Ta），42W（Tc） DIRECTFET? SQ
  
  型号：IRF6631TR1PBF
  仓库库存编号：IRF6631TR1PBFCT-ND
  别名：IRF6631TR1PBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 17A DIRECTFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 17A（Ta），68A（Tc） 2.2W（Ta），36W（Tc） DIRECTFET? SQ
  
  型号：IRF6712STR1PBF
  仓库库存编号：IRF6712STR1PBFCT-ND
  别名：IRF6712STR1PBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8TSSOP
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 4.3A 1W Surface Mount 8-TSSOP
  
  型号：IRF7756GTRPBF
  仓库库存编号：IRF7756GTRPBFCT-ND
  别名：IRF7756GTRPBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 4.5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8TSSOP
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 4.3A 1W Surface Mount 8-TSSOP
  
  型号：IRF7756TRPBF
  仓库库存编号：IRF7756TRPBFCT-ND
  别名：IRF7756TRPBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18nC @ 4.5V,
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