规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7nC @ 10V,
专业代理销售st（意法）全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索：
热门搜索词：
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(73)
分立半导体产品
(73)
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc. (7)
Diodes Incorporated (6)
Infineon Technologies (5)
IXYS (6)
Nexperia USA Inc. (1)
Fairchild/ON Semiconductor (14)
ON Semiconductor (8)
Rohm Semiconductor (1)
STMicroelectronics (3)
Toshiba Semiconductor and Storage (11)
Vishay Siliconix (11)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词：
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.9A（Ta） 700mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
型号：
SI2316DS-T1-E3
仓库库存编号：
SI2316DS-T1-E3CT-ND
别名：SI2316DS-T1-E3CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7nC @ 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8
详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 4A, 3.7A 3.12W, 3.1W Surface Mount 1206-8 ChipFET?
型号：
SI5504BDC-T1-E3
仓库库存编号：
SI5504BDC-T1-E3CT-ND
别名：SI5504BDC-T1-E3CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7nC @ 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 4A 3.12W Surface Mount 1206-8 ChipFET?
型号：
SI5902BDC-T1-GE3
仓库库存编号：
SI5902BDC-T1-GE3CT-ND
别名：SI5902BDC-T1-GE3CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7nC @ 10V,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 60V 2.5A TSM
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.5A（Ta） 1W（Ta） SOT-23F
型号：
SSM3K318R,LF
仓库库存编号：
SSM3K318RLFCT-ND
别名：SSM3K318RLFCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7nC @ 10V,
无铅
搜索
Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 100V 1.9A SOT23
详细描述：表面贴装 N 沟道 1.9A（Tc） 280mW（Tj） TO-236AB（SOT23）
型号：
PMV213SN,215
仓库库存编号：
1727-6294-1-ND
别名：1727-6294-1
568-8112-1
568-8112-1-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7nC @ 10V,
无铅
搜索
ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 30V 2.2A CHIPFET
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 2.2A 640mW Surface Mount ChipFET?
型号：
NTHD4502NT1G
仓库库存编号：
NTHD4502NT1GOSCT-ND
别名：NTHD4502NT1GOSCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7nC @ 10V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 4.8A 8-PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 4.8A（Ta），16.5A（Tc） 2.5W（Ta），31W（Tc） 8-PQFN（5x6），Power56
型号：
FDMS8622
仓库库存编号：
FDMS8622CT-ND
别名：FDMS8622CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7nC @ 10V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 3.2A SOT-223-4
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.2A（Ta） 2.2W（Ta） SOT-223-4
型号：
FDT86106LZ
仓库库存编号：
FDT86106LZCT-ND
别名：FDT86106LZCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 360MA SC-59-3
详细描述：表面贴装 P 沟道 360mA（Ta） 500mW（Tc） PG-SC-59
型号：
BSR316PH6327XTSA1
仓库库存编号：
BSR316PH6327XTSA1CT-ND
别名：BSR316PH6327XTSA1CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7nC @ 10V,
无铅
搜索
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 450V 1.5A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 1.5A（Tc） 30W（Tc） I-Pak
型号：
STD2NC45-1
仓库库存编号：
497-12554-5-ND
别名：497-12554-5
STD2NC45-1-ND
STD2NC451
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7nC @ 10V,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET 2P-CH 30V 8-MSOP
详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 1.04W Surface Mount 8-MSOP
型号：
ZXMD63P03XTA
仓库库存编号：
ZXMD63P03XCT-ND
别名：ZXMD63P03X
ZXMD63P03XCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7nC @ 10V,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET N-CHA 30V 8.4A DFN2020
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 8.4A（Ta） 700mW（Ta）, 1.8W（Tc） U-DFN2020-6（B 类）
型号：
DMT3020LFDF-7
仓库库存编号：
DMT3020LFDF-7DICT-ND
别名：DMT3020LFDF-7DICT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7nC @ 10V,
无铅
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET 2N-CHA 30V 7.7A DFN2020
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 7.7A 700mW Surface Mount U-DFN2020-6 (Type B)
型号：
DMT3020LFDB-7
仓库库存编号：
DMT3020LFDB-7DICT-ND
别名：DMT3020LFDB-7DICT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7nC @ 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8
详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 4A, 3.7A 3.12W, 3.1W Surface Mount 1206-8 ChipFET?
型号：
SI5504BDC-T1-GE3
仓库库存编号：
SI5504BDC-T1-GE3CT-ND
别名：SI5504BDC-T1-GE3CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7nC @ 10V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 4.3A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 4.3A（Tc） 2.5W（Ta），30W（Tc） D-Pak
型号：
FQD5N15TM
仓库库存编号：
FQD5N15TMCT-ND
别名：FQD5N15TMCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7nC @ 10V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 2.8A SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.8A（Tc） 2.2W（Ta） SOT-223-4
型号：
FDT86244
仓库库存编号：
FDT86244CT-ND
别名：FDT86244CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7nC @ 10V,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 150V 9A 8TSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Ta） 700mW（Ta），39W（Tc） 8-TSON Advance（3.3x3.3）
型号：
TPN5900CNH,L1Q
仓库库存编号：
TPN5900CNHL1QCT-ND
别名：TPN5900CNHL1QCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7nC @ 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 4A (Tc) 3.12W Surface Mount
型号：
SI5902BDC-T1-E3
仓库库存编号：
SI5902BDC-T1-E3CT-ND
别名：SI5902BDC-T1-E3CT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7nC @ 10V,
无铅
搜索
Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 250V 5.6A 8TSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 5.6A（Ta） 700mW（Ta），39W（Tc） 8-TSON Advance（3.3x3.3）
型号：
TPN2010FNH,L1Q
仓库库存编号：
TPN2010FNHL1QCT-ND
别名：TPN2010FNHL1QCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7nC @ 10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 13A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 13A（Tc） 38W（Tc） PG-TSDSON-8
型号：
BSZ900N15NS3 G
仓库库存编号：
BSZ900N15NS3 GCT-ND
别名：BSZ900N15NS3 GCT
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7nC @ 10V,
无铅
搜索
Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 300V 3.2A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 3.2A（Tc） 55W（Tc） TO-220AB
型号：
FQP3N30
仓库库存编号：
FQP3N30-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7nC @ 10V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 80V 3.5A TO220
详细描述：通孔 N 沟道 3.5A（Tc） 35W（Tc） TO-220
型号：
IXFP4N85XM
仓库库存编号：
IXFP4N85XM-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7nC @ 10V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 850V 3.5A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 3.5A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB（IXFP）
型号：
IXFP4N85X
仓库库存编号：
IXFP4N85X-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7nC @ 10V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 850V 3.5A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.5A（Tc） 150W（Tc） TO-263（IXFA）
型号：
IXFA4N85X
仓库库存编号：
IXFA4N85X-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7nC @ 10V,
无铅
搜索
IXYS
MOSFET N-CH 850V 3.5A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.5A（Tc） 150W（Tc） TO-252（IXFY）
型号：
IXFY4N85X
仓库库存编号：
IXFY4N85X-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7nC @ 10V,
无铅
搜索
1
2
3
邮箱：
sales@szcwdz.com
Q Q：
800152669
手机网站：
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st（意法）简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持：
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号
