品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 7nC @ 10V,
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
产品分类
(11)
分立半导体产品
(11)
筛选品牌
Vishay Siliconix (11)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.9A(Ta) 700mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SI2316DS-T1-E3
仓库库存编号:
SI2316DS-T1-E3CT-ND
别名:SI2316DS-T1-E3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 7nC @ 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 30V 4A, 3.7A 3.12W, 3.1W Surface Mount 1206-8 ChipFET?
型号:
SI5504BDC-T1-E3
仓库库存编号:
SI5504BDC-T1-E3CT-ND
别名:SI5504BDC-T1-E3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 7nC @ 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 4A 3.12W Surface Mount 1206-8 ChipFET?
型号:
SI5902BDC-T1-GE3
仓库库存编号:
SI5902BDC-T1-GE3CT-ND
别名:SI5902BDC-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 7nC @ 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 30V 4A, 3.7A 3.12W, 3.1W Surface Mount 1206-8 ChipFET?
型号:
SI5504BDC-T1-GE3
仓库库存编号:
SI5504BDC-T1-GE3CT-ND
别名:SI5504BDC-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 7nC @ 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 4A (Tc) 3.12W Surface Mount
型号:
SI5902BDC-T1-E3
仓库库存编号:
SI5902BDC-T1-E3CT-ND
别名:SI5902BDC-T1-E3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 7nC @ 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V POWERPAK SO-8L
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 11.3A (Tc) 27W (Tc) Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
型号:
SQJB70EP-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJB70EP-T1_GE3CT-ND
别名:SQJB70EP-T1_GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 7nC @ 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.9A(Ta) 700mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SI2316DS-T1-GE3
仓库库存编号:
SI2316DS-T1-GE3-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 7nC @ 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 800MA 4-DIP
详细描述:通孔 N 沟道 60V 800mA(Tc) 1W(Tc) 4-HVMDIP
型号:
IRFD113PBF
仓库库存编号:
IRFD113PBF-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 7nC @ 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N/P-CH 40V 2.5A 6-TSOP
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 40V 2.5A, 1.95A 1.4W Surface Mount 6-TSOP
型号:
SI3529DV-T1-E3
仓库库存编号:
SI3529DV-T1-E3-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 7nC @ 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N/P-CH 40V 2.5A 6-TSOP
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 40V 2.5A, 1.95A 1.4W Surface Mount 6-TSOP
型号:
SI3529DV-T1-GE3
仓库库存编号:
SI3529DV-T1-GE3-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 7nC @ 10V,
无铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 800MA 4-DIP
详细描述:通孔 N 沟道 60V 800mA(Tc) 1W(Tc) 4-HVMDIP
型号:
IRFD113
仓库库存编号:
IRFD113-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 7nC @ 10V,
含铅
搜索
1
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号