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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 1.5A SOT23
详细描述：表面贴装 N 沟道 1.5A（Ta） 420mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
型号：
NVTR4503NT1G
仓库库存编号：
NVTR4503NT1GOSCT-ND
别名：NVTR4503NT1GOSCT
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无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 1.5A SOT-23
详细描述：表面贴装 N 沟道 1.5A（Ta） 420mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
型号：
NTR4503NT1G
仓库库存编号：
NTR4503NT1GOSCT-ND
别名：NTR4503NT1GOSCT
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 150V 9A 8SOP
详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Ta） 1.6W（Ta），42W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
型号：
TPH5900CNH,L1Q
仓库库存编号：
TPH5900CNHL1QCT-ND
别名：TPH5900CNHL1QCT
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 450V 0.5A TO-92
详细描述：通孔 N 沟道 500mA（Tc） 3.1W（Tc） TO-92-3
型号：
STQ1NC45R-AP
仓库库存编号：
STQ1NC45R-AP-ND
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V POWERPAK SO-8L
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 11.3A (Tc) 27W (Tc) Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
型号：
SQJB70EP-T1_GE3
仓库库存编号：
SQJB70EP-T1_GE3CT-ND
别名：SQJB70EP-T1_GE3CT
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 30V 2.8A SOT23
详细描述：表面贴装 P 沟道 2.8A（Ta） 950mW（Ta） SOT-23
型号：
ZXMP3F30FHTA
仓库库存编号：
ZXMP3F30FHTADITR-ND
别名：ZXMP3F30FHTADI
ZXMP3F30FHTADI-ND
ZXMP3F30FHTADITR
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 25V 30V U-DFN1616-
详细描述：表面贴装 N 沟道 7.6A（Ta） 1.7W（Ta） U-DFN1616-6
型号：
DMT3020LFCL-7
仓库库存编号：
DMT3020LFCL-7-ND
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 2A MCPH3
详细描述：表面贴装 N 沟道 2A（Ta） 1W（Ta） SC-70FL/MCPH3
型号：
MCH3486-TL-W
仓库库存编号：
MCH3486-TL-W-ND
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Diodes Incorporated
MOSFET 2N-CHA 30V 7.7A DFN2020
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 7.7A (Ta) 700mW Surface Mount U-DFN2020-6 (Type B)
型号：
DMT3020LFDB-13
仓库库存编号：
DMT3020LFDB-13-ND
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.9A（Ta） 700mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
型号：
SI2316DS-T1-GE3
仓库库存编号：
SI2316DS-T1-GE3-ND
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 2A PW-MOLD
详细描述：表面贴装 N 沟道 2A（Ta） 60W（Tc） PW-MOLD
型号：
TK2P60D(TE16L1,NQ)
仓库库存编号：
TK2P60D(TE16L1NQ)-ND
别名：TK2P60D(TE16L1NQ)
TK2P60DTE16L1NQ
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 500V 3A DPAK-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 3A（Ta） 60W（Tc） DPAK
型号：
TK3P50D,RQ(S
仓库库存编号：
TK3P50DRQ(S-ND
别名：TK3P50DRQ(S
TK3P50DRQS
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V CPT
详细描述：表面贴装 N 沟道 2A（Tc） 20W（Tc） CPT3
型号：
RDD022N60TL
仓库库存编号：
RDD022N60TL-ND
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 250V 5.6A 8SOP
详细描述：表面贴装 N 沟道 5.6A（Ta） 1.6W（Ta），42W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
型号：
TPH2010FNH,L1Q
仓库库存编号：
TPH2010FNHL1QCT-ND
别名：TPH2010FNHL1QCT
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 200V 7.2A 8TSON
详细描述：表面贴装 N 沟道 7.2A（Ta） 700mW（Ta），39W（Tc） 8-TSON Advance（3.3x3.3）
型号：
TPN1110ENH,L1Q
仓库库存编号：
TPN1110ENHL1QCT-ND
别名：TPN1110ENHL1QCT
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 200V 7.2A 8SOP
详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 7.2A（Ta） 1.6W（Ta），42W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）
型号：
TPH1110ENH,L1Q
仓库库存编号：
TPH1110ENHL1QCT-ND
别名：TPH1110ENHL1QCT
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N-CH 600V 2A PW-MOLD
详细描述：通孔 N 沟道 600V 2A（Ta） 60W（Tc） PW-MOLD2
型号：
TK2Q60D(Q)
仓库库存编号：
TK2Q60D(Q)-ND
别名：TK2Q60DQ
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 800MA 4-DIP
详细描述：通孔 N 沟道 60V 800mA（Tc） 1W（Tc） 4-HVMDIP
型号：
IRFD113PBF
仓库库存编号：
IRFD113PBF-ND
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 2A D-PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 2A（Tc） 55W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
IXTY2N60P
仓库库存编号：
IXTY2N60P-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7nC @ 10V,
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 2A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 2A（Tc） 55W（Tc） TO-220AB
型号：
IXTP2N60P
仓库库存编号：
IXTP2N60P-ND
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 8TDSON
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 16A 29W Surface Mount PG-TDSON-8-4
型号：
IPG16N10S461ATMA1
仓库库存编号：
IPG16N10S461ATMA1-ND
别名：SP000892972
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 8TDSON
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 16A 29W Surface Mount PG-TDSON-8-10
型号：
IPG16N10S461AATMA1
仓库库存编号：
IPG16N10S461AATMA1-ND
别名：SP001091952
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STMicroelectronics
MOSFET P-CH 60V 2A SOT23-6
详细描述：表面贴装 P 沟道 60V 2A（Tc） 1.6W（Tc） SOT-23-6
型号：
STT2PF60L
仓库库存编号：
497-8045-1-ND
别名：497-8045-1
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 4.2A TO-220F
详细描述：通孔 N 沟道 150V 4.2A（Tc） 32W（Tc） TO-220F
型号：
FQPF5N15
仓库库存编号：
FQPF5N15-ND
规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7nC @ 10V,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 4.3A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 4.3A（Tc） 2.5W（Ta），30W（Tc） D-Pak
型号：
FQD5N15TF
仓库库存编号：
FQD5N15TF-ND
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