以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 300V 2.4A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 300V 2.4A（Tc） 2.5W（Ta），30W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD3N30TF
  仓库库存编号：FQD3N30TF-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 300V 2.4A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 300V 2.4A（Tc） 2.5W（Ta），30W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD3N30TM
  仓库库存编号：FQD3N30TM-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 5.4A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 150V 5.4A（Tc） 3.75W（Ta），54W（Tc） I2PAK
  
  型号：FQI5N15TU
  仓库库存编号：FQI5N15TU-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 5.4A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 5.4A（Tc） 3.75W（Ta），54W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB5N15TM
  仓库库存编号：FQB5N15TM-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 300V 1.95A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 300V 1.95A（Tc） 20W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF3N30
  仓库库存编号：FQPF3N30-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 300V 3.2A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 300V 3.2A（Tc） 3.13W（Ta），55W（Tc） I2PAK
  
  型号：FQI3N30TU
  仓库库存编号：FQI3N30TU-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 300V 3.2A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 300V 3.2A（Tc） 3.13W（Ta），55W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB3N30TM
  仓库库存编号：FQB3N30TM-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 30V 2.2A CHIPFET
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 2.2A 640mW Surface Mount ChipFET?
  
  型号：NTHD4502NT1
  仓库库存编号：NTHD4502NT1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7nC @ 10V,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 1.5A SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 1.5A（Ta） 420mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：NTR4503NT1
  仓库库存编号：NTR4503NT1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7nC @ 10V,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 1.5A SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 1.5A（Ta） 420mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：NTR4503NT3
  仓库库存编号：NTR4503NT3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7nC @ 10V,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N/P-CH 60V 8DIP
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 60V 2.5W Through Hole 8-PDIP
  
  型号：AOP609
  仓库库存编号：785-1142-5-ND
  别名：785-1142-1
  785-1142-1-ND
  785-1142-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N/P-CH 60V 8DIP
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 60V 2.5W Through Hole 8-PDIP
  
  型号：AOP609
  仓库库存编号：785-1142-2-ND
  别名：785-1142-2
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N/P-CH 40V 2.5A 6-TSOP
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 40V 2.5A, 1.95A 1.4W Surface Mount 6-TSOP
  
  型号：SI3529DV-T1-E3
  仓库库存编号：SI3529DV-T1-E3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N/P-CH 40V 2.5A 6-TSOP
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 40V 2.5A, 1.95A 1.4W Surface Mount 6-TSOP
  
  型号：SI3529DV-T1-GE3
  仓库库存编号：SI3529DV-T1-GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET P-CH 30V 4A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 4A（Ta） 2W（Ta） 8-SOIC
  
  型号：AO4771
  仓库库存编号：AO4771-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET 2N-CH 75V 2.3A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 75V 2.3A 1.1W Surface Mount 8-SOIC
  
  型号：AO4850
  仓库库存编号：AO4850-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 6TSOP
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 2.3A 1.15W Surface Mount 6-TSOP
  
  型号：AO6801A
  仓库库存编号：AO6801A-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 60V 2.5A TSM
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 2.5A（Ta） 700mW（Ta） TSM
  
  型号：SSM3K318T,LF
  仓库库存编号：SSM3K318TLFCT-ND
  别名：SSM3K318TLFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 800MA 4-DIP
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 800mA（Tc） 1W（Tc） 4-HVMDIP
  
  型号：IRFD113
  仓库库存编号：IRFD113-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7nC @ 10V,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 2A MCPH3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 2A（Ta） 1W（Ta） SC-70FL/MCPH3
  
  型号：MCH3486-TL-H
  仓库库存编号：MCH3486-TL-H-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET 2N-CH 75V 2.3A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 75V 2.3A 1.1W Surface Mount 8-SO
  
  型号：AO4850L
  仓库库存编号：AO4850L-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET P-CH W/DIODE 8SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 4A（Ta） 2W（Ta） 8-SOIC
  
  型号：AO4771L
  仓库库存编号：AO4771L-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 100V 0.36A SC-59
  详细描述：表面贴装 P 沟道 100V 360mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SC-59
  
  型号：BSR316PL6327HTSA1
  仓库库存编号：BSR316PL6327HTSA1TR-ND
  别名：BSR316P L6327
  BSR316P L6327-ND
  SP000265407
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 7nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索