品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 8A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 8A(Tc) 3.1W(Ta),125W(Tc) I2PAK
型号:
IRF840ALPBF
仓库库存编号:
IRF840ALPBF-ND
别名:*IRF840ALPBF
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.7A(Tc) 3.1W(Ta),54W(Tc) D2PAK
型号:
IRFBF20STRLPBF
仓库库存编号:
IRFBF20STRLPBFCT-ND
别名:IRFBF20STRLPBFCT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 8A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 8A(Tc) 125W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF840APBF
仓库库存编号:
IRF840APBF-ND
别名:*IRF840APBF
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 8A(Tc) 3.1W(Ta),125W(Tc) D2PAK
型号:
IRF840ASTRLPBF
仓库库存编号:
IRF840ASTRLPBFCT-ND
别名:IRF840ASTRLPBFCT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 900V 1.2A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 1.2A(Tc) 30W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFIBF20GPBF
仓库库存编号:
IRFIBF20GPBF-ND
别名:*IRFIBF20GPBF
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 125V 60A SO8
详细描述:表面贴装 N 沟道 60A(Tc) 104W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR696DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR696DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR696DP-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 35.4A SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 35.4A(Tc) 104W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR610DP-T1-RE3
仓库库存编号:
SIR610DP-T1-RE3CT-ND
别名:SIR610DP-T1-RE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述:表面贴装 P 沟道 16A(Tc) 53W(Tc) PowerPAK? 1212-8
型号:
SQ7415AENW-T1_GE3
仓库库存编号:
SQ7415AENW-T1_GE3-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 8.9A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 8.9A(Ta) 1.4W(Ta) 8-SO
型号:
SI4894BDY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4894BDY-T1-E3TR-ND
别名:SI4894BDY-T1-E3TR
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 30A(Tc) 46W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SQJ840EP-T1_GE3
仓库库存编号:
SQJ840EP-T1_GE3-ND
别名:SQJ840EP-T1-GE3
SQJ840EP-T1-GE3-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 45A POLARPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 45A(Tc) 5.2W(Ta),25W(Tc) 10-PolarPAK?(U)
型号:
SIE864DF-T1-GE3
仓库库存编号:
SIE864DF-T1-GE3CT-ND
别名:SIE864DF-T1-GE3CT
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 4.5A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 4.5A(Tc) 3.1W(Ta),74W(Tc) TO-262-3
型号:
IRF830LPBF
仓库库存编号:
IRF830LPBF-ND
别名:*IRF830LPBF
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.5A(Tc) 3.1W(Ta),74W(Tc) D2PAK
型号:
IRF730STRLPBF
仓库库存编号:
IRF730STRLPBF-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.5A(Tc) 3.1W(Ta),74W(Tc) D2PAK
型号:
IRF730STRRPBF
仓库库存编号:
IRF730STRRPBF-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 3.1A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 3.1A(Tc) 35W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFI830G
仓库库存编号:
IRFI830G-ND
别名:*IRFI830G
Q932707
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 5.5A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 400V 5.5A(Tc) 74W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF730
仓库库存编号:
IRF730IR-ND
别名:*IRF730
IRF730IR
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 4.5A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 500V 4.5A(Tc) 74W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF830
仓库库存编号:
IRF830IR-ND
别名:*IRF830
IRF830IR
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 12A TO-220AB
详细描述:通孔 P 沟道 100V 12A(Tc) 88W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF9530
仓库库存编号:
IRF9530-ND
别名:*IRF9530
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 1.8A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 800V 1.8A(Tc) 54W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFBE20
仓库库存编号:
IRFBE20-ND
别名:*IRFBE20
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 900V 1.7A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 900V 1.7A(Tc) 54W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFBF20
仓库库存编号:
IRFBF20-ND
别名:*IRFBF20
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 1.4A(Tc) 54W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFBG20
仓库库存编号:
IRFBG20-ND
别名:*IRFBG20
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 400V 5.5A(Tc) 3.1W(Ta),74W(Tc) D2PAK
型号:
IRF730S
仓库库存编号:
IRF730S-ND
别名:*IRF730S
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
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MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 4.5A(Tc) 3.1W(Ta),74W(Tc) D2PAK
型号:
IRF830S
仓库库存编号:
IRF830S-ND
别名:*IRF830S
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 8A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 500V 8A(Tc) 125W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF840A
仓库库存编号:
IRF840A-ND
别名:*IRF840A
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 8A(Tc) 3.1W(Ta),125W(Tc) D2PAK
型号:
IRF840AS
仓库库存编号:
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别名:*IRF840AS
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
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