品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 12A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 12A(Tc) 3.7W(Ta),88W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9530S
仓库库存编号:
IRF9530S-ND
别名:*IRF9530S
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 12A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 12A(Tc) 3.7W(Ta),88W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9530STRL
仓库库存编号:
IRF9530STRL-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 900V 1.7A(Tc) 3.1W(Ta),54W(Tc) D2PAK
型号:
IRFBF20S
仓库库存编号:
IRFBF20S-ND
别名:*IRFBF20S
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 3.7A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 400V 3.7A(Tc) 35W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFI730G
仓库库存编号:
IRFI730G-ND
别名:*IRFI730G
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 7.7A TO220FP
详细描述:通孔 P 沟道 100V 7.7A(Tc) 42W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFI9530G
仓库库存编号:
IRFI9530G-ND
别名:*IRFI9530G
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 1.4A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 800V 1.4A(Tc) 30W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFIBE20G
仓库库存编号:
IRFIBE20G-ND
别名:*IRFIBE20G
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 900V 1.2A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 900V 1.2A(Tc) 30W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFIBF20G
仓库库存编号:
IRFIBF20G-ND
别名:*IRFIBF20G
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 900V 1.7A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 900V 1.7A(Tc) 3.1W(Ta),54W(Tc) I2PAK
型号:
IRFBF20L
仓库库存编号:
IRFBF20L-ND
别名:*IRFBF20L
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 250V 4.1A TO220FP
详细描述:通孔 P 沟道 250V 4.1A(Tc) 35W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFI9634G
仓库库存编号:
IRFI9634G-ND
别名:*IRFI9634G
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 400V 5.5A(Tc) 3.1W(Ta),74W(Tc) D2PAK
型号:
IRF730STRL
仓库库存编号:
IRF730STRL-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 400V 5.5A(Tc) 3.1W(Ta),74W(Tc) D2PAK
型号:
IRF730STRR
仓库库存编号:
IRF730STRR-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 4.5A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 500V 4.5A(Tc) 3.1W(Ta),74W(Tc) I2PAK
型号:
IRF830L
仓库库存编号:
IRF830L-ND
别名:*IRF830L
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 4.5A(Tc) 3.1W(Ta),74W(Tc) D2PAK
型号:
IRF830STRL
仓库库存编号:
IRF830STRL-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
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MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 4.5A(Tc) 3.1W(Ta),74W(Tc) D2PAK
型号:
IRF830STRR
仓库库存编号:
IRF830STRR-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 8A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 500V 8A(Tc) 3.1W(Ta),125W(Tc) I2PAK
型号:
IRF840AL
仓库库存编号:
IRF840AL-ND
别名:*IRF840AL
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 8A(Tc) 3.1W(Ta),125W(Tc) D2PAK
型号:
IRF840ASTRL
仓库库存编号:
IRF840ASTRL-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 8A(Tc) 3.1W(Ta),125W(Tc) D2PAK
型号:
IRF840ASTRR
仓库库存编号:
IRF840ASTRR-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 12A TO-262
详细描述:通孔 P 沟道 100V 12A(Tc) I2PAK
型号:
IRF9530L
仓库库存编号:
IRF9530L-ND
别名:*IRF9530L
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 12A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 12A(Tc) 3.7W(Ta),88W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9530STRR
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品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 1.8A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 800V 1.8A(Tc) I2PAK
型号:
IRFBE20L
仓库库存编号:
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别名:*IRFBE20L
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 1.8A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 1.8A(Tc) D2PAK
型号:
IRFBE20S
仓库库存编号:
IRFBE20S-ND
别名:*IRFBE20S
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 800V 1.8A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 1.8A(Tc) D2PAK
型号:
IRFBE20STRL
仓库库存编号:
IRFBE20STRL-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
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MOSFET N-CH 800V 1.8A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 1.8A(Tc) D2PAK
型号:
IRFBE20STRR
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品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 900V 1.7A(Tc) 3.1W(Ta),54W(Tc) D2PAK
型号:
IRFBF20STRL
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IRFBF20STRL-ND
品牌:Vishay Siliconix,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 38nC @ 10V,
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详细描述:表面贴装 N 沟道 900V 1.7A(Tc) 3.1W(Ta),54W(Tc) D2PAK
型号:
IRFBF20STRR
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