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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 30V 26A 8DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 26A（Ta），32A（Tc） 3.1W（Ta），62.5W（Tc） 8-DFN（3x3）
  
  型号：AON7508
  仓库库存编号：785-1504-1-ND
  别名：785-1504-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 8.8A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：FDS4435BZ
  仓库库存编号：FDS4435BZCT-ND
  别名：FDS4435BZCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2P-CH 30V 6.9A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 6.9A 900mW Surface Mount 8-SO
  
  型号：FDS4935BZ
  仓库库存编号：FDS4935BZCT-ND
  别名：FDS4935BZCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 19A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 19A（Tc） 71W（Tc） DPAK
  
  型号：NTD6416ANLT4G
  仓库库存编号：NTD6416ANLT4GOSCT-ND
  别名：NTD6416ANLT4GOSCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 18.3A TO-252
  详细描述：表面贴装 P 沟道 18.3A（Tc） 2.3W（Ta），38.5W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：SUD19P06-60-GE3
  仓库库存编号：SUD19P06-60-GE3CT-ND
  别名：SUD19P06-60-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 100V 23A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 23A（Tc） 70W（Tc） D-Pak
  
  型号：STD15NF10T4
  仓库库存编号：497-7958-1-ND
  别名：497-7958-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3.2A（Ta） 1.5W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7465DP-T1-E3
  仓库库存编号：SI7465DP-T1-E3CT-ND
  别名：SI7465DP-T1-E3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 19A TO252
  详细描述：表面贴装 P 沟道 19A（Tc） 2.7W（Ta），46W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：SUD19P06-60L-E3
  仓库库存编号：SUD19P06-60L-E3CT-ND
  别名：SUD19P06-60L-E3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3.2A（Ta） 1.5W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7465DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7465DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7465DP-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 6.4A 1212-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 6.4A（Ta） 1.5W（Ta） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7421DN-T1-E3
  仓库库存编号：SI7421DN-T1-E3CT-ND
  别名：SI7421DN-T1-E3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V DPAK-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Tc） 89W（Tc） D-Pak
  
  型号：FDD18N20LZ
  仓库库存编号：FDD18N20LZCT-ND
  别名：FDD18N20LZCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 150V 25A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Tc） 3W（Ta），136W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：SUD25N15-52-E3
  仓库库存编号：SUD25N15-52-E3CT-ND
  别名：SUD25N15-52-E3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 80V 8.8A POWER56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8.8A（Ta），22A（Tc） 2.5W（Ta），78W（Tc） Power56
  
  型号：FDMS3572
  仓库库存编号：FDMS3572CT-ND
  别名：FDMS3572CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 900V 5.4A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.4A（Tc） 3.13W（Ta），158W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB5N90TM
  仓库库存编号：FQB5N90TMCT-ND
  别名：FQB5N90TMCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 4500V 1A TO268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1A（Tc） 520W（Tc） TO-268
  
  型号：IXTT1N450HV
  仓库库存编号：IXTT1N450HV-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 4500V 0.9A I4PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 900mA（Tc） 160W（Tc） ISOPLUS i4-PAC?
  
  型号：IXTF1N450
  仓库库存编号：IXTF1N450-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 4.6A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4.6A（Ta） 2.5W（Tc） 8-SO
  
  型号：IRF7205TRPBF
  仓库库存编号：IRF7205PBFCT-ND
  别名：*IRF7205TRPBF
  IRF7205PBFCT
  
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 50V 14A TO-252AA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Tc） 48W（Tc） TO-252AA
  
  型号：RFD14N05LSM9A
  仓库库存编号：RFD14N05LSM9ACT-ND
  别名：RFD14N05LSM9ACT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 14A 8-PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Ta），42A（Tc） 2.5W（Ta），69W（Tc） 8-PQFN（5x6），Power56
  
  型号：FDMS86520
  仓库库存编号：FDMS86520CT-ND
  别名：FDMS86520CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 60V 3.2A 1.5W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
  
  型号：SI7949DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7949DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7949DP-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 50V 14A TO-252AA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Tc） 48W（Tc） TO-252AA
  
  型号：RFD14N05LSM
  仓库库存编号：RFD14N05LSM-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 50V 14A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 14A（Tc） 48W（Tc） TO-251AA
  
  型号：RFD14N05L
  仓库库存编号：RFD14N05L-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 200V 11.5A D2PAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 11.5A（Tc） 3.13W（Ta），120W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB12P20TM
  仓库库存编号：FQB12P20TMCT-ND
  别名：FQB12P20TMCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.2A（Tc） 125W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB9NK80Z
  仓库库存编号：497-13936-1-ND
  别名：497-13936-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 9A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 74W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRL630PBF
  仓库库存编号：IRL630PBF-ND
  别名：*IRL630PBF
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 40nC @ 10V,
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