品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 40nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 4.6A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 4.6A(Ta) 2.5W(Tc) 8-SO
型号:
IRF7205TRPBF
仓库库存编号:
IRF7205PBFCT-ND
别名:*IRF7205TRPBF
IRF7205PBFCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 40nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 71A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 15A(Ta),71A(Tc) 2.5W(Ta),45W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC057N03MSGATMA1
仓库库存编号:
BSC057N03MSGATMA1CT-ND
别名:BSC057N03MSGATMA1CT-NDTR-ND
BSC057N03MSGINCT
BSC057N03MSGINCT-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 40nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 14A(Ta),40A(Tc) 2.1W(Ta),45W(Tc) PG-TSDSON-8
型号:
BSZ058N03MSGATMA1
仓库库存编号:
BSZ058N03MSGATMA1CT-ND
别名:BSZ058N03MSGINCT
BSZ058N03MSGINCT-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 40nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 33A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 33A(Tc) 144W(Tc) D2PAK
型号:
IRFS4615TRLPBF
仓库库存编号:
IRFS4615TRLPBFCT-ND
别名:IRFS4615TRLPBFCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 40nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 95A 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 95A(Tc) 2.5W(Ta),83W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC052N08NS5ATMA1
仓库库存编号:
BSC052N08NS5ATMA1CT-ND
别名:BSC052N08NS5ATMA1CT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 40nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 50A(Tc) 50W(Tc) PG-TO252-3-11
型号:
IPD50N06S4L12ATMA2
仓库库存编号:
IPD50N06S4L12ATMA2CT-ND
别名:IPD50N06S4L12ATMA2CT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 40nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 13A 8DSO
详细描述:表面贴装 N 沟道 13A(Ta) 1.56W(Ta) PG-DSO-8
型号:
BSO065N03MSGXUMA1
仓库库存编号:
BSO065N03MSGXUMA1CT-ND
别名:BSO065N03MS GINCT
BSO065N03MS GINCT-ND
BSO065N03MSG
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 40nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 73A TDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 16A(Ta),73A(Tc) 2.5W(Ta),50W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC059N04LSGATMA1
仓库库存编号:
BSC059N04LSGATMA1CT-ND
别名:BSC059N04LS GCT
BSC059N04LS GCT-ND
BSC059N04LSGATMA1CT-NDTR-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 40nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 35A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 35A(Tc) 144W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB5615PBF
仓库库存编号:
IRFB5615PBF-ND
别名:SP001575534
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 40nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 40V 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 90A(Tc) 62W(Tc) PG-TDSON-8-34
型号:
IPC90N04S5L3R3ATMA1
仓库库存编号:
IPC90N04S5L3R3ATMA1-ND
别名:SP001418122
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 40nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 33A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 33A(Tc) 144W(Tc) D2PAK
型号:
IRFS5615TRLPBF
仓库库存编号:
IRFS5615TRLPBFCT-ND
别名:IRFS5615TRLPBFCT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 40nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 33A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 150V 33A(Tc) 144W(Tc) TO-262
型号:
IRFSL5615PBF
仓库库存编号:
IRFSL5615PBF-ND
别名:SP001567730
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 40nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 4.3A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 20V 4.3A(Ta) 8-SO
型号:
IRF7203TR
仓库库存编号:
IRF7203TR-ND
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 40nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 40V 80A(Tc) 79W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI70N04S307AKSA1
仓库库存编号:
IPI70N04S307AKSA1-ND
别名:IPI70N04S3-07
IPI70N04S3-07-ND
SP000279551
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 40nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 40V 80A(Tc) 79W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP70N04S307AKSA1
仓库库存编号:
IPP70N04S307AKSA1-ND
别名:IPP70N04S3-07
IPP70N04S3-07-ND
SP000279559
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 40nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 33A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 150V 33A(Tc) 144W(Tc) TO-262
型号:
IRFSL4615PBF
仓库库存编号:
IRFSL4615PBF-ND
别名:SP001557598
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 40nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 80A(Tc) 79W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB70N04S3-07
仓库库存编号:
IPB70N04S3-07CT-ND
别名:IPB70N04S3-07CT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 40nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 82A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 82A(Tc) 79W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD70N04S3-07
仓库库存编号:
IPD70N04S3-07CT-ND
别名:IPD70N04S3-07CT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 40nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3-11
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 50A(Tc) 50W(Tc)
型号:
IPD50N06S4L12ATMA1
仓库库存编号:
IPD50N06S4L12ATMA1CT-ND
别名:IPD50N06S4L12ATMA1CT
品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 40nC @ 10V,
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