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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 200V 1A SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1A（Tc） 3.3W（Tc） SOT-223
  
  型号：STN4NF20L
  仓库库存编号：497-10779-1-ND
  别名：497-10779-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 0.9nC @ 10V,
• 无铅
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 30V 0.35A SOT23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 350mA（Ta） 350mW（Ta） SOT-23
  
  型号：DMN63D8L-7
  仓库库存编号：DMN63D8L-7DICT-ND
  别名：DMN63D8L-7DICT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 0.9nC @ 10V,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 0.19A SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 190mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23-3
  
  型号：BSS123NH6433XTMA1
  仓库库存编号：BSS123NH6433XTMA1CT-ND
  别名：BSS123NH6433XTMA1CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 0.9nC @ 10V,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 0.19A SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 190mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23-3
  
  型号：BSS123NH6327XTSA1
  仓库库存编号：BSS123NH6327XTSA1CT-ND
  别名：BSS123NH6327XTSA1CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 0.9nC @ 10V,
• 无铅
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 30V 0.38A SOT323
  详细描述：表面贴装 N 沟道 380mA（Ta） 300mW（Ta） SOT-323
  
  型号：DMN63D8LW-7
  仓库库存编号：DMN63D8LW-7DICT-ND
  别名：DMN63D8LW-7DICT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 0.9nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 0.27A SOT-23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 270mA（Ta） 3-CPH
  
  型号：1HN04CH-TL-W
  仓库库存编号：1HN04CH-TL-WOSCT-ND
  别名：1HN04CH-TL-WOSCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 0.9nC @ 10V,
• 无铅
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N/P-CH 25V/12V TSOT26
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 25V, 12V 500mA, 3.9A 1.3W Surface Mount TSOT-26
  
  型号：DMC25D1UVT-7
  仓库库存编号：DMC25D1UVT-7DICT-ND
  别名：DMC25D1UVT-7DICT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 0.9nC @ 10V,
• 无铅
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 100V 0.17A SOT-23
  详细描述：表面贴装 P 沟道 170mA（Ta） 3-CPH
  
  型号：1HP04CH-TL-W
  仓库库存编号：1HP04CH-TL-WOSCT-ND
  别名：1HP04CH-TL-WOSCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 0.9nC @ 10V,
• 无铅
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 30V 0.38A SOT323
  详细描述：表面贴装 N 沟道 380mA（Ta） 300mW（Ta） SOT-323
  
  型号：DMN63D8LW-13
  仓库库存编号：DMN63D8LW-13DICT-ND
  别名：DMN63D8LW-13DICT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 0.9nC @ 10V,
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