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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 30V 8A 8-SO
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Ta） 1.54W（Ta） 8-SO
  
  型号：DMG4812SSS-13
  仓库库存编号：DMG4812SSS-13DICT-ND
  别名：DMG4812SSS-13DICT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18.5nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET ARRAY 2N-CH 60V SO8
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 23.5A (Tc) 42W (Tc) Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
  
  型号：SQJ968EP-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJ968EP-T1_GE3CT-ND
  别名：SQJ968EP-T1_GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18.5nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 40A 8TSDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 50W（Tc） PG-TSDSON-8-FL
  
  型号：BSZ110N08NS5ATMA1
  仓库库存编号：BSZ110N08NS5ATMA1CT-ND
  别名：BSZ110N08NS5ATMA1CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18.5nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 5A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.7A（Tc） 83W（Tc） DPAK
  
  型号：NDD05N50ZT4G
  仓库库存编号：NDD05N50ZT4GOSCT-ND
  别名：NDD05N50ZT4GOSCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18.5nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET P-CH 30V 6A 6TSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 6A（Ta） 2W（Ta） 6-TSOP
  
  型号：AO6403
  仓库库存编号：785-1070-1-ND
  别名：785-1070-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18.5nC @ 10V,
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• Sanken
  MOSFET N-CH 40V 47A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 47A（Tc） 37W（Tc） TO-252
  
  型号：DKI04077
  仓库库存编号：DKI04077CT-ND
  别名：DKI04077CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18.5nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 25A ATPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 25A（Ta） 30W（Tc） ATPAK
  
  型号：ATP101-TL-H
  仓库库存编号：ATP101-TL-H-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18.5nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 27A（Ta） 36W（Tc） ATPAK
  
  型号：NVATS4A101PZT4G
  仓库库存编号：NVATS4A101PZT4G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18.5nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 43.4A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 43.4A（Tc） 57.6W（Tc） TO-220AB
  
  型号：PHP36N03LT,127
  仓库库存编号：1727-4648-ND
  别名：1727-4648
  568-5765
  568-5765-5
  568-5765-5-ND
  568-5765-ND
  934060629127
  PHP36N03LT
  PHP36N03LT,127-ND
  PHP36N03LT-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18.5nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 600V 8A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Ta） 80W（Tc） DPAK
  
  型号：TK8P60W,RVQ
  仓库库存编号：TK8P60WRVQCT-ND
  别名：TK8P60WRVQCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18.5nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 600V 8A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 8A（Ta） 80W（Tc） I-Pak
  
  型号：TK8Q60W,S1VQ
  仓库库存编号：TK8Q60WS1VQ-ND
  别名：TK8Q60W,S1VQ(S
  TK8Q60WS1VQ
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18.5nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 600V 8A TO-220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 8A（Ta） 30W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK8A60W,S4VX
  仓库库存编号：TK8A60WS4VX-ND
  别名：TK8A60W,S4VX(M
  TK8A60WS4VX
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18.5nC @ 10V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 43.4A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 43.4A（Tc） 57.6W（Tc） DPAK
  
  型号：PHD36N03LT,118
  仓库库存编号：PHD36N03LT,118-ND
  别名：934057949118
  PHD36N03LT /T3
  PHD36N03LT /T3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18.5nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 5A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 4.7A（Tc） 83W（Tc） I-Pak
  
  型号：NDD05N50Z-1G
  仓库库存编号：NDD05N50Z-1GOS-ND
  别名：NDD05N50Z-1G-ND
  NDD05N50Z-1GOS
  NDD05N50Z1G
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18.5nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET P-CH 30V 6A 6TSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 6A（Ta） 2W（Ta） 6-TSOP
  
  型号：AO6403L
  仓库库存编号：AO6403L-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 18.5nC @ 10V,
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