规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 15.3nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET NCH 700V 7.4A TO251
详细描述:通孔 N 沟道 7.4A(Tc) 68W(Tc) PG-TO251
型号:
IPS70R950CEAKMA1
仓库库存编号:
IPS70R950CEAKMA1-ND
别名:SP001467044
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 15.3nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 7.2A(Tc) 68W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPA65R1K0CEXKSA1
仓库库存编号:
IPA65R1K0CEXKSA1-ND
别名:SP001429758
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 15.3nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 700V 7.4A TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.4A(Tc) 68W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD70R950CEAUMA1
仓库库存编号:
IPD70R950CEAUMA1CT-ND
别名:IPD70R950CEAUMA1CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 15.3nC @ 10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 15A 8-HSMT
详细描述:表面贴装 N 沟道 15A(Ta) 2W(Ta),17.2W(Tc) 8-HSMT(3.2x3)
型号:
RQ3E150GNTB
仓库库存编号:
RQ3E150GNTBCT-ND
别名:RQ3E150GNTBCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 15.3nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 4.5A TO-251
详细描述:通孔 N 沟道 4.5A(Tc) 37W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPS65R950C6AKMA1
仓库库存编号:
IPS65R950C6AKMA1-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 15.3nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 7.2A(Tc) 68W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD65R1K0CEAUMA1
仓库库存编号:
IPD65R1K0CEAUMA1-ND
别名:SP001421368
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 15.3nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 4.3A TO-251-3
详细描述:通孔 N 沟道 650V 4.3A(Tc) 37W(Tc) TO-251
型号:
IPS65R1K0CEAKMA1
仓库库存编号:
IPS65R1K0CEAKMA1-ND
别名:SP001276048
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 15.3nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET COOLMOS 700V TO251-3
详细描述:通孔 N 沟道 700V 8.7A(Tc) 94W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPSA70R950CEAKMA1
仓库库存编号:
IPSA70R950CEAKMA1-ND
别名:SP001605396
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 15.3nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 4.5A(Tc) 37W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD65R950C6ATMA1
仓库库存编号:
IPD65R950C6ATMA1-ND
别名:SP001107082
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 15.3nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 700V COOLMOS TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 700V 7.4A(Tc) 68W(Tc) PG-TO252
型号:
IPAW70R950CEXKSA1
仓库库存编号:
IPAW70R950CEXKSA1-ND
别名:SP001619372
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 15.3nC @ 10V,
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