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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 11A TO-252AA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Tc） 38W（Tc） TO-252AA
  
  型号：RFD3055LESM9A
  仓库库存编号：RFD3055LESM9ACT-ND
  别名：RFD3055LESM9ACT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11.3nC @ 10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 30V 5.6A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.6A（Ta） 1.8W（Ta） SOT-223
  
  型号：DMN3032LE-13
  仓库库存编号：DMN3032LE-13DICT-ND
  别名：DMN3032LE-13DICT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11.3nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 11A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 38W（Tc） TO-251AA
  
  型号：RFD3055LE
  仓库库存编号：RFD3055LE-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11.3nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 38W（Tc） TO-252AA
  
  型号：HUF76407D3ST
  仓库库存编号：HUF76407D3STFSCT-ND
  别名：HUF76407D3STFSCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11.3nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 51A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 51A（Tj） 34W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：PSMN7R5-30YLDX
  仓库库存编号：1727-1795-1-ND
  别名：1727-1795-1
  568-11378-1
  568-11378-1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11.3nC @ 10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 30V 5.3A PWRDI333-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.3A（Ta） 1W（Ta） PowerDI3333-8
  
  型号：DMN3029LFG-7
  仓库库存编号：DMN3029LFG-7DICT-ND
  别名：DMN3029LFG-7DICT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11.3nC @ 10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 30V POWERDI3333-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.3A（Ta） 1W（Ta） PowerDI3333-8
  
  型号：DMN3027LFG-7
  仓库库存编号：DMN3027LFG-7DICT-ND
  别名：DMN3027LFG-7DICT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11.3nC @ 10V,
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• Central Semiconductor Corp
  MOSFET N-CH 3A 800V DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3A（Tc） 80W（Tc） DPAK
  
  型号：CDM3-800 TR13
  仓库库存编号：CDM3-800 TR13CT-ND
  别名：CDM3-800 TR13CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11.3nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 57A LFPAK33
  详细描述：表面贴装 N 沟道 57A（Tc） 45W（Tc） LFPAK33
  
  型号：PSMN7R5-30MLDX
  仓库库存编号：1727-1794-1-ND
  别名：1727-1794-1
  568-11377-1
  568-11377-1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11.3nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Ta），28A（Tc） 3.5W（Ta），56W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NVMFS6B75NLT3G
  仓库库存编号：NVMFS6B75NLT3G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11.3nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Ta），28A（Tc） 3.5W（Ta），56W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NVMFS6B75NLT1G
  仓库库存编号：NVMFS6B75NLT1G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11.3nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Ta），28A（Tc） 3.5W（Ta），56W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NVMFS6B75NLWFT3G
  仓库库存编号：NVMFS6B75NLWFT3G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11.3nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Ta），28A（Tc） 3.5W（Ta），56W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NVMFS6B75NLWFT1G
  仓库库存编号：NVMFS6B75NLWFT1G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11.3nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 800MA TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 800mA（Tc） 42W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP08N100P
  仓库库存编号：IXTP08N100P-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11.3nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 0.8A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 800mA（Tc） 42W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA08N100P
  仓库库存编号：IXTA08N100P-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11.3nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 800MA TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 800mA（Tc） 42W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：IXTY08N100P
  仓库库存编号：IXTY08N100P-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11.3nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 11A TO-252AA
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 11A（Tc） 38W（Tc） TO-252AA
  
  型号：RFD3055LESM
  仓库库存编号：RFD3055LESM-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11.3nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 11A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 11A（Tc） 38W（Tc） TO-220AB
  
  型号：RFP3055LE
  仓库库存编号：RFP3055LE-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11.3nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 12A（Tc） 38W（Tc） TO-252AA
  
  型号：HUF76407D3S
  仓库库存编号：HUF76407D3S-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11.3nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 12A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 12A（Tc） 38W（Tc） TO-251AA
  
  型号：HUF76407D3
  仓库库存编号：HUF76407D3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11.3nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 12A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 12A（Tc） 38W（Tc） TO-251AA
  
  型号：HUFA76407D3
  仓库库存编号：HUFA76407D3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11.3nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 12A（Tc） 38W（Tc） TO-252AA
  
  型号：HUFA76407D3S
  仓库库存编号：HUFA76407D3S-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11.3nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 12A（Tc） 38W（Tc） TO-252AA
  
  型号：HUFA76407D3ST
  仓库库存编号：HUFA76407D3ST-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11.3nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 13A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 13A（Tc） 38W（Tc） TO-220AB
  
  型号：HUF76407P3
  仓库库存编号：HUF76407P3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11.3nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 13A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 13A（Tc） 38W（Tc） TO-220AB
  
  型号：HUFA76407P3
  仓库库存编号：HUFA76407P3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 11.3nC @ 10V,
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