规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 27.5nC @ 10V,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 20A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Tc) 75W(Tc) TO-252AA
型号:
HUFA76419D3ST
仓库库存编号:
HUFA76419D3STCT-ND
别名:HUFA76419D3STCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 27.5nC @ 10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
NCH 600V 15A POWER MOSFET
详细描述:通孔 N 沟道 15A(Tc) 60W(Tc) TO-220FM
型号:
R6015KNX
仓库库存编号:
R6015KNX-ND
别名:R6015KNXTR
R6015KNXTR-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 27.5nC @ 10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 15A TO3P-3
详细描述:通孔 N 沟道 15A(Tc) 60W(Tc) TO-3PF
型号:
R6015KNZC8
仓库库存编号:
R6015KNZC8-ND
别名:R6015KNZC8TR
R6015KNZC8TR-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 27.5nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 20A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 20A(Tc) 75W(Tc) TO-252AA
型号:
HUF76419D3ST
仓库库存编号:
HUF76419D3ST-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 27.5nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 20A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 60V 20A(Tc) 75W(Tc) TO-251AA
型号:
HUFA76419D3
仓库库存编号:
HUFA76419D3-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 27.5nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 20A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 20A(Tc) 75W(Tc) TO-252AA
型号:
HUFA76419D3S
仓库库存编号:
HUFA76419D3S-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 27.5nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 20A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 60V 20A(Tc) 75W(Tc) TO-251AA
型号:
HUF76419D3
仓库库存编号:
HUF76419D3-ND
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