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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 3A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3A（Ta） 1.3W（Ta） SOT-223
  
  型号：NTF3055L108T1G
  仓库库存编号：NTF3055L108T1GOSCT-ND
  别名：NTF3055L108T1GOS
  NTF3055L108T1GOS-ND
  NTF3055L108T1GOSCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 5V,
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• EPC
  TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 48A（Ta） 模具
  
  型号：EPC2032
  仓库库存编号：917-1126-1-ND
  别名：917-1126-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 5V,
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• EPC
  TRANS GAN 80V 90A BUMPED DIE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Ta） 模具
  
  型号：EPC2021
  仓库库存编号：917-1089-1-ND
  别名：917-1089-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4.3A（Ta） 1.3W（Ta） Micro3?/SOT-23
  
  型号：IRLML6401TRPBF
  仓库库存编号：IRLML6401PBFCT-ND
  别名：*IRLML6401TRPBF
  IRLML6401PBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Tc） 45W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR024NTRPBF
  仓库库存编号：IRLR024NPBFCT-ND
  别名：*IRLR024NTRPBF
  IRLR024NPBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 17A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 45W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：IRLU024NPBF
  仓库库存编号：IRLU024NPBF-ND
  别名：*IRLU024NPBF
  64-4164PBF
  64-4164PBF-ND
  SP001553260
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 18A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Tc） 3.8W（Ta），45W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRLZ24NSTRLPBF
  仓库库存编号：IRLZ24NSTRLPBFCT-ND
  别名：IRLZ24NSTRLPBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 5V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Ta） 2W（Ta） 8-SOP
  
  型号：RSS090N03FU6TB
  仓库库存编号：RSS090N03FU6TBCT-ND
  别名：RSS090N03TBCT
  RSS090N03TBCT-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 5V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 9A, 7A 2W Surface Mount 8-SOP
  
  型号：SH8M4TB1
  仓库库存编号：SH8M4TB1CT-ND
  别名：SH8M4TB1CT
  SP8M4TBCT
  SP8M4TBCT-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 5V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 9A SOP8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Ta） 2W（Ta） 8-SOP
  
  型号：RSH090N03TB1
  仓库库存编号：RSH090N03TB1CT-ND
  别名：RSH090N03TB1CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 5V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 1.13A SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.13A（Ta） 2W（Tc） SOT-223-4
  
  型号：IRLM220ATF
  仓库库存编号：IRLM220ATFCT-ND
  别名：IRLM220ATFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 5V,
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• EPC
  TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 48A（Ta） 模具
  
  型号：EPC2032ENGRT
  仓库库存编号：917-EPC2032ENGRCT-ND
  别名：917-EPC2032ENGRCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 5V,
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• EPC
  TRANS GAN 80V 60A BUMPED DIE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Ta） 模具
  
  型号：EPC2021ENG
  仓库库存编号：917-EPC2021ENG-ND
  别名：917-EPC2021ENG
  EPC2021ENGRB3
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 18A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 45W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRLZ24NPBF
  仓库库存编号：IRLZ24NPBF-ND
  别名：*IRLZ24NPBF
  SP001553022
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4.3A（Ta） 1.3W（Ta） Micro3?/SOT-23
  
  型号：IRLML6401GTRPBF
  仓库库存编号：IRLML6401GTRPBFCT-ND
  别名：IRLML6401GTRPBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 3A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3A（Ta） 1.3W（Ta） SOT-223
  
  型号：NVF3055L108T1G
  仓库库存编号：NVF3055L108T1GOSCT-ND
  别名：NVF3055L108T1GOSCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 5V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.3A（Tc） 2.7W（Tc） SOT-223-4
  
  型号：IRLM120ATF
  仓库库存编号：IRLM120ATF-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 5V,
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• EPC
  TRANS GAN 80V 60A BUMPED DIE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Ta） 模具
  
  型号：EPC2021ENGR
  仓库库存编号：917-EPC2021ENGRCT-ND
  别名：917-EPC2021ENGRCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 17A（Tc） 45W（Tc） D-Pak
  
  型号：AUIRLR024NTRL
  仓库库存编号：AUIRLR024NTRL-ND
  别名：SP001517694
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V AUTO
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 18A（Tc） 3.8W（Ta），45W（Tc） D2PAK
  
  型号：AUIRLZ24NS
  仓库库存编号：AUIRLZ24NS-ND
  别名：SP001518210
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V D2-PAK AUTO
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 18A（Tc） 3.8W（Ta），45W（Tc） D2PAK
  
  型号：AUIRLZ24NSTRL
  仓库库存编号：AUIRLZ24NSTRL-ND
  别名：SP001516890
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 10A（Tc） 1.75W（Ta），40W（Tc） DPAK
  
  型号：MTD10N10ELT4
  仓库库存编号：MTD10N10ELT4OSCT-ND
  别名：MTD10N10ELT4OSCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 5V,
• 含铅
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 3A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 3A（Ta） 1.3W（Ta） SOT-223
  
  型号：NTF3055L108T3LF
  仓库库存编号：NTF3055L108T3LFOS-ND
  别名：NTF3055L108T3LFOS
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 5V,
• 含铅
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 10.5A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 10.5A（Ta） 2W（Ta） 8-SOP
  
  型号：RSS105N03TB
  仓库库存编号：RSS105N03TBCT-ND
  别名：RSS105N03TBCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 5V,
• 无铅
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 10A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 10A（Tc） 1.75W（Ta），40W（Tc） TO-220AB
  
  型号：MTP10N10ELG
  仓库库存编号：MTP10N10ELGOS-ND
  别名：MTP10N10ELGOS
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 5V,
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