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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 3A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 3A（Ta） 1.3W（Ta） SOT-223
  
  型号：NTF3055L108T3LFG
  仓库库存编号：NTF3055L108T3LFGOS-ND
  别名：NTF3055L108T3LFGOS
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 5V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 42A TO-263AB
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 42A（Ta） 48W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB6690S
  仓库库存编号：FDB6690S-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 5V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 8.4A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 8.4A（Tc） 2.5W（Ta），35W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR120ATF
  仓库库存编号：IRLR120ATF-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 5V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 10.5A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 10.5A（Ta） 2W（Ta） 8-SOP
  
  型号：RSS105N03FU6TB
  仓库库存编号：RSS105N03FU6TB-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 5V,
• 无铅
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• EPC
  TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 48A（Ta） 模具
  
  型号：EPC2032ENGR
  仓库库存编号：917-EPC2032ENGR-ND
  别名：917-EPC2032ENGR
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 17A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 17A（Tc） 45W（Tc） I-Pak
  
  型号：IRLU024N
  仓库库存编号：IRLU024N-ND
  别名：*IRLU024N
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 18A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 18A（Tc） 3.8W（Ta），45W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRLZ24NS
  仓库库存编号：IRLZ24NS-ND
  别名：*IRLZ24NS
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET 2P-CH 20V 4.3A MICRO8
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 4.3A 1.25W Surface Mount Micro8?
  
  型号：IRF7555TR
  仓库库存编号：IRF7555CT-ND
  别名：*IRF7555TR
  IRF7555
  IRF7555CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12V 4.3A（Ta） 1.3W（Ta） Micro3?/SOT-23
  
  型号：IRLML6401TR
  仓库库存编号：IRLML6401CT-ND
  别名：*IRLML6401TR
  IRLML6401
  IRLML6401-ND
  IRLML6401CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 18A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 18A（Tc） 3.8W（Ta），45W（Tc） TO-262
  
  型号：IRLZ24NL
  仓库库存编号：IRLZ24NL-ND
  别名：*IRLZ24NL
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 17A（Tc） 45W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR024NTRL
  仓库库存编号：IRLR024NTRL-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 17A（Tc） 45W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR024NTRR
  仓库库存编号：IRLR024NTRR-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 18A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 18A（Tc） 3.8W（Ta），45W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRLZ24NSTRL
  仓库库存编号：IRLZ24NSTRL-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 18A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 18A（Tc） 3.8W（Ta），45W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRLZ24NSTRR
  仓库库存编号：IRLZ24NSTRR-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 20V 4.3A MICRO8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 4.3A（Ta） 1.25W（Ta） Micro8?
  
  型号：IRF7534D1TR
  仓库库存编号：IRF7534D1CT-ND
  别名：*IRF7534D1TR
  IRF7534D1CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 14A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 14A（Tc） 26W（Tc） TO-220AB 整包
  
  型号：IRLIZ24NPBF
  仓库库存编号：IRLIZ24NPBF-ND
  别名：*IRLIZ24NPBF
  SP001558800
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 18A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 18A（Tc） 3.8W（Ta），45W（Tc） TO-262
  
  型号：IRLZ24NLPBF
  仓库库存编号：IRLZ24NLPBF-ND
  别名：*IRLZ24NLPBF
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET 2N-CH 30V 7.6A 8DSO
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 7.6A 1.4W Surface Mount PG-DSO-8
  
  型号：BSO150N03
  仓库库存编号：BSO150N03INCT-ND
  别名：BSO150N03INCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET 2P-CH 20V 4.3A MICRO8
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 4.3A 1.25W Surface Mount Micro8?
  
  型号：IRF7555TRPBF
  仓库库存编号：IRF7555TRPBFCT-ND
  别名：IRF7555TRPBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 20V 4.3A MICRO-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 4.3A（Ta） 1.25W（Ta） Micro8?
  
  型号：IRF7534D1PBF
  仓库库存编号：IRF7534D1PBF-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 17A（Tc） 45W（Tc） D-Pak
  
  型号：AUIRLR024N
  仓库库存编号：AUIRLR024N-ND
  别名：SP001523060
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 15nC @ 5V,
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