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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 10A(Tc) 2.5W(Tc) 8-SO
型号:
STS10N3LH5
仓库库存编号:
497-10010-1-ND
别名:497-10010-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 4.6nC @ 5V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET 2N-CH 30V 10A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 10A 2.5W Surface Mount 8-SO
型号:
STS10DN3LH5
仓库库存编号:
497-10011-1-ND
别名:497-10011-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 4.6nC @ 5V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 27A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 27A(Tc) 45W(Tc) TO-220AB
型号:
STP27N3LH5
仓库库存编号:
497-9095-5-ND
别名:497-9095-5
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 4.6nC @ 5V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 27A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 27A(Tc) 30W(Tc) DPAK
型号:
STD27N3LH5
仓库库存编号:
497-10019-1-ND
别名:497-10019-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 4.6nC @ 5V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 27A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 27A(Tc) 30W(Tc) I-Pak
型号:
STU27N3LH5
仓库库存编号:
STU27N3LH5-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 4.6nC @ 5V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 5.7A 8DSO
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 5.7A(Ta) 1.56W(Ta) PG-DSO-8
型号:
BSO300N03S
仓库库存编号:
BSO300N03SINCT-ND
别名:BSO300N03SINCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 4.6nC @ 5V,
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