规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 15.8nC @ 10V,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 30V 3.2A SOT-23-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 3.2A(Ta) 1.1W(Ta) SOT-23-6
型号:
ZXMP3A17E6TA
仓库库存编号:
ZXMP3A17E6CT-ND
别名:ZXMP3A17E6CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 15.8nC @ 10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 40V 2.9A SOT26
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.9A(Ta) 1.1W(Ta) SOT-26
型号:
ZXMP4A57E6TA
仓库库存编号:
ZXMP4A57E6TACT-ND
别名:ZXMP4A57E6TACT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 15.8nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 40V MLFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 48A(Tc) 55W(Tc) LFPAK33
型号:
BUK7M12-40EX
仓库库存编号:
1727-2556-1-ND
别名:1727-2556-1
568-13000-1
568-13000-1-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 15.8nC @ 10V,
无铅
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Sanken
MOSFET N-CH 100V 15A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 15A(Tc) 32W(Tc) TO-252
型号:
DKI10751
仓库库存编号:
DKI10751CT-ND
别名:DKI10751CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 15.8nC @ 10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET 2P-CH 30V 3.4A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 3.4A 1.8W Surface Mount 8-SO
型号:
ZXMP3A17DN8TA
仓库库存编号:
ZXMP3A17DN8CT-ND
别名:ZXMP3A17DN8CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 15.8nC @ 10V,
无铅
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