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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 60A 8TDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 2.5W（Ta），69W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC098N10NS5ATMA1
  仓库库存编号：BSC098N10NS5ATMA1CT-ND
  别名：BSC098N10NS5ATMA1CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.1A（Tc） 83W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD90R1K2C3BTMA1
  仓库库存编号：IPD90R1K2C3BTMA1CT-ND
  别名：IPD90R1K2C3BTMA1CT
  IPD90R1K2C3CT
  IPD90R1K2C3CT-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.1A（Tc） 83W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD90R1K2C3ATMA1
  仓库库存编号：IPD90R1K2C3ATMA1CT-ND
  别名：IPD90R1K2C3ATMA1CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 32A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 6A（Ta），32A（Tc） 95W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FDP3682
  仓库库存编号：FDP3682-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 60V 18.7A TO-220
  详细描述：通孔 P 沟道 18.7A（Ta） 81.1W（Ta） PG-TO-220-3
  
  型号：SPP18P06P H
  仓库库存编号：SPP18P06P H-ND
  别名：SP000446906
  SPP18P06P G
  SPP18P06P G-ND
  SPP18P06PH
  SPP18P06PHXKSA1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 100V 52A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 52A（Tc） 72W（Tc） TO-220
  
  型号：TK22E10N1,S1X
  仓库库存编号：TK22E10N1S1X-ND
  别名：TK22E10N1,S1X(S
  TK22E10N1S1X
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 100V 52A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 22A（Tc） 30W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK22A10N1,S4X
  仓库库存编号：TK22A10N1S4X-ND
  别名：TK22A10N1,S4X(S
  TK22A10N1,S4X-ND
  TK22A10N1S4X
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 5.5A（Tc） 30W（Tc） TO-220FP
  
  型号：NDF05N50ZG
  仓库库存编号：NDF05N50ZGOS-ND
  别名：NDF05N50ZG-ND
  NDF05N50ZGOS
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V TO-220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 9.1A（Tc） 30W（Tc） PG-TO-220-FP
  
  型号：IPA60R460CEXKSA1
  仓库库存编号：IPA60R460CEXKSA1-ND
  别名：SP001276042
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 500V 9A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 192W（Tc） TO-220
  
  型号：AOT9N50
  仓库库存编号：785-1172-5-ND
  别名：785-1172-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 5.1A（Tc） 83W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP90R1K2C3
  仓库库存编号：IPP90R1K2C3-ND
  别名：IPP90R1K2C3XKSA1
  SP000411302
  SP000683096
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 5.1A（Tc） 83W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW90R1K2C3
  仓库库存编号：IPW90R1K2C3-ND
  别名：IPW90R1K2C3FKSA1
  SP000413754
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 9.2A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 9.2A（Tc） 74W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP60R450E6
  仓库库存编号：IPP60R450E6-ND
  别名：IPP60R450E6XKSA1
  SP000842486
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET NCH 40V 30A POWER56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 50W（Tj） Power56
  
  型号：FDMS9411L_F085
  仓库库存编号：FDMS9411L_F085CT-ND
  别名：FDMS9411L_F085CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 10V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 5A TSMT8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 5A（Ta） 700mW（Ta） TSMT8
  
  型号：RQ1E050RPTR
  仓库库存编号：RQ1E050RPCT-ND
  别名：RQ1E050RPCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 40V 14.5A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 14.5A（Ta），54A（Tc） 2.5W（Ta），53.5W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：AOD242
  仓库库存编号：785-1475-1-ND
  别名：785-1475-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 30V 12A/17A POWER56
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 12A, 17A 1W Surface Mount Power56
  
  型号：FDMS7602S
  仓库库存编号：FDMS7602SCT-ND
  别名：FDMS7602SCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 9.2A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9.2A（Tc） 74W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R450E6
  仓库库存编号：IPD60R450E6CT-ND
  别名：IPD60R450E6CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 40A TSDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），69W（Tc） PG-TSDSON-8-FL
  
  型号：BSZ097N10NS5ATMA1
  仓库库存编号：BSZ097N10NS5ATMA1CT-ND
  别名：BSZ097N10NS5ATMA1CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 100V 33A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 33A（Ta） 125W（Tc） DPAK+
  
  型号：TK33S10N1Z,LQ
  仓库库存编号：TK33S10N1ZLQCT-ND
  别名：TK33S10N1ZLQCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 500V 8A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 192W（Tc） TO-220
  
  型号：AOT8N50
  仓库库存编号：785-1171-5-ND
  别名：785-1171-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 35.6A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 35.6A（Tc） 3.9W（Ta），29.8W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7772DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7772DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7772DP-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 44A（Tc） 83W（Tc） 8-PDFN（5x6）
  
  型号：TSM230N06PQ56 RLG
  仓库库存编号：TSM230N06PQ56 RLGTR-ND
  别名：TSM230N06PQ56 RLGTR
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 44A（Tc） 83W（Tc） 8-PDFN（5x6）
  
  型号：TSM230N06PQ56 RLG
  仓库库存编号：TSM230N06PQ56 RLGCT-ND
  别名：TSM230N06PQ56 RLGCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 10V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 44A（Tc） 83W（Tc） 8-PDFN（5x6）
  
  型号：TSM230N06PQ56 RLG
  仓库库存编号：TSM230N06PQ56 RLGDKR-ND
  别名：TSM230N06PQ56 RLGDKR
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 10V,
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