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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 5.1A（Tc） 83W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI90R1K2C3XKSA1
  仓库库存编号：IPI90R1K2C3XKSA1-ND
  别名：IPI90R1K2C3
  IPI90R1K2C3-ND
  SP000413724
  SP000683080
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 9.2A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 9.2A（Tc） 30W（Tc） PG-TO-220-FP
  
  型号：IPA60R450E6XKSA1
  仓库库存编号：IPA60R450E6XKSA1-ND
  别名：IPA60R450E6
  IPA60R450E6-ND
  SP000842484
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 10V,
• 无铅
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 500V 4.4A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 4.4A（Tc） 70W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB5NK50ZT4
  仓库库存编号：497-4324-1-ND
  别名：497-4324-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 10V,
• 无铅
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 500V 4.4A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 4.4A（Tc） 70W（Tc） I-Pak
  
  型号：STD5NK50Z-1
  仓库库存编号：STD5NK50Z-1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 40V 3.4A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 3.4A 1.39W Surface Mount 8-SOIC
  
  型号：MMDF3N04HDR2
  仓库库存编号：MMDF3N04HDR2OSCT-ND
  别名：MMDF3N04HDR2OSCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 3.3A CHIPFET
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 3.3A（Ta） 700mW（Ta） ChipFET?
  
  型号：NTHS4111PT1G
  仓库库存编号：NTHS4111PT1GOSCT-ND
  别名：NTHS4111PT1GOSCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 29A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 29A（Tc） 75W（Tc） TO-220AB
  
  型号：HUF76419P3
  仓库库存编号：HUF76419P3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 29A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 29A（Tc） 75W（Tc） TO-220AB
  
  型号：HUFA76419P3
  仓库库存编号：HUFA76419P3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 29A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 29A（Tc） 75W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：HUFA76419S3S
  仓库库存编号：HUFA76419S3S-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 29A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 29A（Tc） 75W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：HUF76419S3S
  仓库库存编号：HUF76419S3S-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 29A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 29A（Tc） 75W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：HUF76419S3ST
  仓库库存编号：HUF76419S3ST-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 29A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 29A（Tc） 75W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：HUFA76419S3ST
  仓库库存编号：HUFA76419S3ST-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 30V 10.8A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 10.8A, 7.2A 3.1W, 2.5W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI4972DY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4972DY-T1-E3CT-ND
  别名：SI4972DY-T1-E3CT
  SI4972DYT1E3
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 900V 5A TO-220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 5A（Ta） 45W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：2SK3565(Q,M)
  仓库库存编号：2SK3565QM-ND
  别名：2SK3565(Q)
  2SK3565(Q)-ND
  2SK3565Q
  2SK3565Q-ND
  2SK3565QM
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 30V 13.4A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 13.4A（Ta） 3.7W（Ta） 8-SOIC
  
  型号：AO4474
  仓库库存编号：785-1039-1-ND
  别名：785-1039-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 30V 46A 8ULTRASO
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 10A（Ta），46A（Tc） 2W（Ta），43W（Tc） UltraSO-8?
  
  型号：AOL1426
  仓库库存编号：785-1124-1-ND
  别名：785-1124-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 30V 24A 8DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 10A（Ta），24A（Tc） 2W（Ta），35W（Tc） 8-DFN（5x6）
  
  型号：AON6410
  仓库库存编号：785-1135-1-ND
  别名：785-1135-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 30V 20A 8-DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 10A（Ta），26A（Tc） 3.1W（Ta），35W（Tc） 8-DFN（3x3）
  
  型号：AON7400
  仓库库存编号：785-1136-1-ND
  别名：785-1136-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 10V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 40V 3.4A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 3.4A 1.39W Surface Mount 8-SOIC
  
  型号：MMDF3N04HDR2G
  仓库库存编号：MMDF3N04HDR2GOSCT-ND
  别名：MMDF3N04HDR2GOSCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 30V 10.8A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 10.8A, 7.2A 3.1W, 2.5W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI4972DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4972DY-T1-GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 30V 14A 8DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 14A（Ta），22A（Tc） 2.4W（Ta），31W（Tc） 8-DFN（5x6）
  
  型号：AON6416
  仓库库存编号：785-1342-1-ND
  别名：785-1342-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 33V 9A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 33V 9A（Ta），60A（Tc） 1.9W（Ta），79W（Tc） TO-220
  
  型号：AOT502
  仓库库存编号：AOT502-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 10V,
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• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 600V 10A LDPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 10A（Ta） 100W（Tc） 4-LDPAK
  
  型号：RJL6012DPE-00#J3
  仓库库存编号：RJL6012DPE-00#J3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 10V,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 500V 10A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 10A（Tc） 51.4W（Tc） TO-220F
  
  型号：GP1M011A050FSH
  仓库库存编号：GP1M011A050FSH-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 10V,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 500V 10A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 10A（Tc） 158W（Tc） TO-220
  
  型号：GP1M011A050HS
  仓库库存编号：GP1M011A050HS-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 28nC @ 10V,
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