以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.5A（Ta） 1.4W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4410BDY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4410BDY-T1-E3CT-ND
  别名：SI4410BDY-T1-E3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 5V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 5.7A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 5.7A（Ta） 1.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4431BDY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4431BDY-T1-E3CT-ND
  别名：SI4431BDY-T1-E3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 5V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 25A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 25A（Ta） 75W（Tj） DPAK
  
  型号：NTD25P03LT4G
  仓库库存编号：NTD25P03LT4GOSCT-ND
  别名：NTD25P03LT4GOSCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 5V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2P-CH 30V 6A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 6A 900mW Surface Mount 8-SO
  
  型号：FDS6975
  仓库库存编号：FDS6975CT-ND
  别名：FDS6975CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 5V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 32A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 32A（Tc） 3.75W（Ta），79W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB30N06LTM
  仓库库存编号：FQB30N06LTMCT-ND
  别名：FQB30N06LTMCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 5V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 32A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 32A（Tc） 79W（Tc） TO-220AB
  
  型号：FQP30N06L
  仓库库存编号：FQP30N06L-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 5V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta） 1.5W（Ta），48W（Tj） DPAK
  
  型号：NTD3055L104T4G
  仓库库存编号：NTD3055L104T4GOSCT-ND
  别名：NTD3055L104T4GOS
  NTD3055L104T4GOS-ND
  NTD3055L104T4GOSCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 5V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Tc） 48W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR120NTRPBF
  仓库库存编号：IRLR120NPBFCT-ND
  别名：*IRLR120NTRPBF
  IRLR120NPBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 5V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 25A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Tc） 57W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR3105TRPBF
  仓库库存编号：IRLR3105TRPBFCT-ND
  别名：IRLR3105TRPBFCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 5V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 12A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Ta） 1.5W（Ta），48W（Tj） I-Pak
  
  型号：NTD3055L104-1G
  仓库库存编号：NTD3055L104-1GOS-ND
  别名：NTD3055L104-1G-ND
  NTD3055L104-1GOS
  NTD3055L1041G
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 5V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 8.1A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 8.1A（Tc） 30W（Tc） TO-220AB 整包
  
  型号：IRLI520NPBF
  仓库库存编号：IRLI520NPBF-ND
  别名：*IRLI520NPBF
  SP001576820
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 5V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 10A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Tc） 3.8W（Ta），48W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRL520NSPBF
  仓库库存编号：IRL520NSPBF-ND
  别名：*IRL520NSPBF
  SP001568426
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 5V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• EPC
  TRANS GAN 30V 60A BUMPED DIE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Ta） 模具
  
  型号：EPC2023ENGR
  仓库库存编号：917-EPC2023ENGRCT-ND
  别名：917-EPC2023ENGRCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 5V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 9A 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Ta） 1.5W（Ta） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7806ADN-T1-E3
  仓库库存编号：SI7806ADN-T1-E3CT-ND
  别名：SI7806ADN-T1-E3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 5V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 10A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 48W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：IRLU120NPBF
  仓库库存编号：IRLU120NPBF-ND
  别名：*IRLU120NPBF
  SP001567330
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 5V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 10A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 48W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRL520NPBF
  仓库库存编号：IRL520NPBF-ND
  别名：*IRL520NPBF
  SP001558080
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 5V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 22.5A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 22.5A（Tc） 38W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF30N06L
  仓库库存编号：FQPF30N06L-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 5V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.5A（Ta） 1.4W（Ta）
  
  型号：SI4410BDY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4410BDY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4410BDY-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 5V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• EPC
  TRANS GAN 30V 60A BUMPED DIE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Ta） 模具
  
  型号：EPC2023ENG
  仓库库存编号：917-EPC2023ENG-ND
  别名：917-EPC2023ENG
  EPC2023ENGRC2
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 5V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 80V 37A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 37A（Tc） 79W（Tc） LFPAK33
  
  型号：BUK9M23-80EX
  仓库库存编号：1727-2575-1-ND
  别名：1727-2575-1
  568-13019-1
  568-13019-1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 5V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 55V 80A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 110W（Tc） DPAK
  
  型号：STD65N55LF3
  仓库库存编号：497-10877-1-ND
  别名：497-10877-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 5V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4890DY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4890DY-T1-E3CT-ND
  别名：SI4890DY-T1-E3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 5V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta） 1.5W（Ta），48W（Tj） DPAK-3
  
  型号：STDV3055L104T4G
  仓库库存编号：STDV3055L104T4G-ND
  别名：NTDV3055L104T4G
  NTDV3055L104T4G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 5V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Rohm Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 10A SOP8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Ta） 2W（Ta） 8-SOP
  
  型号：RSH100N03TB1
  仓库库存编号：RSH100N03TB1CT-ND
  别名：RSH100N03TB1CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 5V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 5.7A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 5.7A（Ta） 1.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4431BDY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4431BDY-T1-GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 20nC @ 5V,
• 无铅
• 搜索