以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 80A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 23A（Ta），80A（Tc） 254W（Tc） TO-220AB
  
  型号：FDP8442_F085
  仓库库存编号：FDP8442_F085-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 235nC @ 10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 28A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 28A（Ta） 254W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB8442_F085
  仓库库存编号：FDB8442_F085CT-ND
  别名：FDB8442_F085CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 235nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 100V 200A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 200A（Tc） 830W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK200N10P
  仓库库存编号：IXFK200N10P-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 235nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 100V 200A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 200A（Tc） 830W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXFX200N10P
  仓库库存编号：IXFX200N10P-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 235nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 100V 120A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 120A（Tc） 300W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXTR200N10P
  仓库库存编号：IXTR200N10P-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 235nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 100V 133A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 133A（Tc） 300W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR200N10P
  仓库库存编号：IXFR200N10P-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 235nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 100V 200A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 100V 200A（Tc） 680W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN200N10P
  仓库库存编号：IXFN200N10P-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 235nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 1100V 30A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 1100V 30A（Tc） 960W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXFX30N110P
  仓库库存编号：IXFX30N110P-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 235nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 1100V 30A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 1100V 30A（Tc） 960W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK30N110P
  仓库库存编号：IXFK30N110P-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 235nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 1100V 16A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 1100V 16A（Tc） 320W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR30N110P
  仓库库存编号：IXFR30N110P-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 235nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 1100V 25A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 1100V 25A（Tc） 695W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN30N110P
  仓库库存编号：IXFN30N110P-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 235nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 28A（Ta），80A（Tc） 254W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB8442
  仓库库存编号：FDB8442CT-ND
  别名：FDB8442CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 235nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 80A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 23A（Ta），80A（Tc） 254W（Tc） TO-220AB
  
  型号：FDP8442
  仓库库存编号：FDP8442-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 235nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 80A TO-262
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 23A（Ta），80A（Tc） 254W（Tc） I2PAK（TO-262）
  
  型号：FDI8442
  仓库库存编号：FDI8442-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 235nC @ 10V,
• 无铅
• 搜索