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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N/P-CH 60V 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 60V 4.5A, 3.2A 2W Surface Mount 8-SOIC
  
  型号：AO4612
  仓库库存编号：785-1041-1-ND
  别名：785-1041-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10.5nC @ 10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P CH 30V 4.5A TSOT26
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4.5A（Ta） 1.8W（Ta） TSOT-26
  
  型号：DMP3050LVT-7
  仓库库存编号：DMP3050LVT-7DICT-ND
  别名：DMP3050LVT-7DICT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10.5nC @ 10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N/P-CH 30V 6.6A/6.8A 8SO
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 6.6A, 6.8A 1.8W Surface Mount 8-SO
  
  型号：DMC3028LSD-13
  仓库库存编号：DMC3028LSD-13DICT-ND
  别名：DMC3028LSD-13DICT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10.5nC @ 10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SO
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 10A 1.42W Surface Mount 8-SO
  
  型号：DMG4822SSD-13
  仓库库存编号：DMG4822SSD-13DICT-ND
  别名：DMG4822SSD-13DICT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10.5nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 40V 7A 8SO
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 7A 2.9W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI4286DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4286DY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4286DY-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10.5nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V TO-251-3
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 3.1A（Tc） 28W（Tc） TO-251
  
  型号：IPS65R1K5CEAKMA1
  仓库库存编号：IPS65R1K5CEAKMA1-ND
  别名：SP001276050
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10.5nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 3.2A TO-251
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 3.2A（Tc） 28W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPS65R1K4C6AKMA1
  仓库库存编号：IPS65R1K4C6AKMA1-ND
  别名：SP000991120
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10.5nC @ 10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 30V 7.5A PWRDI3333-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.5A（Ta） 900mW（Ta） PowerDI3333-8
  
  型号：DMN3024SFG-7
  仓库库存编号：DMN3024SFG-7DICT-ND
  别名：DMN3024SFG-7DICT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10.5nC @ 10V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P CH 30V 4.8A 8-SO
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4.8A（Ta） 1.7W（Ta） 8-SO
  
  型号：DMP3050LSS-13
  仓库库存编号：DMP3050LSS-13DICT-ND
  别名：DMP3050LSS-13DICT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10.5nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 12A 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 15.6W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SIS478DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SIS478DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SIS478DN-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10.5nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET NCH 700V 5.4A TO251
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.4A（Tc） 53W（Tc） PG-TO251
  
  型号：IPS70R1K4CEAKMA1
  仓库库存编号：IPS70R1K4CEAKMA1-ND
  别名：SP001467042
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10.5nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 700V 20.5A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 8.5A（Tc） 43W（Tc） PG-TO251
  
  型号：IPS70R600P7SAKMA1
  仓库库存编号：IPS70R600P7SAKMA1-ND
  别名：SP001499714
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10.5nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 600V 5.4A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.4A（Ta） 60W（Tc） DPAK
  
  型号：TK5P60W,RVQ
  仓库库存编号：TK5P60WRVQCT-ND
  别名：TK5P60WRVQCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10.5nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET NCH 700V 5.4A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.4A（Tc） 5W（Tc） PG-SOT223
  
  型号：IPN70R1K5CEATMA1
  仓库库存编号：IPN70R1K5CEATMA1CT-ND
  别名：IPN70R1K5CEATMA1CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10.5nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 700V 5.4A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.4A（Tc） 53W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD70R1K4CEAUMA1
  仓库库存编号：IPD70R1K4CEAUMA1CT-ND
  别名：IPD70R1K4CEAUMA1CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10.5nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 700V 20.5A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8.5A（Tc） 43W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD70R600P7SAUMA1
  仓库库存编号：IPD70R600P7SAUMA1CT-ND
  别名：IPD70R600P7SAUMA1CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10.5nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 500V 4.3A TO251
  详细描述：通孔 N 沟道 4.3A（Tc） 53W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPU50R950CEAKMA1
  仓库库存编号：IPU50R950CEAKMA1-ND
  别名：SP001292872
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10.5nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 600V 5.4A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 5.4A（Ta） 60W（Tc） I-Pak
  
  型号：TK5Q60W,S1VQ
  仓库库存编号：TK5Q60WS1VQ-ND
  别名：TK5Q60W,S1VQ(S
  TK5Q60WS1VQ
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10.5nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N CH 600V 5.4A TO-220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 5.4A（Ta） 30W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK5A60W,S4VX
  仓库库存编号：TK5A60WS4VX-ND
  别名：TK5A60W,S4VX(M
  TK5A60WS4VX
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10.5nC @ 10V,
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  MOSFET N-CH 500V 3.7A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 3.7A（Tc） 25.7W（Tc） TO-220 整包
  
  型号：IPA50R950CEXKSA2
  仓库库存编号：IPA50R950CEXKSA2-ND
  别名：SP001217236
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10.5nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 650V 5.2A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 5.2A（Ta） 60W（Tc） I-Pak
  
  型号：TK5Q65W,S1Q
  仓库库存编号：TK5Q65WS1Q-ND
  别名：TK5Q65W,S1Q(S
  TK5Q65WS1Q
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10.5nC @ 10V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 650V 5.2A TO-220SIS
  详细描述：通孔 N 沟道 5.2A（Ta） 30W（Tc） TO-220SIS
  
  型号：TK5A65W,S5X
  仓库库存编号：TK5A65WS5X-ND
  别名：TK5A65W,S5X(M
  TK5A65WS5X
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10.5nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 3A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 3A（Tc） 60W（Tc） TO-220
  
  型号：STP4N80K5
  仓库库存编号：497-14038-5-ND
  别名：497-14038-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10.5nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 3A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 3A（Tc） 20W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF4N80K5
  仓库库存编号：497-14034-5-ND
  别名：497-14034-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10.5nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET 2N-CH 60V 4.5A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 2W Surface Mount 8-SOIC
  
  型号：AO4828
  仓库库存编号：785-1062-1-ND
  别名：785-1062-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10.5nC @ 10V,
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