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Diodes Incorporated
MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 5.5A 1.8W Surface Mount 8-SO
型号:
ZXMN3G32DN8TA
仓库库存编号:
ZXMN3G32DN8CT-ND
别名:ZXMN3G32DN8CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10.5nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 700V 20.5 TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 8.5A(Tc) 25W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPA70R600P7SXKSA1
仓库库存编号:
IPA70R600P7SXKSA1-ND
别名:SP001499700
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10.5nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
PSMN6R0-25YLD/LFPAK/REEL 7 Q1
详细描述:表面贴装 N 沟道 61A(Tc) 43W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PSMN6R0-25YLDX
仓库库存编号:
1727-2500-1-ND
别名:1727-2500-1
568-12932-1
568-12932-1-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10.5nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET 2N-CH 100V 9.8A LFPAK56
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 9.8A 32W Surface Mount LFPAK56D
型号:
BUK7K134-100EX
仓库库存编号:
1727-2461-1-ND
别名:1727-2461-1
568-12846-1
568-12846-1-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10.5nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 700V 8.5A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 8.5A(Tc) 6.9W(Tc) PG-SOT223
型号:
IPN70R600P7SATMA1
仓库库存编号:
IPN70R600P7SATMA1CT-ND
别名:IPN70R600P7SATMA1CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10.5nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 8POWERFLAT
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.5A(Tc) 38W(Tc) PowerFlat?(5x6)
型号:
STL4N80K5
仓库库存编号:
497-14060-1-ND
别名:497-14060-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10.5nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 3A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 3A(Tc) 60W(Tc) DPAK
型号:
STD4N80K5
仓库库存编号:
497-14033-1-ND
别名:497-14033-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10.5nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 3A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 3A(Tc) 60W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
STU4N80K5
仓库库存编号:
497-14578-5-ND
别名:497-14578-5
STU4N80K5-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10.5nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 4.3A TO251
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 4.3A(Tc) 53W(Tc) PG-TO251
型号:
IPU50R950CEAKMA2
仓库库存编号:
IPU50R950CEAKMA2-ND
别名:SP001396806
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10.5nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO-252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 700V 5.2A(Tc) 53W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD65R1K5CEAUMA1
仓库库存编号:
IPD65R1K5CEAUMA1-ND
别名:SP001422862
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10.5nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET COOLMOS 700V TO251-3
详细描述:通孔 N 沟道 700V 5.4A(Tc) 53W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPSA70R1K4CEAKMA1
仓库库存编号:
IPSA70R1K4CEAKMA1-ND
别名:SP001605398
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10.5nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH TO252-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 3.2A(Tc) 28W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD65R1K4C6ATMA1
仓库库存编号:
IPD65R1K4C6ATMA1-ND
别名:SP001107078
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10.5nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 650V 5.2A(Tc) 30W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPA65R1K5CEXKSA1
仓库库存编号:
IPA65R1K5CEXKSA1-ND
别名:SP001429484
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10.5nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 700V 8.5A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 700V 8.5A(Tc) 24.9W(Tc) PG-TO220 整包
型号:
IPAN70R600P7SXKSA1
仓库库存编号:
IPAN70R600P7SXKSA1-ND
别名:SP001682068
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10.5nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N/P-CH 60V 8DIP
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 60V 2.5W Through Hole 8-PDIP
型号:
AOP607
仓库库存编号:
785-1141-5-ND
别名:785-1141-1
785-1141-1-ND
785-1141-5
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10.5nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 60V 5A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 5A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SOIC
型号:
AO4440
仓库库存编号:
785-1033-2-ND
别名:785-1033-2
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10.5nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N/P-CH 60V 8DIP
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 60V 2.5W Through Hole 8-PDIP
型号:
AOP607
仓库库存编号:
785-1141-2-ND
别名:785-1141-2
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10.5nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 0.6A TO-92
详细描述:通孔 N 沟道 250V 600mA(Ta) 1.8W(Ta) TO-92-3
型号:
IRFN214BTA_FP001
仓库库存编号:
IRFN214BTA_FP001-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10.5nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 2.8A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 250V 2.8A(Tc) 22W(Tc) TO-220F
型号:
IRFS614B_FP001
仓库库存编号:
IRFS614B_FP001-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10.5nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 2.2A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 250V 2.2A(Tc) 2.5W(Ta),25W(Tc) I-Pak
型号:
IRFU214BTU_FP001
仓库库存编号:
IRFU214BTU_FP001-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10.5nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET 2N-CH 60V 4.5A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 2W Surface Mount 8-SO
型号:
AO4828L
仓库库存编号:
AO4828L-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10.5nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 4.3A PG-TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 500V 4.3A(Tc) 25.7W(Tc) PG-TO220FP
型号:
IPA50R950CE
仓库库存编号:
IPA50R950CEIN-ND
别名:IPA50R950CEIN
IPA50R950CEXKSA1
SP000939328
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10.5nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 4.3A PG-TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 4.3A(Tc) 34W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD50R950CEBTMA1
仓库库存编号:
IPD50R950CEBTMA1CT-ND
别名:IPD50R950CEBTMA1CT
IPD50R950CEIN
IPD50R950CEIN-ND
IPD50R950CEINCT-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10.5nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 4.3A TO251
详细描述:通孔 N 沟道 500V 4.3A(Tc) 34W(Tc) PG-TO251-3
型号:
IPU50R950CEBKMA1
仓库库存编号:
IPU50R950CEBKMA1-ND
别名:IPU50R950CE
IPU50R950CE-ND
SP001022956
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10.5nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 4.3A PG-T0252
详细描述:表面贴装 N 沟道 500V 4.3A(Tc) 53W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD50R950CEATMA1
仓库库存编号:
IPD50R950CEATMA1CT-ND
别名:IPD50R950CEATMA1CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 10.5nC @ 10V,
无铅
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