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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 160A（Tc） 283W（Tc） D2PAK（TO-263）
  
  型号：FDB016N04AL7
  仓库库存编号：FDB016N04AL7CT-ND
  别名：FDB016N04AL7CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 167nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 25.3A 8SO
  详细描述：表面贴装 P 沟道 25.3A（Tc） 6W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4143DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4143DY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4143DY-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 167nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 120V 70A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 70A（Tc） 349W（Tc） I2PAK
  
  型号：PSMN7R8-120PSQ
  仓库库存编号：1727-1816-ND
  别名：1727-1816
  568-11431-5
  568-11431-5-ND
  934067448127
  PSMN7R8-120PSQ-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 167nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 120V 70A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 70A（Tc） 349W（Tc） I2PAK
  
  型号：PSMN7R8-120ESQ
  仓库库存编号：1727-1509-ND
  别名：1727-1509
  568-10989-5
  568-10989-5-ND
  934067449127
  PSMN7R8-120ESQ-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 167nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 120A（Tc） 278W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB120N08S403ATMA1
  仓库库存编号：IPB120N08S403ATMA1-ND
  别名：SP000989104
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 167nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 80V 120A（Tc） 278W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP120N08S403AKSA1
  仓库库存编号：IPP120N08S403AKSA1-ND
  别名：SP000989106
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 167nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH TO263-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 180A（Tc） 277W（Tc） PG-TO263-7-3
  
  型号：IPB180N08S402ATMA1
  仓库库存编号：IPB180N08S402ATMA1-ND
  别名：SP000983458
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 167nC @ 10V,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH TO262-3
  详细描述：通孔 N 沟道 80V 120A（Tc） 278W（Tc） PG-TO262-3-1
  
  型号：IPI120N08S403AKSA1
  仓库库存编号：IPI120N08S403AKSA1-ND
  别名：SP000989108
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 167nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 100A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 60V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP050N06N G
  仓库库存编号：IPP050N06NGIN-ND
  别名：IPP050N06N G-ND
  IPP050N06NGIN
  IPP050N06NGX
  IPP050N06NGXK
  SP000204169
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 167nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 100A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB050N06NGATMA1
  仓库库存编号：IPB050N06NGATMA1CT-ND
  别名：IPB050N06NG
  IPB050N06NGINCT
  IPB050N06NGINCT-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 167nC @ 10V,
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