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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 6A 1206-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 6A（Tc） 2.5W（Ta），6.3W（Tc） 1206-8 ChipFET?
  
  型号：SI5471DC-T1-GE3
  仓库库存编号：SI5471DC-T1-GE3CT-ND
  别名：SI5471DC-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 96nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 13A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 13A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：FDS6679AZ
  仓库库存编号：FDS6679AZCT-ND
  别名：FDS6679AZCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 96nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 60A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 60A（Tc） 1040W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH60N50P3
  仓库库存编号：IXFH60N50P3-ND
  别名：625876
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 96nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 238W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：PSMN1R4-40YLDX
  仓库库存编号：1727-1857-1-ND
  别名：1727-1857-1
  568-11553-1
  568-11553-1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 96nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 60A TO3P
  详细描述：通孔 N 沟道 60A（Tc） 1040W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXFQ60N50P3
  仓库库存编号：IXFQ60N50P3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 96nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 80V 90A H2PAK-2
  详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 200W（Tc） H2PAK
  
  型号：STH140N8F7-2
  仓库库存编号：497-14534-1-ND
  别名：497-14534-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 96nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 30A TO220-FP
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 34W（Tc） PG-TO-220-FP
  
  型号：IPA60R125C6
  仓库库存编号：IPA60R125C6-ND
  别名：IPA60R125C6XKSA1
  SP000685848
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 96nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 30A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 390W（Tc） TO-247AC
  
  型号：SIHG32N50D-GE3
  仓库库存编号：SIHG32N50D-GE3-ND
  别名：SIHG32N50DGE3
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 96nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 650V 15A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 15A（Tc） 34W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SIHP15N65E-GE3
  仓库库存编号：SIHP15N65E-GE3-ND
  别名：SIHP15N65E-GE3CT
  SIHP15N65E-GE3CT-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 96nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 30A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 219W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP60R125C6
  仓库库存编号：IPP60R125C6-ND
  别名：IPP60R125C6XKSA1
  SP000685844
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 96nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 30A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 219W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW60R125C6
  仓库库存编号：IPW60R125C6-ND
  别名：IPW60R125C6FKSA1
  SP000641912
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 96nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 650V 15A PWRPAK 8X8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Tc） 156W（Tc） PowerPAK? 8 x 8
  
  型号：SIHH14N65E-T1-GE3
  仓库库存编号：SIHH14N65E-T1-GE3CT-ND
  别名：SIHH14N65E-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 96nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 90A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 90A（Tc） 375W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SUP90140E-GE3
  仓库库存编号：SUP90140E-GE3-ND
  别名：SUP90140E-GE3CT
  SUP90140E-GE3CT-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 96nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 20A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 33W（Tc） TO-220 整包
  
  型号：SIHA22N60AE-E3
  仓库库存编号：SIHA22N60AE-E3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 96nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 80V 90A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 90A（Tc） 200W（Tc） TO-220
  
  型号：STP140N8F7
  仓库库存编号：497-14569-5-ND
  别名：497-14569-5
  STP140N8F7-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 96nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 20A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 179W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SIHP22N60AE-GE3
  仓库库存编号：SIHP22N60AE-GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 96nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 20A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Tc） 179W（Tc） D2PAK（TO-263）
  
  型号：SIHB22N60AE-GE3
  仓库库存编号：SIHB22N60AE-GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 96nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 20A TO247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 179W（Tc） TO-247AC
  
  型号：SIHG22N60AE-GE3
  仓库库存编号：SIHG22N60AE-GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 96nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 80V POWERFLAT5X6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 130A（Tc） 135W（Tc） PowerFlat?（5x6）
  
  型号：STL130N8F7
  仓库库存编号：497-13965-1-ND
  别名：497-13965-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 96nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 30A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 219W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB60R125C6
  仓库库存编号：IPB60R125C6CT-ND
  别名：IPB60R125C6CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 96nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 41A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 41A（Tc） 378W（Tc） SOT-227
  
  型号：APT5010JLLU2
  仓库库存编号：APT5010JLLU2-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 96nC @ 10V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 41A SOT227
  详细描述：底座安装 N 沟道 41A（Tc） 378W（Tc） SOT-227
  
  型号：APT5010JLLU3
  仓库库存编号：APT5010JLLU3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 96nC @ 10V,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 60V 5X6DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Ta），81A（Tc） 2.3W（Ta），83W（Tc） 8-DFN（5x6）
  
  型号：AON6444
  仓库库存编号：785-1227-1-ND
  别名：785-1227-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 96nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 80V 90A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 200W（Tc） H2Pak-2
  
  型号：STH145N8F7-2AG
  仓库库存编号：497-16315-1-ND
  别名：497-16315-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 96nC @ 10V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 60A TO268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 1040W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT60N50P3
  仓库库存编号：IXFT60N50P3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 96nC @ 10V,
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