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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 52A
  详细描述：通孔 N 沟道 52A（Tc） 481W（Tc） TO-247 长引线
  
  型号：FCH070N60E
  仓库库存编号：FCH070N60E-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 166nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 80V 140A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3
  
  型号：IPB020N08N5ATMA1
  仓库库存编号：IPB020N08N5ATMA1CT-ND
  别名：IPB020N08N5ATMA1CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 166nC @ 10V,
• 无铅
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• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 25A ISO264
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 25A（Tc） 250W（Tc） ISO264?
  
  型号：IXKG25N80C
  仓库库存编号：IXKG25N80C-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 166nC @ 10V,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 80V 120A（Tc） 300W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP023N08N5AKSA1
  仓库库存编号：IPP023N08N5AKSA1-ND
  别名：SP001132482
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 166nC @ 10V,
• 无铅
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 100V 50A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 50A（Tc） 180W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP50NE10
  仓库库存编号：497-2644-5-ND
  别名：497-2644-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 166nC @ 10V,
• 含铅
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 100V 50A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 50A（Tc） 180W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB50NE10T4
  仓库库存编号：STB50NE10T4-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 166nC @ 10V,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 90A TO263-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 90A（Tc） 167W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB022N04LGATMA1
  仓库库存编号：IPB022N04LGATMA1CT-ND
  别名：IPB022N04L GCT
  IPB022N04L GCT-ND
  IPB022N04LG
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 166nC @ 10V,
• 无铅
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