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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 20V 4.1A 8TSSOP
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 4.1A 830mW Surface Mount 8-TSSOP
  
  型号：SI6926ADQ-T1-E3
  仓库库存编号：SI6926ADQ-T1-E3CT-ND
  别名：SI6926ADQ-T1-E3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10.5nC @ 4.5V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 8V 10A U-WLB1515-9
  详细描述：表面贴装 P 沟道 10A（Ta） 890mW（Ta） U-WLB1515-9
  
  型号：DMP1011UCB9-7
  仓库库存编号：DMP1011UCB9-7DICT-ND
  别名：DMP1011UCB9-7DICT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10.5nC @ 4.5V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 8A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SOP
  
  型号：TSM4436CS RLG
  仓库库存编号：TSM4436CS RLGTR-ND
  别名：TSM4436CS RLGTR
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10.5nC @ 4.5V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 8A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SOP
  
  型号：TSM4436CS RLG
  仓库库存编号：TSM4436CS RLGCT-ND
  别名：TSM4436CS RLGCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10.5nC @ 4.5V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 8A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SOP
  
  型号：TSM4436CS RLG
  仓库库存编号：TSM4436CS RLGDKR-ND
  别名：TSM4436CS RLGDKR
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10.5nC @ 4.5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 6A CPH6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 6A（Ta） 1.6W（Ta） 6-CPH
  
  型号：CPH6347-TL-W
  仓库库存编号：CPH6347-TL-WOSCT-ND
  别名：CPH6347-TL-WOSCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10.5nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 20V 4.1A 8-TSSOP
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 4.1A 830mW Surface Mount 8-TSSOP
  
  型号：SI6926ADQ-T1-GE3
  仓库库存编号：SI6926ADQ-T1-GE3CT-ND
  别名：SI6926ADQ-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10.5nC @ 4.5V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 3.5A TSMT6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3.5A（Ta） 1.25W（Ta） TSMT6（SC-95）
  
  型号：RTQ035P02TR
  仓库库存编号：RTQ035P02CT-ND
  别名：RTQ035P02CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10.5nC @ 4.5V,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 8V 10A
  详细描述：表面贴装 P 沟道 10A（Ta） 890mW（Ta） U-WLB1515-9
  
  型号：DMP1012UCB9-7
  仓库库存编号：DMP1012UCB9-7-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10.5nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 30V 8.4A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 8.4A, 8A 2.7W, 3.1W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI4914BDY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4914BDY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4914BDY-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10.5nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 30V 8.4A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 8.4A, 8A 2.7W, 3.1W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI4914BDY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4914BDY-T1-E3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10.5nC @ 4.5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 16V 7.6A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 16V 7.6A（Ta），34.5A（Tc） 1.2W（Ta），25.9W（Tc） I-Pak
  
  型号：NTD3817N-1G
  仓库库存编号：NTD3817N-1G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10.5nC @ 4.5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 16V 7.6A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 16V 7.6A（Ta），34.5A（Tc） 1.2W（Ta），25.9W（Tc） I-Pak
  
  型号：NTD3817N-35G
  仓库库存编号：NTD3817N-35G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10.5nC @ 4.5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 16V 7.6A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16V 7.6A（Ta），34.5A（Tc） 1.2W（Ta），25.9W（Tc） DPAK
  
  型号：NTD3817NT4G
  仓库库存编号：NTD3817NT4G-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10.5nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 9.5A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 9.5A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4354DY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4354DY-T1-E3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10.5nC @ 4.5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 9.5A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 9.5A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4354DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4354DY-T1-GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10.5nC @ 4.5V,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 6A CPH6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 6A（Ta） 1.6W（Ta） 6-CPH
  
  型号：CPH6347-TL-H
  仓库库存编号：CPH6347-TL-H-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10.5nC @ 4.5V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 10A（Ta） 45W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：TSM10N06CP ROG
  仓库库存编号：TSM10N06CP ROGTR-ND
  别名：TSM10N06CP ROGTR
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10.5nC @ 4.5V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 10A（Ta） 45W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：TSM10N06CP ROG
  仓库库存编号：TSM10N06CP ROGCT-ND
  别名：TSM10N06CP ROGCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10.5nC @ 4.5V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 10A（Ta） 45W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：TSM10N06CP ROG
  仓库库存编号：TSM10N06CP ROGDKR-ND
  别名：TSM10N06CP ROGDKR
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 10.5nC @ 4.5V,
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