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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 240V 200MA SOT23-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 200mA(Ta) 360mW(Ta) SOT-23-3(TO-236)
型号:
TN2404K-T1-E3
仓库库存编号:
TN2404K-T1-E3CT-ND
别名:TN2404K-T1-E3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.2A(Ta) 1.14W(Ta) 6-TSOP
型号:
SI3440DV-T1-E3
仓库库存编号:
SI3440DV-T1-E3CT-ND
别名:SI3440DV-T1-E3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 30V 3A SOT23
详细描述:表面贴装 P 沟道 3A(Ta) 1.4W(Ta) SOT-23-3L
型号:
AO3421E
仓库库存编号:
785-1459-1-ND
别名:785-1459-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 2.7A SOT23-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.7A(Tc) 1W(Ta),2.3W(Tc) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SI2303CDS-T1-GE3
仓库库存编号:
SI2303CDS-T1-GE3CT-ND
别名:SI2303CDS-T1-GE3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 6-TSOP
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 2.9A 1.4W Surface Mount 6-TSOP
型号:
SI3993CDV-T1-GE3
仓库库存编号:
SI3993CDV-T1-GE3CT-ND
别名:SI3993CDV-T1-GE3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.2A(Ta) 1.14W(Ta) 6-TSOP
型号:
SI3440DV-T1-GE3
仓库库存编号:
SI3440DV-T1-GE3CT-ND
别名:SI3440DV-T1-GE3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 100V 1.8A 1212-8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 1.8A 1.3W Surface Mount PowerPAK? 1212-8 Dual
型号:
SI7922DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7922DN-T1-GE3CT-ND
别名:SI7922DN-T1-GE3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V MICRO FOOT
详细描述:表面贴装 N 沟道 500mW(Ta) 4-Microfoot
型号:
SI8816EDB-T2-E1
仓库库存编号:
SI8816EDB-T2-E1CT-ND
别名:SI8816EDB-T2-E1CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 500V 2.8A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.8A(Tc) 57W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
AOD3N50
仓库库存编号:
785-1175-1-ND
别名:785-1175-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 0.35A TO-92-3
详细描述:通孔 N 沟道 350mA(Tc) 1.5W(Tc) TO-92-3
型号:
FQNL2N50BTA
仓库库存编号:
FQNL2N50BTACT-ND
别名:FQNL2N50BTACT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 100V 1.8A 1212-8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 1.8A 1.3W Surface Mount PowerPAK? 1212-8 Dual
型号:
SI7922DN-T1-E3
仓库库存编号:
SI7922DN-T1-E3CT-ND
别名:SI7922DN-T1-E3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 500V 2.8A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 2.8A(Tc) 57W(Tc) TO-251-3
型号:
AOU3N50
仓库库存编号:
785-1176-5-ND
别名:785-1176-5
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 2.7A SOT23-3
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 2.7A(Tc) 2.3W(Tc) SOT-23-3(TO-236)
型号:
SI2303CDS-T1-E3
仓库库存编号:
SI2303CDS-T1-E3CT-ND
别名:SI2303CDS-T1-E3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 240V 200MA TO236
详细描述:表面贴装 N 沟道 240V 200mA(Ta) 360mW(Ta)
型号:
TN2404K-T1-GE3
仓库库存编号:
TN2404K-T1-GE3CT-ND
别名:TN2404K-T1-GE3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 1.6A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 1.6A(Tc) 2.5W(Ta),30W(Tc) I-Pak
型号:
FQU2N50BTU_WS
仓库库存编号:
FQU2N50BTU_WS-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8nC @ 10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
30V NCH+NCH MIDDLE POWER MOSFET
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8A 2.8W Surface Mount 8-SOP
型号:
SH8KA2GZETB
仓库库存编号:
SH8KA2GZETBCT-ND
别名:SH8KA2GZETBCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 7.5A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.5A(Tc) 3.7W(Ta),23W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR698DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR698DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR698DP-T1-GE3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.5A(Tc) 60W(Tc) D2PAK
型号:
STB6N60M2
仓库库存编号:
497-13934-1-ND
别名:497-13934-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8nC @ 10V,
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Diodes Incorporated
MOSFET N/P-CH 30V 8-MSOP
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 30V 1.04W Surface Mount 8-MSOP
型号:
ZXMD63C03XTA
仓库库存编号:
ZXMD63C03XCT-ND
别名:ZXMD63C03X
ZXMD63C03XCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8nC @ 10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET 2N-CH 30V 2.3A 8-MSOP
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 2.3A 1.04W Surface Mount 8-MSOP
型号:
ZXMD63N03XTA
仓库库存编号:
ZXMD63N03XCT-ND
别名:ZXMD63N03X
ZXMD63N03XCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8nC @ 10V,
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 39A LFPAK33
详细描述:表面贴装 N 沟道 39A(Tc) 38W(Tc) LFPAK33
型号:
PSMN013-30MLC,115
仓库库存编号:
1727-7138-1-ND
别名:1727-7138-1
568-9571-1
568-9571-1-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8nC @ 10V,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 1.3A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 1.3A(Tc) 41.7W(Tc) TO-220
型号:
AOT1N60
仓库库存编号:
785-1184-5-ND
别名:785-1184-5
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 200V 2.8A TO-220
详细描述:通孔 P 沟道 2.8A(Tc) 52W(Tc) TO-220AB
型号:
FQP3P20
仓库库存编号:
FQP3P20-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 4.5A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 4.5A(Tc) 28W(Tc) TO-220F
型号:
FDPF5N50FT
仓库库存编号:
FDPF5N50FT-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 4.5A(Tc) 60W(Tc) TO-220
型号:
STP6N60M2
仓库库存编号:
497-13974-5-ND
别名:497-13974-5
STP6N60M2-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8nC @ 10V,
无铅
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