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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 4.3A(Tc) 2.5W(Ta),25W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR110TRPBF
仓库库存编号:
IRFR110PBFCT-ND
别名:*IRFR110TRPBF
IRFR110PBFCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8.3nC @ 10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT-23
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.4A(Ta) 1.3W(Ta) SOT-23
型号:
DMN10H220L-7
仓库库存编号:
DMN10H220L-7DICT-ND
别名:DMN10H220L-7DICT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8.3nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.5A(Tc) 2W(Ta),3.1W(Tc) SOT-223
型号:
IRFL110TRPBF
仓库库存编号:
IRFL110PBFCT-ND
别名:*IRFL110TRPBF
IRFL110PBFCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8.3nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP
详细描述:通孔 N 沟道 1A(Ta) 1.3W(Ta) 4-DIP,Hexdip,HVMDIP
型号:
IRFD110PBF
仓库库存编号:
IRFD110PBF-ND
别名:*IRFD110PBF
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8.3nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 4.3A I-PAK
详细描述:通孔 N 沟道 4.3A(Tc) 25W(Tc) TO-251AA
型号:
IRFU110PBF
仓库库存编号:
IRFU110PBF-ND
别名:*IRFU110PBF
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8.3nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 5.6A(Tc) 43W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF510PBF
仓库库存编号:
IRF510PBF-ND
别名:*IRF510PBF
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8.3nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.6A(Tc) 3.7W(Ta),43W(Tc) D2PAK
型号:
IRF510SPBF
仓库库存编号:
IRF510SPBF-ND
别名:*IRF510SPBF
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8.3nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 4.5A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 4.5A(Tc) 27W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFI510GPBF
仓库库存编号:
IRFI510GPBF-ND
别名:*IRFI510GPBF
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8.3nC @ 10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 100V 1.87A TSOT26
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.87A(Ta) 1.67W(Ta) TSOT-26
型号:
DMN10H220LVT-7
仓库库存编号:
DMN10H220LVT-7DICT-ND
别名:DMN10H220LVT-7DICT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8.3nC @ 10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.3A(Ta) 1.8W(Ta) SOT-223
型号:
DMN10H220LE-13
仓库库存编号:
DMN10H220LE-13DICT-ND
别名:DMN10H220LE-13DICT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8.3nC @ 10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 5A CPT3
详细描述:表面贴装 N 沟道 5A(Tc) 850mW(Ta),20W(Tc) CPT3
型号:
RCD051N20TL
仓库库存编号:
RCD051N20TLCT-ND
别名:RCD051N20TLCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8.3nC @ 10V,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 30V 32A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 32A(Tc) 26W(Tc) LFPAK56,Power-SO8
型号:
PSMN013-30YLC,115
仓库库存编号:
1727-6496-1-ND
别名:1727-6496-1
568-8528-1
568-8528-1-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8.3nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 650V 4A X2 TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 4A(Tc) 80W(Tc) TO-220
型号:
IXTP4N65X2
仓库库存编号:
IXTP4N65X2-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8.3nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 650V 4A X2 TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 4A(Tc) 80W(Tc) TO-263
型号:
IXTA4N65X2
仓库库存编号:
IXTA4N65X2-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8.3nC @ 10V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 60V 2A SOT23F
详细描述:表面贴装 P 沟道 2A(Ta) 1W(Ta) SOT-23F
型号:
SSM3J356R,LF
仓库库存编号:
SSM3J356RLFCT-ND
别名:SSM3J356RLFCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8.3nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.6A(Tc) 3.7W(Ta),43W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
IRF510STRRPBF
仓库库存编号:
IRF510STRRPBFCT-ND
别名:IRF510STRRPBFCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8.3nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 650V 4A X2 TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 4A(Tc) 80W(Tc) TO-252
型号:
IXTY4N65X2
仓库库存编号:
IXTY4N65X2-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8.3nC @ 10V,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 61V 100V SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.6A(Ta) 1.3W(Ta) SOT-23-3
型号:
DMN10H220LQ-13
仓库库存编号:
DMN10H220LQ-13-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8.3nC @ 10V,
搜索
Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 61V 100V SOT23
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.6A(Ta) 1.3W(Ta) SOT-23-3
型号:
DMN10H220LQ-7
仓库库存编号:
DMN10H220LQ-7-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8.3nC @ 10V,
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N/P-CH 40V 6A/5A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 40V 6A, 5A 2W Surface Mount 8-SOIC
型号:
AO4614A
仓库库存编号:
785-1042-2-ND
别名:785-1042-2
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8.3nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 100V 5.6A(Tc) 43W(Tc) TO-220AB
型号:
IRF510
仓库库存编号:
IRF510-ND
别名:*IRF510
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8.3nC @ 10V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP
详细描述:通孔 N 沟道 100V 1A(Ta) 1.3W(Ta) 4-DIP,Hexdip,HVMDIP
型号:
IRFD110
仓库库存编号:
IRFD110-ND
别名:*IRFD110
IRFD111
IRFD112
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8.3nC @ 10V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 4.3A(Tc) 2.5W(Ta),25W(Tc) D-Pak
型号:
IRFR110
仓库库存编号:
IRFR110-ND
别名:*IRFR110
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8.3nC @ 10V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 100V 5.6A(Tc) 3.7W(Ta),43W(Tc) D2PAK
型号:
IRF510S
仓库库存编号:
IRF510S-ND
别名:*IRF510S
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8.3nC @ 10V,
含铅
搜索
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 4.5A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 100V 4.5A(Tc) 27W(Tc) TO-220-3
型号:
IRFI510G
仓库库存编号:
IRFI510G-ND
别名:*IRFI510G
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 8.3nC @ 10V,
含铅
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