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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8-SO
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 3.5A 1W Surface Mount 8-SO
  
  型号：FDS9945
  仓库库存编号：FDS9945CT-ND
  别名：FDS9945CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 5V,
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• EPC
  TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 48A（Ta） 模具
  
  型号：EPC2029
  仓库库存编号：917-1107-1-ND
  别名：917-1107-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.5A（Ta） 1.3W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4800BDY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4800BDY-T1-E3CT-ND
  别名：SI4800BDY-T1-E3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 5V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 15.7A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 15.7A（Tc） 30W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF20N06L
  仓库库存编号：FQPF20N06LFS-ND
  别名：FQPF20N06L-ND
  FQPF20N06LFS
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 5V,
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• Micro Commercial Co
  N-CHANNEL MOSFET, SOP-8 PACKAGE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Ta） 1.4W（Ta） 8-SOP
  
  型号：MCQ4406-TP
  仓库库存编号：MCQ4406-TPMSCT-ND
  别名：MCQ4406-TPMSCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 5V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 5A TSST8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 5A（Ta） 1.25W（Ta） 8-TSST
  
  型号：RT1E050RPTR
  仓库库存编号：RT1E050RPCT-ND
  别名：RT1E050RPTRCT
  RT1E050RPTRCT-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.5A（Ta） 1.3W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4800BDY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4800BDY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4800BDY-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 5V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 7.9A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.9A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：FDS4488
  仓库库存编号：FDS4488CT-ND
  别名：FDS4488CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 5V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 17.2A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 17.2A（Tc） 2.5W（Ta），38W（Tc） I-Pak
  
  型号：FQU20N06LTU
  仓库库存编号：FQU20N06LTUFS-ND
  别名：FQU20N06LTU-ND
  FQU20N06LTUFS
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.3A（Ta） 1.4W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4812BDY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4812BDY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4812BDY-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.3A（Ta） 1.4W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4812BDY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4812BDY-T1-E3CT-ND
  别名：SI4812BDY-T1-E3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 5V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N/P-CH 30V 6A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 6A 1W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI4542DY
  仓库库存编号：SI4542DYCT-ND
  别名：SI4542DYCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 29A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 29A（Tc） 68W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD350N06LGBTMA1
  仓库库存编号：IPD350N06LGBTMA1CT-ND
  别名：IPD350N06LGBTMA1CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 5V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 21A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 21A（Tc） 53W（Tc） TO-220AB
  
  型号：FQP20N06L
  仓库库存编号：FQP20N06L-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 6.5A PPAK 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.5A（Ta） 1.5W（Ta） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7326DN-T1-E3
  仓库库存编号：SI7326DN-T1-E3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 6.5A PPAK 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.5A（Ta） 1.5W（Ta） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7326DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7326DN-T1-GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 5V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 5A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 5A（Ta） 2W（Ta） 8-SOP
  
  型号：RSS050P03TB
  仓库库存编号：RSS050P03TBCT-ND
  别名：RSS050P03TBCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 5V,
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• Rohm Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 5A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 5A（Ta） 2W（Ta） 8-SOP
  
  型号：RSS050P03FU6TB
  仓库库存编号：RSS050P03FU6TB-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 6.5A 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.5A（Ta） 1.5W（Ta） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7804DN-T1-E3
  仓库库存编号：SI7804DN-T1-E3TR-ND
  别名：SI7804DN-T1-E3TR
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 6.5A 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.5A（Ta） 1.5W（Ta） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7804DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7804DN-T1-GE3-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 10.5A 2X2 6MFP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 10.5A（Tc） 2.77W（Ta），13W（Tc） 6-Micro Foot?
  
  型号：SI8441DB-T2-E1
  仓库库存编号：SI8441DB-T2-E1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 5V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 17.2A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 17.2A（Tc） 2.5W（Ta），38W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD20N06LTM
  仓库库存编号：FQD20N06LTM-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 5V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 17.2A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 17.2A（Tc） 2.5W（Ta），38W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD20N06LETM
  仓库库存编号：FQD20N06LETM-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 5V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 17.2A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 17.2A（Tc） 2.5W（Ta），38W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD20N06LTF
  仓库库存编号：FQD20N06LTF-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 5V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 21A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 21A（Tc） 3.75W（Ta），53W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB20N06LTM
  仓库库存编号：FQB20N06LTM-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 5V,
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