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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 6.3A 6-SSOT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 6.3A（Ta） 1.6W（Ta） SuperSOT?-6
  
  型号：FDC655AN
  仓库库存编号：FDC655AN-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 5V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 55V 35A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 35A（Tc） 7.5W（Ta），50W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：SUD35N05-26L-E3
  仓库库存编号：SUD35N05-26L-E3CT-ND
  别名：SUD35N05-26L-E3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 5V,
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• EPC
  TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80V 31A（Ta） 模具
  
  型号：EPC2029ENGRT
  仓库库存编号：917-EPC2029ENGRCT-ND
  别名：917-EPC2029CENGRCT
  917-EPC2029CENGRCT-ND
  917-EPC2029CENGRTCT
  917-EPC2029CENGRTCT-ND
  917-EPC2029ENGRCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 5V,
• 无铅
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• EPC
  TRANS GAN 100V 60A BUMPED DIE
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 90A（Ta） 模具
  
  型号：EPC2022ENGRT
  仓库库存编号：917-EPC2022ENGRCT-ND
  别名：917-1140-1
  917-1140-1-ND
  917-EPC2022ENGRCT\
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 5V,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 50A TO-251
  详细描述：通孔 N 沟道 25V 50A（Tc） 63W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPU09N03LA G
  仓库库存编号：IPU09N03LAGIN-ND
  别名：IPU09N03LA
  IPU09N03LAGIN
  IPU09N03LAGX
  IPU09N03LAGXTIN
  IPU09N03LAGXTIN-ND
  IPU09N03LAIN
  IPU09N03LAIN-ND
  SP000017511
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 5V,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 50A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 25V 50A（Tc） 63W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP09N03LA
  仓库库存编号：IPP09N03LAIN-ND
  别名：IPP09N03LAIN
  IPP09N03LAX
  IPP09N03LAX-ND
  SP000014031
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 50A（Tc） 63W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB09N03LA
  仓库库存编号：IPB09N03LAINTR-ND
  别名：IPB09N03LAINTR
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 5V,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 50A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 50A（Tc） 63W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD09N03LA G
  仓库库存编号：IPD09N03LAGINCT-ND
  别名：IPD09N03LAGINCT
  IPD09N03LAGXTINCT
  IPD09N03LAGXTINCT-ND
  IPD09N03LAINCT
  IPD09N03LAINCT-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 5V,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 50A（Tc） 63W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB09N03LAT
  仓库库存编号：IPB09N03LAT-ND
  别名：SP000016271
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 5V,
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• NXP USA Inc.
  MOSFET N-CH 25V 75A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 25V 75A（Tc） 93W（Tc） TO-220AB
  
  型号：PHP78NQ03LT,127
  仓库库存编号：PHP78NQ03LT,127-ND
  别名：934056887127
  PHP78NQ03LT
  PHP78NQ03LT-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 50A（Tc） 63W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB09N03LA G
  仓库库存编号：IPB09N03LA G-ND
  别名：IPB09N03LAGXT
  SP000068859
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 50A（Tc） 58W（Tc） PG-TO263-3
  
  型号：IPB10N03LB
  仓库库存编号：IPB10N03LB-ND
  别名：IPB10N03LBT
  SP000064220
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 50A（Tc） 58W（Tc） PG-TO263-3
  
  型号：IPB10N03LB G
  仓库库存编号：IPB10N03LB G-ND
  别名：IPB10N03LBGXT
  SP000103305
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 50A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 50A（Tc） 58W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD09N03LB G
  仓库库存编号：IPD09N03LB G-ND
  别名：IPD09N03LBGXT
  SP000016412
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 5V,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 50A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 50A（Tc） 63W（Tc） P-TO252-3
  
  型号：IPF09N03LA
  仓库库存编号：IPF09N03LA-ND
  别名：IPF09N03LAT
  SP000014623
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 5V,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 50A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 50A（Tc） 63W（Tc） P-TO252-3
  
  型号：IPF09N03LA G
  仓库库存编号：IPF09N03LA G-ND
  别名：IPF09N03LAGXT
  SP000017608
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 50A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 25V 50A（Tc） 63W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI09N03LA
  仓库库存编号：IPI09N03LA-ND
  别名：IPI09N03LAX
  SP000014032
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 5V,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 50A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 50A（Tc） 58W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP10N03LB G
  仓库库存编号：IPP10N03LBGIN-ND
  别名：IPP10N03LB G-ND
  IPP10N03LBGIN
  IPP10N03LBGX
  IPP10N03LBGXK
  SP000064222
  SP000680860
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 50A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 25V 50A（Tc） 63W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPS09N03LA G
  仓库库存编号：IPS09N03LA G-ND
  别名：IPS09N03LAGX
  SP000015131
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 5V,
• 无铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 50A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 50A（Tc） 58W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPS09N03LB G
  仓库库存编号：IPS09N03LB G-ND
  别名：IPS09N03LBGX
  IPS09N03LBGXK
  SP000220142
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 50A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 50A（Tc） 58W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPU09N03LB G
  仓库库存编号：IPU09N03LB G-ND
  别名：IPU09N03LBGX
  SP000209115
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 5V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 9A 8DSO
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 9A（Ta） 1.56W（Ta） PG-DSO-8
  
  型号：BSO119N03S
  仓库库存编号：BSO119N03SINCT-ND
  别名：BSO119N03SINCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 13nC @ 5V,
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