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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 100A TDSON-8
详细描述:表面贴装 P 沟道 25.4A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),125W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC030P03NS3 G
仓库库存编号:
BSC030P03NS3 GCT-ND
别名:BSC030P03NS3 GCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 186nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 89A
详细描述:表面贴装 N 沟道 89A(Tc) 96W(Tc) DirectFET? Isometric ME
型号:
IRF7780MTRPBF
仓库库存编号:
IRF7780MTRPBFCT-ND
别名:IRF7780MTRPBFCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 186nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 28A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 28A(Tc) 690W(Tc) TO-264 [L]
型号:
APT10035LLLG
仓库库存编号:
APT10035LLLG-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 186nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 52A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 500V 50A(Tc) 625W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN64N50PD3
仓库库存编号:
IXFN64N50PD3-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 186nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 52A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 500V 52A(Tc) 625W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN64N50PD2
仓库库存编号:
IXFN64N50PD2-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 186nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 30A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 30A(Tc) 735W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:
IXFK30N100Q2
仓库库存编号:
IXFK30N100Q2-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 186nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 30A PLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 30A(Tc) 735W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXFX30N100Q2
仓库库存编号:
IXFX30N100Q2-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 186nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 28A(Tc) 690W(Tc) T-MAX? [B2]
型号:
APT10035B2FLLG
仓库库存编号:
APT10035B2FLLG-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 186nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 25A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 1000V 25A(Tc) 520W(Tc) ISOTOP?
型号:
APT10035JLL
仓库库存编号:
APT10035JLL-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 186nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 1000V (1kV) 22A 390W Chassis Mount SP3
型号:
APTM100DDA35T3G
仓库库存编号:
APTM100DDA35T3G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 186nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 1000V (1kV) 22A 390W Chassis Mount SP3
型号:
APTM100DSK35T3G
仓库库存编号:
APTM100DSK35T3G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 186nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 4N-CH 1000V 22A SP3
详细描述:Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 1000V (1kV) 22A 390W Chassis Mount SP3
型号:
APTM100H35FT3G
仓库库存编号:
APTM100H35FT3G-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 186nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 4N-CH 1000V 22A SP4
详细描述:Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 1000V (1kV) 22A 390W Chassis Mount SP4
型号:
APTM100H35FTG
仓库库存编号:
APTM100H35FTG-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 186nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 6N-CH 1000V 22A SP6-P
详细描述:Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 1000V (1kV) 22A 390W Chassis Mount SP6-P
型号:
APTM100TA35FPG
仓库库存编号:
APTM100TA35FPG-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 186nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET 6N-CH 1000V 22A SP6P
详细描述:Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 1000V (1kV) 22A 390W Chassis Mount SP6-P
型号:
APTM100TA35SCTPG
仓库库存编号:
APTM100TA35SCTPG-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 186nC @ 10V,
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX
详细描述:通孔 N 沟道 1000V 28A(Tc) 690W(Tc) T-MAX? [B2]
型号:
APT10035B2LLG
仓库库存编号:
APT10035B2LLG-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 186nC @ 10V,
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Microsemi Corporation
MOSFET 6N-CH 1000V 22A SP6-P
详细描述:Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 1000V (1kV) 22A 390W Chassis Mount SP6-P
型号:
APTM100TDU35PG
仓库库存编号:
APTM100TDU35PG-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 186nC @ 10V,
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