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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 30V 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 11A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：FDS6675BZ
  仓库库存编号：FDS6675BZCT-ND
  别名：FDS6675BZCT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 62nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8A 3.1W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI4922BDY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4922BDY-T1-E3CT-ND
  别名：SI4922BDY-T1-E3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 62nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 40V 18A 1212-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 18A（Tc） 3.7W（Ta），39W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7611DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7611DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7611DN-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 62nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N CH 100V 16A POWER56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Ta），60A（Tc） 2.7W（Ta），156W（Tc） Power56
  
  型号：FDMS86150
  仓库库存编号：FDMS86150CT-ND
  别名：FDMS86150CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 62nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 16A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Tc） 90W（Tc） TO-252AA
  
  型号：RFD16N06LESM9A
  仓库库存编号：RFD16N06LESM9ACT-ND
  别名：RFD16N06LESM9ACT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 62nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 100V 50A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 125W（Tc） D-Pak
  
  型号：STD40NF10
  仓库库存编号：497-7969-1-ND
  别名：497-7969-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 62nC @ 10V,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 100A（Tc） 259W（Tc） TO-220-3
  
  型号：CSD18502KCS
  仓库库存编号：296-34940-5-ND
  别名：296-34940-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 62nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 400V 11A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 150W（Tc） TO-247-3
  
  型号：IRFP340PBF
  仓库库存编号：IRFP340PBF-ND
  别名：*IRFP340PBF
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 62nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N CH 550V 33A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 33A（Tc） 190W（Tc） TO-220
  
  型号：STP36N55M5
  仓库库存编号：497-13275-5-ND
  别名：497-13275-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 62nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N CH 600V 15A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 15A（Tc） 36W（Tc） TO-220F-3
  
  型号：FCPF260N60E
  仓库库存编号：FCPF260N60E-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 62nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 75A（Tc） 182W（Tc） D2PAK
  
  型号：BUK766R0-60E,118
  仓库库存编号：1727-7256-1-ND
  别名：1727-7256-1
  568-9885-1
  568-9885-1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 62nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 11A POWERPAK8X8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Tc） 114W（Tc） PowerPAK? 8 x 8
  
  型号：SIHH11N60EF-T1-GE3
  仓库库存编号：SIHH11N60EF-T1-GE3CT-ND
  别名：SIHH11N60EF-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 62nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 65A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 65A（Tc） 100W（Tj） Power56
  
  型号：FDMS9409_F085
  仓库库存编号：FDMS9409_F085CT-ND
  别名：FDMS9409_F085CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 62nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 20V 16.5A POWER33
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16.5A（Tc） 2W（Ta），41W（Tc） 8-MLP（3.3x3.3），Power33
  
  型号：FDMC8554
  仓库库存编号：FDMC8554CT-ND
  别名：FDMC8554CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 62nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 110W（Tc） DPAK
  
  型号：STD155N3H6
  仓库库存编号：497-11307-1-ND
  别名：497-11307-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 62nC @ 10V,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 100V 100A 8SON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Ta） 3.1W（Ta），195W（Tc） 8-VSON（5x6）
  
  型号：CSD19532Q5B
  仓库库存编号：296-37478-1-ND
  别名：296-37478-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 62nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 20.7A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20.7A（Tc） 7.1W（Tc） 8-SO
  
  型号：SQ4840EY-T1_GE3
  仓库库存编号：SQ4840EY-T1_GE3CT-ND
  别名：SQ4840EY-T1_GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 62nC @ 10V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 11A POWERPAK8X8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Tc） 114W（Tc） PowerPAK? 8 x 8
  
  型号：SIHH11N60E-T1-GE3
  仓库库存编号：SIHH11N60E-T1-GE3CT-ND
  别名：SIHH11N60E-T1-GE3CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 62nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N CH 600V 15A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 15A（Tc） 156W（Tc） TO-220
  
  型号：FCP260N60E
  仓库库存编号：FCP260N60E-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 62nC @ 10V,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 16A POWER56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Ta），128A（Tc） 3.3W（Ta），187W（Tc） Power56
  
  型号：FDMS86150ET100
  仓库库存编号：FDMS86150ET100CT-ND
  别名：FDMS86150ET100CT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 62nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 550V 22.5A 4PWRFLAT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 22.5A（Tc） 2.8W（Ta），150W（Tc） PowerFlat?（8x8） HV
  
  型号：STL36N55M5
  仓库库存编号：497-13601-1-ND
  别名：497-13601-1
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 62nC @ 10V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75A（Tc） 157W（Tc） DPAK
  
  型号：BUK724R5-30C,118
  仓库库存编号：1727-4698-1-ND
  别名：1727-4698-1
  568-5846-1
  568-5846-1-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 62nC @ 10V,
• 含铅
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 163A WDSON-2
  详细描述：表面贴装 N 沟道 36A（Ta），163A（Tc） 2.8W（Ta），57W（Tc） MG-WDSON-2，CanPAK M?
  
  型号：BSB013NE2LXI
  仓库库存编号：BSB013NE2LXICT-ND
  别名：BSB013NE2LXICT
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 62nC @ 10V,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 100V 15A TO252-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 15A（Tc） 128W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：SPD15P10PLGBTMA1
  仓库库存编号：SPD15P10PLGBTMA1CT-ND
  别名：SPD15P10PL GCT
  SPD15P10PL GCT-ND
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 62nC @ 10V,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 100V 50A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 150W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP40NF10
  仓库库存编号：497-3188-5-ND
  别名：497-3188-5
  
  规格：不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 62nC @ 10V,
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