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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 70A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 70A(Tc) 92W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FDB8445
仓库库存编号:
FDB8445CT-ND
别名:FDB8445CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 62nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 15A TO220-3
详细描述:通孔 P 沟道 15A(Tc) 128W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
SPP15P10PL H
仓库库存编号:
SPP15P10PL H-ND
别名:SP000683162
SPP15P10PLH
SPP15P10PLHXKSA1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 62nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 43.5A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 43.5A(Tc) 146W(Tc) TO-220AB
型号:
FQP44N10
仓库库存编号:
FQP44N10FS-ND
别名:FQP44N10-ND
FQP44N10FS
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 62nC @ 10V,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N CH 550V 33A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 33A(Tc) 190W(Tc) TO-247
型号:
STW36N55M5
仓库库存编号:
497-13285-5-ND
别名:497-13285-5
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 62nC @ 10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 10A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 10A(Tc) 40W(Tc) TO-220FM
型号:
R8010ANX
仓库库存编号:
R8010ANX-ND
别名:R8010ANXCT
R8010ANXCT-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 62nC @ 10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 12A HSMT8
详细描述:表面贴装 P 沟道 12A(Ta) 2W(Ta) 8-HSMT(3.2x3)
型号:
RQ3E120ATTB
仓库库存编号:
RQ3E120ATTBCT-ND
别名:RQ3E120ATTBCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 62nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 43.5A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 43.5A(Tc) 3.75W(Ta),146W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB44N10TM
仓库库存编号:
FQB44N10TMCT-ND
别名:FQB44N10TMCT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 62nC @ 10V,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 80V 100A 8SON
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Ta) 3.1W(Ta),195W(Tc) 8-VSON(5x6)
型号:
CSD19502Q5B
仓库库存编号:
296-37194-1-ND
别名:296-37194-1
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 62nC @ 10V,
含铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 80A(Tc) 110W(Tc) D2PAK
型号:
STB155N3H6
仓库库存编号:
497-11322-1-ND
别名:497-11322-1
497-11322-5
497-11322-5-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 62nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 48A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 48A(Tc) 180W(Tc) TO-247
型号:
FQH44N10_F133
仓库库存编号:
FQH44N10_F133FS-ND
别名:FQH44N10_F133-ND
FQH44N10_F133FS
FQH44N10F133
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 62nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 30A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 30A(Tc) 690W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:
IXFH30N50Q3
仓库库存编号:
IXFH30N50Q3-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 62nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 30A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 30A(Tc) 690W(Tc) TO-268
型号:
IXFT30N50Q3
仓库库存编号:
IXFT30N50Q3-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 62nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2P-CH 20V 8A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 8A 3.1W Surface Mount 8-SO
型号:
SI4943CDY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4943CDY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4943CDY-T1-GE3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 62nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8A 3.1W Surface Mount 8-SO
型号:
SI4922BDY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4922BDY-T1-GE3-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 62nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2P-CH 20V 8A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 8A 3.1W Surface Mount 8-SO
型号:
SI4943CDY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4943CDY-T1-E3-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 62nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET NCH 25V 27A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 27A(Ta),50A(Tc) 3.7W(Ta),65W(Tc) D-PAK(TO-252AA)
型号:
FDD6760A
仓库库存编号:
FDD6760ACT-ND
别名:FDD6760ACT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 62nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 40A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 40A(Tc) 107W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
SQM40N10-30_GE3
仓库库存编号:
SQM40N10-30_GE3-ND
别名:SQM40N10-30-GE3
SQM40N10-30-GE3-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 62nC @ 10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 40V 45A LFPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 45A(Ta) 30W(Tc) LFPAK
型号:
HAT2170H-EL-E
仓库库存编号:
HAT2170H-EL-E-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 62nC @ 10V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 22A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 22A(Tc) 400W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ22N60P
仓库库存编号:
IXTQ22N60P-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 62nC @ 10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 11A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 400V 11A(Tc) 150W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFP340
仓库库存编号:
IRFP340-ND
别名:*IRFP340
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 62nC @ 10V,
含铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 30A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 60V 30A(Ta) 96W(Tc) TO-220AB
型号:
RFP30N06LE
仓库库存编号:
RFP30N06LE-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 62nC @ 10V,
无铅
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Rohm Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 12A TO-220FN
详细描述:通孔 N 沟道 250V 12A(Ta) 40W(Tc) TO-220FN
型号:
RDN120N25
仓库库存编号:
RDN120N25-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 62nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 19A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 19A(Ta) 3W(Ta) 8-SO
型号:
FDS7066ASN3
仓库库存编号:
FDS7066ASN3CT-ND
别名:FDS7066ASN3_NLCT
FDS7066ASN3_NLCT-ND
FDS7066ASN3CT
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 62nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 150V 4.7A D-PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 4.7A(Ta) 3.2W(Ta),70W(Tc) TO-252
型号:
FDD2570
仓库库存编号:
FDD2570-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 62nC @ 10V,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 27A TO-220F
详细描述:通孔 N 沟道 100V 27A(Tc) 55W(Tc) TO-220F
型号:
FQPF44N10
仓库库存编号:
FQPF44N10-ND
规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 62nC @ 10V,
无铅
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